Таблицы данных Фотографии Производитель. Часть # Акции Цены А Packaging Series ProductStatus FETType Technology DraintoSourceVoltage(Vdss) Current-ContinuousDrain(Id)@25°C DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) RdsOn(Max)@IdVgs Vgs(th)(Max)@Id GateCharge(Qg)(Max)@Vgs Vgs(Max) InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds FETFeature PowerDissipation(Max) OperatingTemperature MountingType
PMN70EPEX

Таблицы данных

PMN70EPEX

PMN70EPEX

PMN70EPE - 30 V, P-CHANNEL TRENC

Nexperia USA Inc.

3425 1.00
- +

Добавить

Расследования

Bulk - Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 4.4A (Ta) 4.5V, 10V 80mOhm @ 3.3A, 10V 3V @ 250µA 11.5 nC @ 10 V ±20V 370 pF @ 15 V - 570mW (Ta), 6.25W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount
BSS670S2LH6433XTMA1

Таблицы данных

BSS670S2LH6433XTMA1

BSS670S2LH6433XTMA1

SMALL SIGNAL MOSFETS

Infineon Technologies

2408 1.00
- +

Добавить

Расследования

Bulk * Active - - - - - - - - - - - - - -
NTLUS4C12NTBG

Таблицы данных

NTLUS4C12NTBG

NTLUS4C12NTBG

NTLUS4C12N - SINGLE N-CHANNEL CO

onsemi

3763 1.00
- +

Добавить

Расследования

Bulk - Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 6.8A (Ta) 3.3V, 10V 9mOhm @ 9A, 10V 2.1V @ 250µA 18 nC @ 10 V ±20V 1172 pF @ 15 V - 630mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount
IRF7410GTRPBF

Таблицы данных

IRF7410GTRPBF

IRF7410GTRPBF

IRF7410 - 16A, 12V, 0.007OHM, P-

Infineon Technologies

3593 1.00
- +

Добавить

Расследования

Bulk HEXFET® Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 12 V 16A (Ta) 1.8V, 4.5V 7mOhm @ 16A, 4.5V 900mV @ 250µA 91 nC @ 4.5 V ±8V 8676 pF @ 10 V - 2.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount
AUIRFS4310Z

Таблицы данных

AUIRFS4310Z

AUIRFS4310Z

AUIRFS4310 - 75V-100V N-CHANNEL

International Rectifier

2675 1.00
- +

Добавить

Расследования

Bulk HEXFET® Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 120A (Tc) 10V 6mOhm @ 75A, 10V 4V @ 150µA 170 nC @ 10 V ±20V 6860 pF @ 50 V - 250W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount
PMT560ENEAX

Таблицы данных

PMT560ENEAX

PMT560ENEAX

NEXPERIA PMT560ENEA - 100V N-CHA

NXP Semiconductors

2597 1.00
- +

Добавить

Расследования

Bulk - Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 1.1A (Ta) 4.5V, 10V 715mOhm @ 1.1A, 10V 2.7V @ 250µA 4.4 nC @ 10 V ±20V 112 pF @ 50 V - 750mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount
PMV130ENEAR

Таблицы данных

PMV130ENEAR

PMV130ENEAR

NEXPERIA PMV130 - 40 V, N-CHANNE

NXP Semiconductors

2958 1.00
- +

Добавить

Расследования

Bulk - Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 2.1A (Ta) 4.5V, 10V 120mOhm @ 1.5A, 10V 2.5V @ 250µA 3.6 nC @ 10 V ±20V 170 pF @ 20 V - 460mW (Ta), 5W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount
BUK9GTHP-55PJTR,51 BUK9GTHP-55PJTR,51

BUK9GTHP-55PJTR,51

IPOC TRENCHFET

Nexperia USA Inc.

2998 1.00
- +

Добавить

Расследования

Bulk - Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V - - - - - - - - - - Surface Mount
FDC658AP-G

Таблицы данных

FDC658AP-G

FDC658AP-G

FDC658AP - MOSFET 30V 50.0 MOHM

Fairchild Semiconductor

2116 1.00
- +

Добавить

Расследования

Bulk * Active - - - - - - - - - - - - - -
FDP8860

Таблицы данных

FDP8860

FDP8860

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8

onsemi

3589 1.00
- +

Добавить

Расследования

Bulk PowerTrench® Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 80A (Tc) 4.5V, 10V 2.5mOhm @ 80A, 10V 2.5V @ 250µA 222 nC @ 10 V ±20V 12240 pF @ 15 V - 254W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole
HUF75345P3

Таблицы данных

HUF75345P3

HUF75345P3

N-CHANNEL ULTRAFET POWER MOSFET

onsemi

586 1.29
- +

Добавить

Расследования

Bulk UltraFET™ Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 75A (Tc) 10V 7mOhm @ 75A, 10V 4V @ 250µA 275 nC @ 20 V ±20V 4000 pF @ 25 V - 325W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole
MCH6606-TL-E MCH6606-TL-E

MCH6606-TL-E

MCH6606 - MOSFET

onsemi

3593 1.00
- +

Добавить

Расследования

Bulk * Active - - - - - - - - - - - - - -
PMN120ENEX

Таблицы данных

PMN120ENEX

PMN120ENEX

PMN120ENE - 60V, N-CHANNEL TRENC

Nexperia USA Inc.

3202 1.00
- +

Добавить

Расследования

Bulk - Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 3.1A (Ta) 4.5V, 10V 123mOhm @ 2.4A, 10V 2.7V @ 250µA 7.4 nC @ 10 V ±20V 275 pF @ 30 V - 1.4W (Ta), 6.25W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount
FDMC013P030Z

Таблицы данных

FDMC013P030Z

FDMC013P030Z

P-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET -30

onsemi

3228 1.00
- +

Добавить

Расследования

Bulk - Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 54A (Tc) 4.5V, 10V 7mOhm @ 14A, 10V 3V @ 250µA 135 nC @ 10 V ±25V 5785 pF @ 15 V - 30W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount
FDMS7670

Таблицы данных

FDMS7670

FDMS7670

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2

onsemi

2533 0.00
- +

Добавить

Расследования

Bulk PowerTrench® Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 21A (Ta), 42A (Tc) 4.5V, 10V 3.8mOhm @ 21A, 10V 3V @ 250µA 56 nC @ 10 V ±20V 4105 pF @ 15 V - 2.5W (Ta), 62W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount
BUK7506-55A,127

Таблицы данных

BUK7506-55A,127

BUK7506-55A,127

NEXPERIA BUK7506-55A - POWER FIE

Nexperia USA Inc.

2985 1.00
- +

Добавить

Расследования

Bulk Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 75A (Tc) 10V 6.3mOhm @ 25A, 10V 4V @ 1mA - ±20V 6000 pF @ 25 V - 300W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole
FCPF16N60NT

Таблицы данных

FCPF16N60NT

FCPF16N60NT

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1

onsemi

3322 1.00
- +

Добавить

Расследования

Bulk SupreMOS™ Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 16A (Tc) 10V 199mOhm @ 8A, 10V 4V @ 250µA 52.3 nC @ 10 V ±30V 2170 pF @ 100 V - 35.7W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole
PSMN8R5-100PSFQ

Таблицы данных

PSMN8R5-100PSFQ

PSMN8R5-100PSFQ

NEXPERIA PSMN8R5 - NEXTPOWER 100

NXP Semiconductors

3657 1.00
- +

Добавить

Расследования

Bulk - Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 98A (Ta) 7V, 10V 8.7mOhm @ 25A, 10V 4V @ 1mA 44.5 nC @ 10 V ±20V 3181 pF @ 50 V - 183W (Ta) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole
IPD60R380P6ATMA1

Таблицы данных

IPD60R380P6ATMA1

IPD60R380P6ATMA1

XPD60R380 - LOW POWER_LEGACY

Infineon Technologies

2318 1.00
- +

Добавить

Расследования

Bulk CoolMOS™ P6 Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 10.6A (Tc) 10V 380mOhm @ 3.8A, 10V 4.5V @ 320µA 19 nC @ 10 V ±20V 877 pF @ 100 V - 83W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount
FDC606P

Таблицы данных

FDC606P

FDC606P

SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI

onsemi

2619 0.00
- +

Добавить

Расследования

Bulk PowerTrench® Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 12 V 6A (Ta) 1.8V, 4.5V 26mOhm @ 6A, 4.5V 1.5V @ 250µA 25 nC @ 4.5 V ±8V 1699 pF @ 6 V - 1.6W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount
Total 42442 Records«Prev1... 12901291129212931294129512961297...2123Next»
Запрос котировок
Номер запчасти
А
Связь
Электронная почта
Компания
Замечания
  • Домой

    Домой

    Продукты

    Продукты

    Телефон

    Телефон

    Связь

    Связь