Таблицы данных Фотографии Производитель. Часть # Акции Цены А Packaging Series ProductStatus FETType Technology DraintoSourceVoltage(Vdss) Current-ContinuousDrain(Id)@25°C DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) RdsOn(Max)@IdVgs Vgs(th)(Max)@Id GateCharge(Qg)(Max)@Vgs Vgs(Max) InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds FETFeature PowerDissipation(Max) OperatingTemperature MountingType
FQD13N10LTM

Таблицы данных

FQD13N10LTM

FQD13N10LTM

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1

Fairchild Semiconductor

2006 1.00
- +

Добавить

Расследования

Bulk QFET® Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 10A (Tc) 5V, 10V 180mOhm @ 5A, 10V 2V @ 250µA 12 nC @ 5 V ±20V 520 pF @ 25 V - 2.5W (Ta), 40W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount
FQD2N60CTM

Таблицы данных

FQD2N60CTM

FQD2N60CTM

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1

Fairchild Semiconductor

3730 1.00
- +

Добавить

Расследования

Bulk QFET® Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 1.9A (Tc) 10V 4.7Ohm @ 950mA, 10V 4V @ 250µA 12 nC @ 10 V ±30V 235 pF @ 25 V - 2.5W (Ta), 44W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount
2SK3705

Таблицы данных

2SK3705

2SK3705

N-CHANNL SILICON MOSFET FOR GENE

Sanyo

2629 1.00
- +

Добавить

Расследования

Bulk * Active - - - - - - - - - - - - - -
FDMS2572

Таблицы данных

FDMS2572

FDMS2572

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2

Fairchild Semiconductor

3956 1.00
- +

Добавить

Расследования

Bulk UltraFET™ Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 4.5A (Ta), 27A (Tc) 6V, 10V 47mOhm @ 4.5A, 10V 4V @ 250µA 43 nC @ 10 V ±20V 2610 pF @ 75 V - 2.5W (Ta), 78W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount
SN7002WH6433

Таблицы данных

SN7002WH6433

SN7002WH6433

SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI

Infineon Technologies

3893 1.00
- +

Добавить

Расследования

Bulk * Active - - - - - - - - - - - - - -
PSMN2R2-40BS,118

Таблицы данных

PSMN2R2-40BS,118

PSMN2R2-40BS,118

MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK

NXP USA Inc.

3597 1.00
- +

Добавить

Расследования

Bulk - Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 100A (Tc) 10V 2.2mOhm @ 25A, 10V 4V @ 1mA 130 nC @ 10 V ±20V 8423 pF @ 20 V - 306W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount
FDC604P

Таблицы данных

FDC604P

FDC604P

SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI

Fairchild Semiconductor

2305 1.00
- +

Добавить

Расследования

Bulk PowerTrench® Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 5.5A (Ta) 1.8V, 4.5V 33mOhm @ 5.5A, 4.5V 1.5V @ 250µA 30 nC @ 4.5 V ±8V 1926 pF @ 10 V - 1.6W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount
2N7000-D26Z

Таблицы данных

2N7000-D26Z

2N7000-D26Z

SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI

Fairchild Semiconductor

2736 1.00
- +

Добавить

Расследования

Bulk - Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 200mA (Ta) 4.5V, 10V 5Ohm @ 500mA, 10V 3V @ 1mA - ±20V 50 pF @ 25 V - 400mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole
FDD050N03B

Таблицы данных

FDD050N03B

FDD050N03B

MOSFET N-CH 30V 50A DPAK

Fairchild Semiconductor

2762 1.00
- +

Добавить

Расследования

Bulk PowerTrench® Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 50A (Tc) 4.5V, 10V 5mOhm @ 25A, 10V 3V @ 250µA 43 nC @ 10 V ±16V 2875 pF @ 15 V - 65W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount
FQB6N40CTM FQB6N40CTM

FQB6N40CTM

MOSFET N-CH 400V 6A D2PAK

Fairchild Semiconductor

3606 1.00
- +

Добавить

Расследования

Bulk QFET® Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 400 V 6A (Tc) 10V 1Ohm @ 3A, 10V 4V @ 250µA 20 nC @ 10 V ±30V 625 pF @ 25 V - 73W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount
IRFF332

Таблицы данных

IRFF332

IRFF332

3A, 400V, 1.5OHM, N-CHANNEL POWE

International Rectifier

3740 1.00
- +

Добавить

Расследования

Bulk * Active - - - - - - - - - - - - - -
PSMN3R5-80PS,127

Таблицы данных

PSMN3R5-80PS,127

PSMN3R5-80PS,127

NOW NEXPERIA PSMN3R5-80PS - 120A

NXP Semiconductors

3885 1.00
- +

Добавить

Расследования

Bulk - Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 120A (Tc) 10V 3.5mOhm @ 25A, 10V 4V @ 1mA 139 nC @ 10 V ±20V 9961 pF @ 40 V - 338W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole
BUK765R3-40E,118

Таблицы данных

BUK765R3-40E,118

BUK765R3-40E,118

MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK

NXP USA Inc.

2202 1.00
- +

Добавить

Расследования

Bulk Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 75A (Tc) 10V 4.9mOhm @ 25A, 10V 4V @ 1mA 35.5 nC @ 10 V ±20V 2772 pF @ 25 V - 137W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount
AUIRFU540Z

Таблицы данных

AUIRFU540Z

AUIRFU540Z

MOSFET N-CH 100V 35A I-PAK

International Rectifier

3357 1.00
- +

Добавить

Расследования

Bulk HEXFET® Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 35A (Tc) 10V 28.5mOhm @ 21A, 10V 4V @ 50µA 59 nC @ 10 V ±20V 1690 pF @ 25 V - 91W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole
2SK4198LS

Таблицы данных

2SK4198LS

2SK4198LS

MOSFET N-CH 600V 5A TO220FI

Sanyo

2179 1.00
- +

Добавить

Расследования

Bulk - Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 5A (Tc) 10V 2.34Ohm @ 2.5A, 10V 5V @ 1mA 14.3 nC @ 10 V ±30V 360 pF @ 30 V - 2W (Ta), 30W (Tc) 150°C (TJ) Through Hole
IPD50R500CEBTMA1

Таблицы данных

IPD50R500CEBTMA1

IPD50R500CEBTMA1

MOSFET N-CH 500V 7.6A TO252-3

Infineon Technologies

2825 1.13
- +

Добавить

Расследования

Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT),Digi-Reel®,Bulk CoolMOS™ Discontinued at Mosen N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 7.6A (Tc) 13V 500mOhm @ 2.3A, 13V 3.5V @ 200µA 18.7 nC @ 10 V ±20V 433 pF @ 100 V Super Junction 57W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount
BSZ0905PNSATMA1

Таблицы данных

BSZ0905PNSATMA1

BSZ0905PNSATMA1

MOSFET P-CH 30V 40A TDSON-8

Infineon Technologies

3586 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT),Digi-Reel® OptiMOS™ Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 40A (Tc) 6V, 10V 8.6mOhm @ 20A, 10V 1.9V @ 105µA 43.2 nC @ 10 V ±25V 3190 pF @ 15 V - 69W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount
FDP12N50NZ

Таблицы данных

FDP12N50NZ

FDP12N50NZ

MOSFET N-CH 500V 11.5A TO220-3

Fairchild Semiconductor

3457 1.00
- +

Добавить

Расследования

Bulk - Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 11.5A (Tc) 10V 520mOhm @ 5.75A, 10V 5V @ 250µA 30 nC @ 10 V ±25V 1235 pF @ 25 V - 170W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole
ECH8304-TL-E ECH8304-TL-E

ECH8304-TL-E

MOSFET P-CH 12V 9.5A 8ECH

Sanyo

2527 1.00
- +

Добавить

Расследования

Bulk - Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 12 V 9.5A (Ta) - 16mOhm @ 4.5A, 4.5V - 33 nC @ 4.5 V - 3180 pF @ 6 V - 1.6W (Ta) 150°C (TJ) Surface Mount
IRF3007SPBF

Таблицы данных

IRF3007SPBF

IRF3007SPBF

MOSFET N-CH 75V 62A D2PAK

International Rectifier

2265 1.00
- +

Добавить

Расследования

Bulk HEXFET® Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75 V 62A (Tc) 10V 12.6mOhm @ 48A, 10V 4V @ 250µA 130 nC @ 10 V ±20V 3270 pF @ 25 V - 120W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount
Total 42442 Records«Prev1... 12621263126412651266126712681269...2123Next»
Запрос котировок
Номер запчасти
А
Связь
Электронная почта
Компания
Замечания
  • Домой

    Домой

    Продукты

    Продукты

    Телефон

    Телефон

    Связь

    Связь