Грузовой вагон ( )| Таблицы данных | Фотографии | Производитель. Часть # | Акции | Цены | А | Packaging | Series | ProductStatus | FETType | Technology | DraintoSourceVoltage(Vdss) | Current-ContinuousDrain(Id)@25°C | DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) | RdsOn(Max)@IdVgs | Vgs(th)(Max)@Id | GateCharge(Qg)(Max)@Vgs | Vgs(Max) | InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds | FETFeature | PowerDissipation(Max) | OperatingTemperature | MountingType |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Таблицы данных |
|
SPD15P10P GP-CHANNEL POWER MOSFET |
3595 | 1.00 |
ДобавитьРасследования |
Bulk | * | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
|
Таблицы данных |
|
PSMN1R5-30BLE118N-CHANNEL POWER MOSFET |
2939 | 1.00 |
ДобавитьРасследования |
Bulk | * | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
|
Таблицы данных |
|
PSMN035-150PN-CHANNEL POWER MOSFET |
3911 | 1.00 |
ДобавитьРасследования |
Bulk | * | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
|
Таблицы данных |
|
PSMN165-200K518SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET |
2738 | 1.00 |
ДобавитьРасследования |
Bulk | TrenchMOS™ | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 200 V | 2.9A (Tc) | 10V | 165mOhm @ 2.5A, 10V | 4V @ 1mA | 40 nC @ 10 V | ±20V | 1330 pF @ 25 V | - | 3.5W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount |
|
Таблицы данных |
|
PSMN2R4-30MLD115N-CHANNEL POWER MOSFET |
3958 | 1.00 |
ДобавитьРасследования |
Bulk | * | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
|
Таблицы данных |
|
PSMN2R5-60PL127N-CHANNEL POWER MOSFET |
3575 | 1.00 |
ДобавитьРасследования |
Bulk | * | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
|
Таблицы данных |
|
SPP08P06PXKP-CHANNEL POWER MOSFET |
2001 | 1.00 |
ДобавитьРасследования |
Bulk | * | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
|
Таблицы данных |
|
SPU21N05LN-CHANNEL POWER MOSFET |
3281 | 1.00 |
ДобавитьРасследования |
Bulk | * | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
|
Таблицы данных |
|
RJK5033DPD-00#J2MOSFET N-CH 500V 6A MP3A |
2400 | 1.04 |
ДобавитьРасследования |
Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT),Digi-Reel® | - | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 500 V | 6A (Ta) | 10V | 1.3Ohm @ 3A, 10V | - | - | ±30V | 600 pF @ 25 V | - | 65W (Tc) | 150°C (TJ) | Surface Mount |
|
Таблицы данных |
|
RQJ0201UGDQA#H1P-CHANNEL MOSFET |
2158 | 1.00 |
ДобавитьРасследования |
Bulk | * | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
|
Таблицы данных |
|
SPU07N60S5INN-CHANNEL POWER MOSFET |
3589 | 1.00 |
ДобавитьРасследования |
Bulk | - | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
|
Таблицы данных |
|
SPW12N50C3INN-CHANNEL POWER MOSFET |
3473 | 1.00 |
ДобавитьРасследования |
Bulk | CoolMOS™ | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 500 V | 11.6A (Tc) | 10V | 380mOhm @ 7A, 10V | 3.9V @ 500µA | 49 nC @ 10 V | ±20V | 1200 pF @ 25 V | - | 125W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Through Hole |
| |
|
RQK0603CGDQSWS-EN CH MOS FET POWER SWITCHING |
2595 | 1.00 |
ДобавитьРасследования |
Bulk | * | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
|
Таблицы данных |
|
2SJ205-AZP-CHANNEL SMALL SIGNAL MOSFET |
2559 | 1.00 |
ДобавитьРасследования |
Bulk | * | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
|
Таблицы данных |
|
IPI126N10N3GN-CHANNEL POWER MOSFET |
3011 | 1.00 |
ДобавитьРасследования |
Bulk | OptiMOS™ | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 100 V | 58A (Tc) | 6V, 10V | 12.6mOhm @ 46A, 10V | 3.5V @ 46µA | 35 nC @ 10 V | ±20V | 2500 pF @ 50 V | - | 94W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Through Hole |
|
Таблицы данных |
|
2SJ278MYTRP-CHANNEL POWER MOSFET |
3374 | 1.00 |
ДобавитьРасследования |
Bulk | * | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
| |
|
BSZ049N03LSCGATMA1N-CHANNEL POWER MOSFET |
3841 | 1.00 |
ДобавитьРасследования |
Bulk | * | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
|
Таблицы данных |
|
3LN01SS-TL-EN-CHANNEL SILICON MOSFET |
3080 | 1.00 |
ДобавитьРасследования |
Bulk | - | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 150mA (Ta) | 1.5V, 4V | 3.7Ohm @ 80mA, 4V | - | 1.58 nC @ 10 V | ±10V | 7000 pF @ 10 V | - | 150mW (Ta) | 150°C (TJ) | Surface Mount |
| |
|
RM20N650TIMOSFET N-CHANNEL 650V 20A TO220F |
3877 | 1.04 |
ДобавитьРасследования |
Tube | - | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 650 V | 20A (Tc) | 10V | 210mOhm @ 10A, 10V | 5V @ 250µA | - | ±30V | 2600 pF @ 50 V | - | 33W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Through Hole |
| |
|
RM20N650T2MOSFET N-CH 650V 20A TO220-3 |
2145 | 1.04 |
ДобавитьРасследования |
Tube | - | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 650 V | 20A (Tc) | 10V | 210mOhm @ 10A, 10V | 5V @ 250µA | - | ±30V | 2600 pF @ 50 V | - | 180W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Through Hole |
Запрос котировок
