Таблицы данных Фотографии Производитель. Часть # Акции Цены А Packaging Series ProductStatus FETType Technology DraintoSourceVoltage(Vdss) Current-ContinuousDrain(Id)@25°C DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) RdsOn(Max)@IdVgs Vgs(th)(Max)@Id GateCharge(Qg)(Max)@Vgs Vgs(Max) InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds FETFeature PowerDissipation(Max) OperatingTemperature MountingType
AUIRFR8401TRL

Таблицы данных

AUIRFR8401TRL

AUIRFR8401TRL

MOSFET N-CH 40V 100A DPAK

International Rectifier

3469 1.00
- +

Добавить

Расследования

Bulk Automotive, AEC-Q101, HEXFET® Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 100A (Tc) 10V 4.25mOhm @ 60A, 10V 3.9V @ 50µA 63 nC @ 10 V ±20V 2200 pF @ 25 V - 79W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount
AUIRF7805Q

Таблицы данных

AUIRF7805Q

AUIRF7805Q

MOSFET N-CH 30V 13A 8SO

International Rectifier

2027 1.00
- +

Добавить

Расследования

Bulk HEXFET® Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 13A (Ta) 4.5V 11mOhm @ 7A, 4.5V 3V @ 250µA 31 nC @ 5 V ±12V - - 2.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount
AUIRFS4127TRL

Таблицы данных

AUIRFS4127TRL

AUIRFS4127TRL

MOSFET N-CH 200V 72A D2PAK

International Rectifier

3731 1.00
- +

Добавить

Расследования

Bulk Automotive, AEC-Q101, HEXFET® Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 72A (Tc) 10V 22mOhm @ 44A, 10V 5V @ 250µA 150 nC @ 10 V ±20V 5380 pF @ 50 V - 375W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount
BUK7Y15-100EX

Таблицы данных

BUK7Y15-100EX

BUK7Y15-100EX

MOSFET N-CH 100V 68A LFPAK56

NXP USA Inc.

2571 1.00
- +

Добавить

Расследования

Bulk TrenchMOS™ Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 68A (Tc) 10V 15mOhm @ 20A, 10V 4V @ 1mA 54.5 nC @ 10 V ±20V 3958 pF @ 25 V - 195W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount
IRFR3710ZTRLPBF

Таблицы данных

IRFR3710ZTRLPBF

IRFR3710ZTRLPBF

IRFR3710 - 12V-300V N-CHANNEL PO

International Rectifier

3664 1.00
- +

Добавить

Расследования

Bulk HEXFET® Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 42A (Tc) 10V 18mOhm @ 33A, 10V 4V @ 250µA 100 nC @ 10 V ±20V 2930 pF @ 25 V - 140W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount
FDS3692

Таблицы данных

FDS3692

FDS3692

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4

Fairchild Semiconductor

2606 1.00
- +

Добавить

Расследования

Bulk PowerTrench® Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 4.5A (Ta) 6V, 10V 60mOhm @ 4.5A, 10V 4V @ 250µA 15 nC @ 10 V ±20V 746 pF @ 25 V - 2.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount
IRFS7762TRLPBF

Таблицы данных

IRFS7762TRLPBF

IRFS7762TRLPBF

MOSFET N-CH 75V 85A D2PAK

International Rectifier

2040 1.00
- +

Добавить

Расследования

Bulk HEXFET®, StrongIRFET™ Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75 V 85A (Tc) 6V, 10V 6.7mOhm @ 51A, 10V 3.7V @ 100µA 130 nC @ 10 V ±20V 4440 pF @ 25 V - 140W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount
FDBL86563-F085

Таблицы данных

FDBL86563-F085

FDBL86563-F085

MOSFET N-CH 60V 240A 8HPSOF

Fairchild Semiconductor

2380 1.00
- +

Добавить

Расследования

Bulk Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 240A (Tc) 10V 1.5mOhm @ 80A, 10V 4V @ 250µA 169 nC @ 10 V ±20V 10300 pF @ 30 V - 357W (Tj) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount
FDS3580

Таблицы данных

FDS3580

FDS3580

SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI

Fairchild Semiconductor

3780 1.00
- +

Добавить

Расследования

Bulk PowerTrench® Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 7.6A (Ta) 6V, 10V 29mOhm @ 7.6A, 10V 4V @ 250µA 46 nC @ 10 V ±20V 1800 pF @ 25 V - 2.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount
FQNL2N50BTA

Таблицы данных

FQNL2N50BTA

FQNL2N50BTA

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 0

Fairchild Semiconductor

3761 1.00
- +

Добавить

Расследования

Bulk QFET® Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 350mA (Tc) 10V 5.3Ohm @ 175mA, 10V 3.7V @ 250µA 8 nC @ 10 V ±30V 230 pF @ 25 V - 1.5W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole
IRF253

Таблицы данных

IRF253

IRF253

MOSFET N-CH 150V 25A TO204AE

International Rectifier

3466 1.00
- +

Добавить

Расследования

Bulk - Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 25A - - - - - - - 150W - Through Hole
IRFS4321PBF

Таблицы данных

IRFS4321PBF

IRFS4321PBF

MOSFET N-CH 150V 85A D2PAK

International Rectifier

2048 1.00
- +

Добавить

Расследования

Bulk HEXFET® Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 85A (Tc) 10V 15mOhm @ 33A, 10V 5V @ 250µA 110 nC @ 10 V ±30V 4460 pF @ 25 V - 350W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount
IRF3205STRLPBF

Таблицы данных

IRF3205STRLPBF

IRF3205STRLPBF

IRF3205 - 12V-300V N-CHANNEL POW

International Rectifier

3840 1.00
- +

Добавить

Расследования

Bulk HEXFET® Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 110A (Tc) 10V 8mOhm @ 62A, 10V 4V @ 250µA 146 nC @ 10 V ±20V 3247 pF @ 25 V - 200W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount
FDB016N04AL7

Таблицы данных

FDB016N04AL7

FDB016N04AL7

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1

Fairchild Semiconductor

3056 1.00
- +

Добавить

Расследования

Bulk PowerTrench® Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 160A (Tc) 10V 1.6mOhm @ 80A, 10V 3V @ 250µA 167 nC @ 10 V ±20V 11600 pF @ 25 V - 283W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount
IRLB4132PBF

Таблицы данных

IRLB4132PBF

IRLB4132PBF

IRLB4132 - 12V-300V N-CHANNEL PO

International Rectifier

3761 1.00
- +

Добавить

Расследования

Bulk HEXFET® Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 78A (Tc) 4.5V, 10V 3.5mOhm @ 40A, 10V 2.35V @ 100µA 54 nC @ 4.5 V ±20V 5110 pF @ 15 V - 140W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole
AUIRF2903ZS

Таблицы данных

AUIRF2903ZS

AUIRF2903ZS

MOSFET N-CH 30V 160A D2PAK

International Rectifier

3636 1.00
- +

Добавить

Расследования

Bulk HEXFET® Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 160A (Tc) 10V 2.4mOhm @ 75A, 10V 4V @ 150µA 240 nC @ 10 V ±20V 6320 pF @ 25 V - 231W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount
IRFBA1405PPBF

Таблицы данных

IRFBA1405PPBF

IRFBA1405PPBF

MOSFET N-CH 55V 174A SUPER-220

International Rectifier

2897 1.00
- +

Добавить

Расследования

Bulk HEXFET® Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 174A (Tc) 10V 5mOhm @ 101A, 10V 4V @ 250µA 260 nC @ 10 V ±20V 5480 pF @ 25 V - 330W (Tc) -40°C ~ 175°C (TJ) Through Hole
IRFH5053TRPBF

Таблицы данных

IRFH5053TRPBF

IRFH5053TRPBF

IRFH5053 - 12V-300V N-CHANNEL PO

International Rectifier

3577 1.00
- +

Добавить

Расследования

Bulk HEXFET® Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 9.3A (Ta), 46A (Tc) 10V 18mOhm @ 9.3A, 10V 4.9V @ 100µA 36 nC @ 10 V ±20V 1510 pF @ 50 V - 3.1W (Ta), 8.3W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount
IRF7607TRPBF

Таблицы данных

IRF7607TRPBF

IRF7607TRPBF

IRF7607 - 12V-300V N-CHANNEL POW

International Rectifier

3196 1.00
- +

Добавить

Расследования

Bulk HEXFET® Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 6.5A (Ta) 2.5V, 4.5V 30mOhm @ 6.5A, 4.5V 1.2V @ 250µA 22 nC @ 5 V ±12V 1310 pF @ 15 V - 1.8W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount
IRF7809AVTRPBF-1

Таблицы данных

IRF7809AVTRPBF-1

IRF7809AVTRPBF-1

MOSFET N-CH 30V 13.3A 8SO

International Rectifier

3248 1.00
- +

Добавить

Расследования

Bulk HEXFET® Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 13.3A (Ta) 4.5V 9mOhm @ 15A, 4.5V 1V @ 250µA 62 nC @ 5 V ±12V 3780 pF @ 16 V - 2.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount
Total 42442 Records«Prev1... 12581259126012611262126312641265...2123Next»
Запрос котировок
Номер запчасти
А
Связь
Электронная почта
Компания
Замечания
  • Домой

    Домой

    Продукты

    Продукты

    Телефон

    Телефон

    Связь

    Связь