Таблицы данных Фотографии Производитель. Часть # Акции Цены А Packaging Series ProductStatus FETType Technology DraintoSourceVoltage(Vdss) Current-ContinuousDrain(Id)@25°C DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) RdsOn(Max)@IdVgs Vgs(th)(Max)@Id GateCharge(Qg)(Max)@Vgs Vgs(Max) InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds FETFeature PowerDissipation(Max) OperatingTemperature MountingType
IRLR3114ZPBF

Таблицы данных

IRLR3114ZPBF

IRLR3114ZPBF

MOSFET N-CH 40V 42A DPAK

International Rectifier

2281 1.00
- +

Добавить

Расследования

Bulk HEXFET® Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 42A (Tc) 4.5V, 10V 4.9mOhm @ 42A, 10V 2.5V @ 100µA 56 nC @ 4.5 V ±16V 3810 pF @ 25 V - 140W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount
IRF6724MTRPBF

Таблицы данных

IRF6724MTRPBF

IRF6724MTRPBF

MOSFET N-CH 30V 27A/150A DIRECT

International Rectifier

3407 1.00
- +

Добавить

Расследования

Bulk HEXFET® Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 27A (Ta), 150A (Tc) 4.5V, 10V 2.5mOhm @ 27A, 10V 2.35V @ 100µA 54 nC @ 4.5 V ±20V 4404 pF @ 15 V - 2.8W (Ta), 89W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount
FDD4243

Таблицы данных

FDD4243

FDD4243

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6

Fairchild Semiconductor

2189 1.00
- +

Добавить

Расследования

Bulk PowerTrench® Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 6.7A (Ta), 14A (Tc) 4.5V, 10V 44mOhm @ 6.7A, 10V 3V @ 250µA 29 nC @ 10 V ±20V 1550 pF @ 20 V - 42W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount
FDP18N20F

Таблицы данных

FDP18N20F

FDP18N20F

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1

Fairchild Semiconductor

2725 1.00
- +

Добавить

Расследования

Bulk UniFET™ Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 18A (Tc) 10V 145mOhm @ 9A, 10V 5V @ 250µA 26 nC @ 10 V ±30V 1180 pF @ 25 V - 100W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole
FDMS7698

Таблицы данных

FDMS7698

FDMS7698

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1

Fairchild Semiconductor

3056 1.00
- +

Добавить

Расследования

Bulk PowerTrench® Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 13.5A (Ta), 22A (Tc) 4.5V, 10V 10mOhm @ 13.5A, 10V 3V @ 250µA 24 nC @ 10 V ±20V 1605 pF @ 15 V - 2.5W (Ta), 29W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount
FQPF27P06

Таблицы данных

FQPF27P06

FQPF27P06

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1

Fairchild Semiconductor

3108 1.00
- +

Добавить

Расследования

Bulk QFET® Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 17A (Tc) - 70mOhm @ 8.5A, 10V 4V @ 250µA 43 nC @ 10 V ±25V 1400 pF @ 25 V - 47W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole
AUIRF4905

Таблицы данных

AUIRF4905

AUIRF4905

AUIRF4905 - 20V-150V P-CHANNEL A

International Rectifier

2370 1.00
- +

Добавить

Расследования

Bulk HEXFET® Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 74A (Tc) 10V 20mOhm @ 38A, 10V 4V @ 250µA 180 nC @ 10 V ±20V 3400 pF @ 25 V - 200W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole
IPP60R060P7

Таблицы данных

IPP60R060P7

IPP60R060P7

600V, 0.06OHM, N-CHANNEL MOSFET

Infineon Technologies

2526 0.00
- +

Добавить

Расследования

Bulk * Active - - - - - - - - - - - - -
MTD3055VL

Таблицы данных

MTD3055VL

MTD3055VL

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1

Fairchild Semiconductor

3520 1.00
- +

Добавить

Расследования

Bulk - Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 12A (Tc) 5V 180mOhm @ 6A, 5V 2V @ 250µA 10 nC @ 5 V ±20V 570 pF @ 25 V - 3.9W (Ta), 48W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount
IRFR1205TRPBF

Таблицы данных

IRFR1205TRPBF

IRFR1205TRPBF

IRFR1205 - 12V-300V N-CHANNEL PO

International Rectifier

2023 1.00
- +

Добавить

Расследования

Bulk HEXFET® Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 44A (Tc) 10V 27mOhm @ 26A, 10V 4V @ 250µA 65 nC @ 10 V ±20V 1300 pF @ 25 V - 107W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount
FDH047AN08A0

Таблицы данных

FDH047AN08A0

FDH047AN08A0

MOSFET N-CH 75V 15A TO247-3

Fairchild Semiconductor

3553 1.00
- +

Добавить

Расследования

Bulk - Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75 V 15A (Tc) 6V, 10V 4.7mOhm @ 80A, 10V 4V @ 250µA 138 nC @ 10 V ±20V 6600 pF @ 25 V - 310W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole
IPA057N08N3G

Таблицы данных

IPA057N08N3G

IPA057N08N3G

IPA057N08 - 12V-300V N-CHANNEL P

Infineon Technologies

3695 1.00
- +

Добавить

Расследования

Bulk * Active - - - - - - - - - - - - - -
FQP20N06TSTU FQP20N06TSTU

FQP20N06TSTU

MOSFET N-CH 60V 20A TO220-3

Fairchild Semiconductor

3819 1.00
- +

Добавить

Расследования

Bulk QFET® Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 20A (Tc) 10V 60mOhm @ 10A, 10V 4V @ 250µA 15 nC @ 10 V ±25V 590 pF @ 25 V - 53W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole
IPN80R2K0P7

Таблицы данных

IPN80R2K0P7

IPN80R2K0P7

IPN80R2K0 - 800V COOLMOS N-CHANN

Infineon Technologies

2010 1.00
- +

Добавить

Расследования

Bulk * Active - - - - - - - - - - - - - -
IPW65R045C7

Таблицы данных

IPW65R045C7

IPW65R045C7

46A, 650V, 0.045OHM, N-CHANNEL M

Infineon Technologies

2592 1.00
- +

Добавить

Расследования

Bulk * Active - - - - - - - - - - - - - -
HUF76629D3STR4885

Таблицы данных

HUF76629D3STR4885

HUF76629D3STR4885

N-CHANNEL LOGIC LEVEL ULTRAFET P

Fairchild Semiconductor

2930 1.00
- +

Добавить

Расследования

Bulk UltraFET® Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 20A (Tc) 4.5V, 10V 52mOhm @ 20A, 10V 3V @ 250µA 43 nC @ 10 V ±16V 1285 pF @ 25 V - 150W (Tj) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount
AUIRFS6535TRL

Таблицы данных

AUIRFS6535TRL

AUIRFS6535TRL

MOSFET N-CH 300V 19A D2PAK

International Rectifier

2874 1.00
- +

Добавить

Расследования

Bulk HEXFET® Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 300 V 19A (Tc) 10V 185mOhm @ 11A, 10V 5V @ 150µA 57 nC @ 10 V ±20V 2340 pF @ 25 V - 210W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount
TF412T5G

Таблицы данных

TF412T5G

TF412T5G

SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI

onsemi

3581 1.00
- +

Добавить

Расследования

Bulk * Active - - - - - - - - - - - - - -
CPH3448-TL-W

Таблицы данных

CPH3448-TL-W

CPH3448-TL-W

SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI

Texas Instruments

3284 1.00
- +

Добавить

Расследования

Bulk - Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 4A (Ta) 1.8V, 4.5V 50mOhm @ 2A, 4.5V - 4.7 nC @ 4.5 V ±12V 430 pF @ 10 V - 1W (Ta) 150°C (TJ) Surface Mount
FCH104N60

Таблицы данных

FCH104N60

FCH104N60

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3

Fairchild Semiconductor

3674 1.00
- +

Добавить

Расследования

Bulk SuperFET® II Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 37A (Tc) 10V 104mOhm @ 18.5A, 10V 3.5V @ 250µA 82 nC @ 10 V ±20V 4165 pF @ 380 V - 357W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole
Total 42442 Records«Prev1... 12671268126912701271127212731274...2123Next»
Запрос котировок
Номер запчасти
А
Связь
Электронная почта
Компания
Замечания
  • Домой

    Домой

    Продукты

    Продукты

    Телефон

    Телефон

    Связь

    Связь