Таблицы данных Фотографии Производитель. Часть # Акции Цены А Packaging Series ProductStatus FETType Technology DraintoSourceVoltage(Vdss) Current-ContinuousDrain(Id)@25°C DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) RdsOn(Max)@IdVgs Vgs(th)(Max)@Id GateCharge(Qg)(Max)@Vgs Vgs(Max) InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds FETFeature PowerDissipation(Max) OperatingTemperature MountingType
BUK7S2R5-40HJ

Таблицы данных

BUK7S2R5-40HJ

BUK7S2R5-40HJ

BUK7S2R5-40H/SOT1235/LFPAK88

Nexperia USA Inc.

3670 2.34
- +

Добавить

Расследования

Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT),Digi-Reel® - Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 140A (Ta) 10V 2.51mOhm @ 25A, 10V 3.6V @ 1mA 54 nC @ 10 V +20V, -10V 3793 pF @ 25 V - 135W (Ta) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount
FDZ595PZ FDZ595PZ

FDZ595PZ

FDZ595PZ

Fairchild Semiconductor

3192 1.00
- +

Добавить

Расследования

Bulk * Active - - - - - - - - - - - - - -
RSS060P05HZGTB

Таблицы данных

RSS060P05HZGTB

RSS060P05HZGTB

PCH -45V -6A POWER MOSFET: RSS06

Rohm Semiconductor

2951 2.35
- +

Добавить

Расследования

Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT),Digi-Reel® - Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 45 V 6A (Ta) 4V, 10V 36mOhm @ 6A, 10V 2.5V @ 1mA 32.2 nC @ 5 V ±20V 2700 pF @ 10 V - 1.4W (Ta) 150°C (TJ) Surface Mount
IRF6201PBF

Таблицы данных

IRF6201PBF

IRF6201PBF

HEXFET POWER MOSFET

International Rectifier

3178 1.00
- +

Добавить

Расследования

Bulk HEXFET® Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 27A (Ta) 2.5V, 4.5V 2.45mOhm @ 27A, 4.5V 1.1V @ 100µA 195 nC @ 4.5 V ±12V 8555 pF @ 16 V - 2.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount
BUK9107-40ATC,118

Таблицы данных

BUK9107-40ATC,118

BUK9107-40ATC,118

BUK9107-40ATC - D2PAK

NXP USA Inc.

3038 1.00
- +

Добавить

Расследования

Bulk TrenchMOS™ Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 75A (Tc) 4.5V, 10V 6.2mOhm @ 50A, 10V 2V @ 1mA - ±15V 5836 pF @ 25 V Temperature Sensing Diode 272W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount
SQJ461EP-T2_GE3

Таблицы данных

SQJ461EP-T2_GE3

SQJ461EP-T2_GE3

P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

Vishay Siliconix

3656 2.14
- +

Добавить

Расследования

Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT),Digi-Reel® - Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 30A (Tc) 4.5V, 10V 16mOhm @ 14.4A, 10V 2.5V @ 250µA 140 nC @ 10 V ±20V 4710 pF @ 30 V - 83W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount
FDG313N

Таблицы данных

FDG313N

FDG313N

0.95A, 25V, N-CHANNEL, MOSFET

Fairchild Semiconductor

3167 1.00
- +

Добавить

Расследования

Bulk - Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 25 V 950mA (Ta) 2.7V, 4.5V 450mOhm @ 500mA, 4.5V 1.5V @ 250µA 2.3 nC @ 4.5 V ±8V 50 pF @ 10 V - 750mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount
IRF610

Таблицы данных

IRF610

IRF610

3.3A 200V 1.500 OHM N-CHANNEL

Harris Corporation

2865 1.00
- +

Добавить

Расследования

Bulk - Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 3.3A (Tc) 10V 1.5Ohm @ 2A, 10V 4V @ 250µA 8.2 nC @ 10 V ±20V 140 pF @ 25 V - 36W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole
FDS6921A FDS6921A

FDS6921A

FDS6921A

Fairchild Semiconductor

2824 1.00
- +

Добавить

Расследования

Bulk * Active - - - - - - - - - - - - - -
IRF1404STRRPBF IRF1404STRRPBF

IRF1404STRRPBF

HEXFET POWER MOSFET

International Rectifier

3527 1.00
- +

Добавить

Расследования

Bulk HEXFET® Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 162A (Tc) 10V 4mOhm @ 95A, 10V 4V @ 250µA 200 nC @ 10 V ±20V 7360 pF @ 25 V - 3.8W (Ta), 200W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount
BUK9660-100A

Таблицы данных

BUK9660-100A

BUK9660-100A

PFET, 26A I(D), 100V, 0.067OHM

Nexperia USA Inc.

3160 0.00
- +

Добавить

Расследования

Bulk Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 26A (Tc) 4.5V, 10V 58mOhm @ 15A, 10V 2V @ 1mA - ±10V 1924 pF @ 25 V - 106W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
FDMS8558SDC

Таблицы данных

FDMS8558SDC

FDMS8558SDC

MOSFET N-CH 25V 38A/90A 8PQFN

Fairchild Semiconductor

3222 1.00
- +

Добавить

Расследования

Bulk PowerTrench®, SyncFET™ Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 25 V 38A (Ta), 90A (Tc) - 1.5mOhm @ 38A, 10V 2.2V @ 1mA 81 nC @ 10 V ±12V 5118 pF @ 13 V - 3.3W (Ta), 89W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount
BUZ30AH

Таблицы данных

BUZ30AH

BUZ30AH

MOSFET N-CH 200V 21A TO220-3

Infineon Technologies

2630 1.00
- +

Добавить

Расследования

Bulk SIPMOS® Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 21A (Tc) - 130mOhm @ 13.5A, 10V 4V @ 1mA - ±20V 1900 pF @ 25 V - 125W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole
STK130N4LF7AG

Таблицы данных

STK130N4LF7AG

STK130N4LF7AG

AUTOMOTIVE-GRADE N-CHANNEL 40 V

STMicroelectronics

3483 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT),Digi-Reel® Automotive, AEC-Q101 Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 100A (Tc) 4.5V, 10V 3mOhm @ 50A, 10V 2.5V @ 250µA 26 nC @ 10 V ±20V 1850 pF @ 25 V - 105W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
FDMS3006SDC

Таблицы данных

FDMS3006SDC

FDMS3006SDC

34A, 30V, 0.0019OHM, N-CHANNEL

Fairchild Semiconductor

3524 0.00
- +

Добавить

Расследования

Bulk Dual Cool™, PowerTrench®, SyncFET™ Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 34A (Ta) 4.5V, 10V 1.9mOhm @ 30A, 10V 3V @ 1mA 80 nC @ 10 V ±20V 5725 pF @ 15 V - 3.3W (Ta), 89W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
FDN371N FDN371N

FDN371N

2.5A, 20V, 1-ELEMENT, N-CHANNEL

Fairchild Semiconductor

3171 0.00
- +

Добавить

Расследования

Bulk PowerTrench® Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 2.5A (Ta) 2.5V, 4.5V 50mOhm @ 2.5A, 4.5V 1.5V @ 250µA 10.7 nC @ 4.5 V ±12V 815 pF @ 10 V - 500mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ)
IRF3315SPBF

Таблицы данных

IRF3315SPBF

IRF3315SPBF

HEXFET POWER MOSFET

International Rectifier

3282 1.00
- +

Добавить

Расследования

Bulk HEXFET® Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 21A (Tc) 10V 82mOhm @ 12A, 10V 4V @ 250µA 95 nC @ 10 V ±20V 1300 pF @ 25 V - 3.8W (Ta), 94W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount
ISZ034N06LM5ATMA1

Таблицы данных

ISZ034N06LM5ATMA1

ISZ034N06LM5ATMA1

MOSFET N-CH 60V 19A/112A TSDSON

Infineon Technologies

2897 2.22
- +

Добавить

Расследования

Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT),Digi-Reel® OptiMOS™ 5 Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 19A (Ta), 112A (Tc) 4.5V, 10V 3.4mOhm @ 20A, 10V 2.3V @ 36µA 53 nC @ 10 V ±20V 3500 pF @ 30 V - 2.5W (Ta), 83W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount
IRF3708PBF

Таблицы данных

IRF3708PBF

IRF3708PBF

HEXFET SMPS POWER MOSFET

International Rectifier

2640 1.00
- +

Добавить

Расследования

Bulk HEXFET® Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 62A (Tc) 2.8V, 10V 12mOhm @ 15A, 10V 2V @ 250µA 24 nC @ 4.5 V ±12V 2417 pF @ 15 V - 87W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole
FDS4410A FDS4410A

FDS4410A

SINGLE N CHANNEL, LOGIC-LEVEL, P

Fairchild Semiconductor

2507 1.00
- +

Добавить

Расследования

Bulk PowerTrench® Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 10A (Ta) - 13.5mOhm @ 10A, 10V 3V @ 250µA 16 nC @ 5 V - 1205 pF @ 15 V - - -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount
Total 42442 Records«Prev1... 896897898899900901902903...2123Next»
Запрос котировок
Номер запчасти
А
Связь
Электронная почта
Компания
Замечания
  • Домой

    Домой

    Продукты

    Продукты

    Телефон

    Телефон

    Связь

    Связь