Таблицы данных Фотографии Производитель. Часть # Акции Цены А Packaging Series ProductStatus FETType Technology DraintoSourceVoltage(Vdss) Current-ContinuousDrain(Id)@25°C DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) RdsOn(Max)@IdVgs Vgs(th)(Max)@Id GateCharge(Qg)(Max)@Vgs Vgs(Max) InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds FETFeature PowerDissipation(Max) OperatingTemperature MountingType
IPD75N04S4-06

Таблицы данных

IPD75N04S4-06

IPD75N04S4-06

IPD75N04 - 20V-40V N-CHANNEL AUT

Infineon Technologies

3183 1.00
- +

Добавить

Расследования

Bulk OptiMOS™ Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 75A (Tc) 10V 5.9mOhm @ 75A, 10V 4V @ 26µA 32 nC @ 10 V ±20V 2550 pF @ 25 V - 58W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount
FDD4N60NZ FDD4N60NZ

FDD4N60NZ

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3

Fairchild Semiconductor

2437 1.00
- +

Добавить

Расследования

Bulk UniFET-II™ Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 3.4A (Tc) 10V 2.5Ohm @ 1.7A, 10V 5V @ 250µA 10.8 nC @ 10 V ±25V 510 pF @ 25 V - 114W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount
FDP3651U

Таблицы данных

FDP3651U

FDP3651U

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8

Fairchild Semiconductor

2638 1.00
- +

Добавить

Расследования

Bulk PowerTrench® Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 80A (Tc) 10V 18mOhm @ 80A, 10V 5.5V @ 250µA 69 nC @ 10 V ±20V 5522 pF @ 25 V - 255W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole
AUIRFS8407

Таблицы данных

AUIRFS8407

AUIRFS8407

AUIRFS8407 - 20V-40V N-CHANNEL A

International Rectifier

3875 1.00
- +

Добавить

Расследования

Bulk HEXFET® Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 195A (Tc) 10V 1.8mOhm @ 100A, 10V 4V @ 150µA 225 nC @ 10 V ±20V 7330 pF @ 25 V - 230W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount
AUIRFZ44ZS

Таблицы данных

AUIRFZ44ZS

AUIRFZ44ZS

MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK

International Rectifier

3465 0.00
- +

Добавить

Расследования

Bulk HEXFET® Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 51A (Tc) 10V 13.9mOhm @ 31A, 10V 4V @ 250µA 43 nC @ 10 V ±20V 1420 pF @ 25 V - 80W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount
BSZ050N03MSG

Таблицы данных

BSZ050N03MSG

BSZ050N03MSG

BSZ050N03 - 12V-300V N-CHANNEL P

Infineon Technologies

3697 1.00
- +

Добавить

Расследования

Bulk * Active - - - - - - - - - - - - - -
BUK6C3R3-75C,118

Таблицы данных

BUK6C3R3-75C,118

BUK6C3R3-75C,118

MOSFET N-CH 75V 181A D2PAK

NXP USA Inc.

2092 1.00
- +

Добавить

Расследования

Bulk Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75 V 181A (Tc) 10V 3.4mOhm @ 90A, 10V 2.8V @ 1mA 253 nC @ 10 V ±16V 15800 pF @ 25 V - 300W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount
AUIRF7738L2TR

Таблицы данных

AUIRF7738L2TR

AUIRF7738L2TR

MOSFET N-CH 40V 35A/130A DIRECT

International Rectifier

3370 1.00
- +

Добавить

Расследования

Bulk HEXFET® Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 35A (Ta), 130A (Tc) 10V 1.6mOhm @ 109A, 10V 4V @ 250µA 194 nC @ 10 V ±20V 7471 pF @ 25 V - 3.3W (Ta), 94W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount
ISL9N312AD3STNL

Таблицы данных

ISL9N312AD3STNL

ISL9N312AD3STNL

MOSFET N-CH 30V 50A TO252AA

Fairchild Semiconductor

2574 1.00
- +

Добавить

Расследования

Bulk UltraFET™ Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 50A (Tc) - 12mOhm @ 50A, 10V 3V @ 250µA 38 nC @ 10 V ±20V 1450 pF @ 15 V - 75W (Ta) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount
IRFR13N15DPBF

Таблицы данных

IRFR13N15DPBF

IRFR13N15DPBF

MOSFET N-CH 150V 14A DPAK

International Rectifier

2758 1.00
- +

Добавить

Расследования

Bulk HEXFET® Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 14A (Tc) 10V 180mOhm @ 8.3A, 10V 5.5V @ 250µA 29 nC @ 10 V ±30V 620 pF @ 25 V - 86W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount
IRFR8314TRPBF

Таблицы данных

IRFR8314TRPBF

IRFR8314TRPBF

IRFR8314 - 12V-300V N-CHANNEL PO

International Rectifier

2068 1.00
- +

Добавить

Расследования

Bulk HEXFET® Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 90A (Tc) 4.5V, 10V 2.2mOhm @ 90A, 10V 2.2V @ 100µA 54 nC @ 4.5 V ±20V 4945 pF @ 15 V - 125W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount
IRFS3806PBF

Таблицы данных

IRFS3806PBF

IRFS3806PBF

MOSFET N-CH 60V 43A D2PAK

International Rectifier

2065 1.00
- +

Добавить

Расследования

Bulk HEXFET® Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 43A (Tc) 10V 15.8mOhm @ 25A, 10V 4V @ 50µA 30 nC @ 10 V ±20V 1150 pF @ 50 V - 71W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount
FDMA291P

Таблицы данных

FDMA291P

FDMA291P

SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI

Fairchild Semiconductor

2124 1.00
- +

Добавить

Расследования

Bulk PowerTrench® Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 6.6A (Ta) 1.8V, 4.5V 42mOhm @ 6.6A, 4.5V 1V @ 250µA 14 nC @ 4.5 V ±8V 1000 pF @ 10 V - 2.4W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount
FDS5670

Таблицы данных

FDS5670

FDS5670

SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI

Fairchild Semiconductor

2425 1.00
- +

Добавить

Расследования

Bulk PowerTrench® Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 10A (Ta) 6V, 10V 14mOhm @ 10A, 10V 4V @ 250µA 70 nC @ 10 V ±20V 2900 pF @ 15 V - 2.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount
AUIRFR8401

Таблицы данных

AUIRFR8401

AUIRFR8401

MOSFET N-CH 40V 100A DPAK

International Rectifier

3751 1.00
- +

Добавить

Расследования

Bulk HEXFET® Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 100A (Tc) 10V 4.25mOhm @ 60A, 10V 3.9V @ 50µA 63 nC @ 10 V ±20V 2200 pF @ 25 V - 79W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount
SP000850810

Таблицы данных

SP000850810

SP000850810

IPP50R280CEXKSA1 - 500V COOLMOS

Infineon Technologies

3479 1.00
- +

Добавить

Расследования

Bulk * Active - - - - - - - - - - - - - -
IRFR3411TRPBF

Таблицы данных

IRFR3411TRPBF

IRFR3411TRPBF

IRFR3411 - 12V-300V N-CHANNEL PO

International Rectifier

2142 1.00
- +

Добавить

Расследования

Bulk HEXFET® Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 32A (Tc) 10V 44mOhm @ 16A, 10V 4V @ 250µA 71 nC @ 10 V ±20V 1960 pF @ 25 V - 130W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount
IRFR7746TRPBF

Таблицы данных

IRFR7746TRPBF

IRFR7746TRPBF

IRFR7746 - 12V-300V N-CHANNEL PO

International Rectifier

2276 1.00
- +

Добавить

Расследования

Bulk HEXFET® Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75 V 56A (Tc) 6V, 10V 11.2mOhm @ 35A, 10V 3.7V @ 100µA 89 nC @ 10 V ±20V 3107 pF @ 25 V - 99W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount
SPB18P06PG

Таблицы данных

SPB18P06PG

SPB18P06PG

SPB18P06 - 20V-250V P-CHANNEL PO

Infineon Technologies

2952 1.00
- +

Добавить

Расследования

Bulk * Active - - - - - - - - - - - - - -
FDMS6673BZ

Таблицы данных

FDMS6673BZ

FDMS6673BZ

SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI

Fairchild Semiconductor

3931 1.00
- +

Добавить

Расследования

Bulk PowerTrench® Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 15.2A (Ta), 28A (Tc) 4.5V, 10V 6.8mOhm @ 15.2A, 10V 3V @ 250µA 130 nC @ 10 V ±25V 5915 pF @ 15 V - 2.5W (Ta), 73W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount
Total 42442 Records«Prev1... 12731274127512761277127812791280...2123Next»
Запрос котировок
Номер запчасти
А
Связь
Электронная почта
Компания
Замечания
  • Домой

    Домой

    Продукты

    Продукты

    Телефон

    Телефон

    Связь

    Связь