Таблицы данных Фотографии Производитель. Часть # Акции Цены А Packaging Series ProductStatus FETType Technology DraintoSourceVoltage(Vdss) Current-ContinuousDrain(Id)@25°C DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) RdsOn(Max)@IdVgs Vgs(th)(Max)@Id GateCharge(Qg)(Max)@Vgs Vgs(Max) InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds FETFeature PowerDissipation(Max) OperatingTemperature MountingType
IRF7749L1TRPBF

Таблицы данных

IRF7749L1TRPBF

IRF7749L1TRPBF

IRF7749 - 12V-300V N-CHANNEL POW

International Rectifier

2147 1.00
- +

Добавить

Расследования

Bulk - Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 33A (Ta), 200A (Tc) 10V 1.5mOhm @ 120A, 10V 4V @ 250µA 300 nC @ 10 V ±20V 12320 pF @ 25 V - 3.3W (Ta), 125W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount
IRF7807VTRPBF

Таблицы данных

IRF7807VTRPBF

IRF7807VTRPBF

PLANAR <=40V

International Rectifier

3816 1.00
- +

Добавить

Расследования

Bulk HEXFET® Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 8.3A (Ta) 4.5V 25mOhm @ 7A, 4.5V 3V @ 250µA 14 nC @ 5 V ±20V - - 2.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount
IPW65R190C7

Таблицы данных

IPW65R190C7

IPW65R190C7

IPW65R190 - 650V AND 700V COOLMO

Infineon Technologies

2639 1.00
- +

Добавить

Расследования

Bulk * Active - - - - - - - - - - - - - -
IPP65R225C7

Таблицы данных

IPP65R225C7

IPP65R225C7

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1

Infineon Technologies

3748 1.00
- +

Добавить

Расследования

Bulk * Active - - - - - - - - - - - - - -
FDD6530A

Таблицы данных

FDD6530A

FDD6530A

MOSFET N-CH 20V 21A TO252

Fairchild Semiconductor

2823 1.00
- +

Добавить

Расследования

Bulk PowerTrench® Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 21A (Ta) 2.5V, 4.5V 32mOhm @ 8A, 4.5V 1.2V @ 250µA 9 nC @ 4.5 V ±8V 710 pF @ 10 V - 3.3W (Ta), 33W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount
IRFH7440TRPBFTR

Таблицы данных

IRFH7440TRPBFTR

IRFH7440TRPBFTR

IRFH7440 - 12V-300V N-CHANNEL PO

Infineon Technologies

2872 1.00
- +

Добавить

Расследования

Bulk StrongIRFET™ Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 159A (Tc) 6V, 10V 2.4mOhm @ 50A, 10V 3.9V @ 100µA 138 nC @ 10 V ±20V 4574 pF @ 25 V - 104W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount
HUF76629D3STNL

Таблицы данных

HUF76629D3STNL

HUF76629D3STNL

N-CHANNEL LOGIC LEVEL ULTRAFET P

Fairchild Semiconductor

3892 1.00
- +

Добавить

Расследования

Bulk UltraFET® Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 20A (Tc) 4.5V, 10V 52mOhm @ 20A, 10V 3V @ 250µA 43 nC @ 10 V ±16V 1285 pF @ 25 V - 150W (Tj) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount
PMPB15XN,115

Таблицы данных

PMPB15XN,115

PMPB15XN,115

NOW NEXPERIA PMPB15XN - 7.3A, 20

NXP USA Inc.

2841 1.00
- +

Добавить

Расследования

Bulk - Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 7.3A (Ta) 1.8V, 4.5V 21mOhm @ 7.3A, 4.5V 900mV @ 250µA 20.2 nC @ 4.5 V ±12V 1240 pF @ 10 V - 1.7W (Ta), 12.5W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount
FDMC7582

Таблицы данных

FDMC7582

FDMC7582

MOSFET N-CH 25V 16.7A/49A PWR33

Fairchild Semiconductor

2530 1.00
- +

Добавить

Расследования

Bulk PowerTrench® Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 25 V 16.7A (Ta), 49A (Tc) 4.5V, 10V 5mOhm @ 16.7A, 10V 2.5V @ 250µA 28 nC @ 10 V ±20V 1795 pF @ 13 V - 2.3W (Ta), 52W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount
FDMC8878

Таблицы данных

FDMC8878

FDMC8878

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9

Fairchild Semiconductor

2125 1.00
- +

Добавить

Расследования

Bulk PowerTrench® Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 9.6A (Ta), 16.5A (Tc) 4.5V, 10V 14mOhm @ 9.6A, 10V 3V @ 250µA 26 nC @ 10 V ±20V 1230 pF @ 15 V - 2.1W (Ta), 31W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount
PSMN2R0-30PL,127

Таблицы данных

PSMN2R0-30PL,127

PSMN2R0-30PL,127

NOW NEXPERIA PSMN2R0-30PL - 100A

Nexperia USA Inc.

3037 0.00
- +

Добавить

Расследования

Bulk - Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 100A (Tc) 4.5V, 10V 2.1mOhm @ 15A, 10V 2.15V @ 1mA 117 nC @ 10 V ±20V 6810 pF @ 12 V - 211W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole
FQL40N50F

Таблицы данных

FQL40N50F

FQL40N50F

MOSFET N-CH 500V 40A TO264-3

Fairchild Semiconductor

2808 1.00
- +

Добавить

Расследования

Bulk FRFET® Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 40A (Tc) 10V 110mOhm @ 20A, 10V 5V @ 250µA 200 nC @ 10 V ±30V 7500 pF @ 25 V - 460W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole
AUIRFR4292TRL

Таблицы данных

AUIRFR4292TRL

AUIRFR4292TRL

MOSFET N-CH 250V 9.3A DPAK

International Rectifier

2928 1.00
- +

Добавить

Расследования

Bulk HEXFET® Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 250 V 9.3A (Tc) 10V 345mOhm @ 5.6A, 10V 5V @ 50µA 20 nC @ 10 V ±20V 705 pF @ 25 V - 100W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount
IPA60R230P6

Таблицы данных

IPA60R230P6

IPA60R230P6

IPA60R230 - 600V COOLMOS N-CHANN

Infineon Technologies

2220 1.00
- +

Добавить

Расследования

Bulk * Active - - - - - - - - - - - - - -
AUIRFS4115

Таблицы данных

AUIRFS4115

AUIRFS4115

MOSFET N-CH 150V 99A D2PAK

International Rectifier

2313 1.00
- +

Добавить

Расследования

Bulk HEXFET® Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 99A (Tc) 10V 12.1mOhm @ 62A, 10V 5V @ 250µA 120 nC @ 10 V ±20V 5270 pF @ 50 V - 375W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount
PSMN4R4-30MLC,115

Таблицы данных

PSMN4R4-30MLC,115

PSMN4R4-30MLC,115

NOW NEXPERIA PSMN4R4-30MLC - 70A

NXP USA Inc.

2904 1.00
- +

Добавить

Расследования

Bulk - Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 70A (Tc) 4.5V, 10V 4.65mOhm @ 25A, 10V 2.15V @ 1mA 23 nC @ 10 V ±20V 1515 pF @ 15 V - 69W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount
IPP086N10N3G

Таблицы данных

IPP086N10N3G

IPP086N10N3G

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8

Infineon Technologies

3584 1.00
- +

Добавить

Расследования

Bulk * Active - - - - - - - - - - - - - -
MTD3055V

Таблицы данных

MTD3055V

MTD3055V

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1

Fairchild Semiconductor

3206 1.00
- +

Добавить

Расследования

Bulk - Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 12A (Ta) 10V 150mOhm @ 6A, 10V 4V @ 250µA 17 nC @ 10 V ±20V 500 pF @ 25 V - 3.9W (Ta), 48W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount
IPP65R065C7

Таблицы данных

IPP65R065C7

IPP65R065C7

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3

Infineon Technologies

3277 1.00
- +

Добавить

Расследования

Bulk CoolMOS™ Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 33A (Tc) 10V 65mOhm @ 17.1A, 10V 4V @ 850µA 64 nC @ 10 V ±20V 3020 pF @ 400 V - 171W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole
FDBL0120N40

Таблицы данных

FDBL0120N40

FDBL0120N40

MOSFET N-CH 40V 240A 8HPSOF

Fairchild Semiconductor

2767 1.00
- +

Добавить

Расследования

Bulk PowerTrench® Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 240A (Tc) 10V 1.2mOhm @ 80A, 10V 4V @ 250µA 107 nC @ 10 V ±20V 7735 pF @ 25 V - 300W (Tj) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount
Total 42442 Records«Prev1... 12611262126312641265126612671268...2123Next»
Запрос котировок
Номер запчасти
А
Связь
Электронная почта
Компания
Замечания
  • Домой

    Домой

    Продукты

    Продукты

    Телефон

    Телефон

    Связь

    Связь