Таблицы данных Фотографии Производитель. Часть # Акции Цены А Packaging Series ProductStatus FETType Technology DraintoSourceVoltage(Vdss) Current-ContinuousDrain(Id)@25°C DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) RdsOn(Max)@IdVgs Vgs(th)(Max)@Id GateCharge(Qg)(Max)@Vgs Vgs(Max) InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds FETFeature PowerDissipation(Max) OperatingTemperature MountingType
BUK7Y6R0-60EX

Таблицы данных

BUK7Y6R0-60EX

BUK7Y6R0-60EX

TRANSISTOR >30MHZ

NXP USA Inc.

2483 1.00
- +

Добавить

Расследования

Bulk TrenchMOS™ Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 100A (Tc) 10V 6mOhm @ 25A, 10V 4V @ 1mA 45.4 nC @ 10 V ±20V 4021 pF @ 25 V - 195W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount
FCPF290N80

Таблицы данных

FCPF290N80

FCPF290N80

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1

Fairchild Semiconductor

2356 1.00
- +

Добавить

Расследования

Bulk PowerTrench® Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 17A (Tc) 10V 290mOhm @ 8.5A, 10V 4.5V @ 1.7mA 75 nC @ 10 V ±20V 3205 pF @ 100 V - 40W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole
FDMS7692A

Таблицы данных

FDMS7692A

FDMS7692A

MOSFET N-CH 30V 13.5A/28A 8PQFN

Fairchild Semiconductor

2331 1.00
- +

Добавить

Расследования

Bulk PowerTrench® Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 13.5A (Ta), 28A (Tc) 4.5V, 10V 8mOhm @ 13A, 10V 3V @ 250µA 22 nC @ 10 V ±20V 1350 pF @ 15 V - 2.5W (Ta), 27W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount
BSC080N03MSG

Таблицы данных

BSC080N03MSG

BSC080N03MSG

BSC080N03 - 12V-300V N-CHANNEL P

Infineon Technologies

2587 1.00
- +

Добавить

Расследования

Bulk * Active - - - - - - - - - - - - - -
FDMS8880

Таблицы данных

FDMS8880

FDMS8880

MOSFET N-CH 30V 13.5A/21A 8PQFN

Fairchild Semiconductor

3943 1.00
- +

Добавить

Расследования

Bulk PowerTrench® Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 13.5A (Ta), 21A (Tc) 4.5V, 10V 8.5mOhm @ 13.5A, 10V 2.5V @ 250µA 33 nC @ 10 V ±20V 1585 pF @ 15 V - 2.5W (Ta), 42W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount
AUIRFP2907Z AUIRFP2907Z

AUIRFP2907Z

MOSFET N-CH 75V 170A TO247AC

International Rectifier

3953 1.00
- +

Добавить

Расследования

Bulk HEXFET® Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75 V 170A (Tc) 10V 4.5mOhm @ 90A, 10V 4V @ 250µA 270 nC @ 10 V ±20V 7500 pF @ 25 V - 310W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole
AUIRFP4110

Таблицы данных

AUIRFP4110

AUIRFP4110

MOSFET N-CH 100V 120A TO247AC

International Rectifier

3936 0.00
- +

Добавить

Расследования

Bulk HEXFET® Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 120A (Tc) 10V 4.5mOhm @ 75A, 10V 4V @ 250µA 210 nC @ 10 V ±20V 9620 pF @ 50 V - 370W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole
IPW60R070P6

Таблицы данных

IPW60R070P6

IPW60R070P6

600V, 0.07OHM, N-CHANNEL MOSFET

Infineon Technologies

3821 0.00
- +

Добавить

Расследования

Bulk CoolMOS™ Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 53.5A (Tc) 10V 70mOhm @ 20.6A, 10V 4.5V @ 1.72mA 100 nC @ 10 V ±20V 4750 pF @ 100 V - 391W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
IPW60R330P6 IPW60R330P6

IPW60R330P6

IPW60R330 - 600V COOLMOS N-CHANN

Infineon Technologies

3297 1.00
- +

Добавить

Расследования

Bulk * Active - - - - - - - - - - - - - -
2N7002

Таблицы данных

2N7002

2N7002

SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI

Fairchild Semiconductor

3022 1.00
- +

Добавить

Расследования

Bulk - Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 115mA (Tc) 5V, 10V 7.5Ohm @ 50mA, 5V - - ±20V 50 pF @ 25 V - 200mW (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount
IRFB4615PBF

Таблицы данных

IRFB4615PBF

IRFB4615PBF

IRFB4615 - 12V-300V N-CHANNEL PO

International Rectifier

3218 1.00
- +

Добавить

Расследования

Bulk HEXFET® Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 35A (Tc) 10V 39mOhm @ 21A, 10V 5V @ 100µA 26 nC @ 10 V ±20V 1750 pF @ 50 V - 144W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole
IRFB4510PBF

Таблицы данных

IRFB4510PBF

IRFB4510PBF

IRFB4510 - 12V-300V N-CHANNEL PO

International Rectifier

3024 1.00
- +

Добавить

Расследования

Bulk HEXFET® Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 62A (Tc) 10V 13.5mOhm @ 37A, 10V 4V @ 100µA 87 nC @ 10 V ±20V 3180 pF @ 50 V - 140W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole
FDB2532

Таблицы данных

FDB2532

FDB2532

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8

Fairchild Semiconductor

3468 1.00
- +

Добавить

Расследования

Bulk PowerTrench® Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 8A (Ta), 79A (Tc) 6V, 10V 16mOhm @ 33A, 10V 4V @ 250µA 107 nC @ 10 V ±20V 5870 pF @ 25 V - 310W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount
IRFF333

Таблицы данных

IRFF333

IRFF333

3A, 350V, 1.5OHM, N-CHANNEL POWE

International Rectifier

2266 1.00
- +

Добавить

Расследования

Bulk * Active - - - - - - - - - - - - - -
FDD6685

Таблицы данных

FDD6685

FDD6685

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1

Fairchild Semiconductor

2926 1.00
- +

Добавить

Расследования

Bulk PowerTrench® Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 11A (Ta), 40A (Tc) 4.5V, 10V 20mOhm @ 11A, 10V 3V @ 250µA 24 nC @ 5 V ±25V 1715 pF @ 15 V - 1.6W (Ta) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount
IRFP4368PBF

Таблицы данных

IRFP4368PBF

IRFP4368PBF

IRFP4368 - 12V-300V N-CHANNEL PO

International Rectifier

3833 1.00
- +

Добавить

Расследования

Bulk HEXFET® Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75 V 195A (Tc) 10V 1.85mOhm @ 195A, 10V 4V @ 250µA 570 nC @ 10 V ±20V 19230 pF @ 50 V - 520W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole
FDG328P

Таблицы данных

FDG328P

FDG328P

MOSFET P-CH 20V 1.5A SC88

Fairchild Semiconductor

2385 1.00
- +

Добавить

Расследования

Bulk PowerTrench® Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 1.5A (Ta) 2.5V, 4.5V 145mOhm @ 1.5A, 4.5V 1.5V @ 250µA 6 nC @ 4.5 V ±12V 337 pF @ 10 V - 750mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount
BUK753R1-40E,127

Таблицы данных

BUK753R1-40E,127

BUK753R1-40E,127

NOW NEXPERIA BUK753R1-40E - 100A

Nexperia USA Inc.

2428 1.00
- +

Добавить

Расследования

Bulk Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 100A (Tc) 10V 3.1mOhm @ 25A, 10V 4V @ 1mA 79 nC @ 10 V ±20V 6200 pF @ 25 V - 234W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole
BUK769R6-80E,118

Таблицы данных

BUK769R6-80E,118

BUK769R6-80E,118

MOSFET N-CH 80V 75A D2PAK

NXP USA Inc.

2983 1.00
- +

Добавить

Расследования

Bulk Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 75A (Tc) 10V 9.6mOhm @ 20A, 10V 4V @ 1mA 59.8 nC @ 10 V ±20V 4682 pF @ 25 V - 182W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount
IPD50R800CE

Таблицы данных

IPD50R800CE

IPD50R800CE

IPD50R800 - 500V COOLMOS N-CHANN

Infineon Technologies

3630 1.00
- +

Добавить

Расследования

Bulk * Active - - - - - - - - - - - - - -
Total 42442 Records«Prev1... 12491250125112521253125412551256...2123Next»
Запрос котировок
Номер запчасти
А
Связь
Электронная почта
Компания
Замечания
  • Домой

    Домой

    Продукты

    Продукты

    Телефон

    Телефон

    Связь

    Связь