Таблицы данных Фотографии Производитель. Часть # Акции Цены А Packaging Series ProductStatus FETType Technology DraintoSourceVoltage(Vdss) Current-ContinuousDrain(Id)@25°C DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) RdsOn(Max)@IdVgs Vgs(th)(Max)@Id GateCharge(Qg)(Max)@Vgs Vgs(Max) InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds FETFeature PowerDissipation(Max) OperatingTemperature MountingType
IXFK160N30T

Таблицы данных

IXFK160N30T

IXFK160N30T

MOSFET N-CH 300V 160A TO264AA

IXYS

2350 19.74
- +

Добавить

Расследования

Tube HiPerFET™, Trench Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 300 V 160A (Tc) 10V 19mOhm @ 60A, 10V 5V @ 8mA 335 nC @ 10 V ±20V 28000 pF @ 25 V - 1390W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole
IXTH2N170D2

Таблицы данных

IXTH2N170D2

IXTH2N170D2

MOSFET N-CH 1700V 2A TO247

IXYS

2549 20.12
- +

Добавить

Расследования

Tube Depletion Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1700 V 2A (Tj) 0V 6.5Ohm @ 1A, 0V - 110 nC @ 5 V ±20V 3650 pF @ 10 V Depletion Mode 568W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole
IXFR64N60P

Таблицы данных

IXFR64N60P

IXFR64N60P

MOSFET N-CH 600V 36A ISOPLUS247

IXYS

3695 20.19
- +

Добавить

Расследования

Tube HiPerFET™, Polar Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 36A (Tc) 10V 105mOhm @ 32A, 10V 5V @ 8mA 200 nC @ 10 V ±30V 12000 pF @ 25 V - 320W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole
IXTT68P20T

Таблицы данных

IXTT68P20T

IXTT68P20T

MOSFET P-CH 200V 68A TO268

IXYS

2829 20.25
- +

Добавить

Расследования

Tube TrenchP™ Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 68A (Tc) 10V 55mOhm @ 34A, 10V 4V @ 250µA 380 nC @ 10 V ±15V 33400 pF @ 25 V - 568W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount
IXFX420N10T

Таблицы данных

IXFX420N10T

IXFX420N10T

MOSFET N-CH 100V 420A PLUS247-3

IXYS

3058 20.38
- +

Добавить

Расследования

Tube HiPerFET™, Trench Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 420A (Tc) 10V 2.6mOhm @ 60A, 10V 5V @ 8mA 670 nC @ 10 V ±20V 47000 pF @ 25 V - 1670W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole
IMW65R072M1HXKSA1 IMW65R072M1HXKSA1

IMW65R072M1HXKSA1

MOSFET 650V NCH SIC TRENCH

Infineon Technologies

480 13.91
- +

Добавить

Расследования

Tube - Active - - - 26A (Tc) - - - - - - - - - -
IXFH40N50Q

Таблицы данных

IXFH40N50Q

IXFH40N50Q

MOSFET N-CH 500V 40A TO247AD

IXYS

2010 20.83
- +

Добавить

Расследования

Tube HiPerFET™, Q Class Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 40A (Tc) 10V 140mOhm @ 500mA, 10V 4.5V @ 4mA 130 nC @ 10 V ±30V 3800 pF @ 25 V - 500W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole
IXFK170N25X3

Таблицы данных

IXFK170N25X3

IXFK170N25X3

MOSFET N-CH 250V 170A TO264

IXYS

2806 20.99
- +

Добавить

Расследования

Tube HiPerFET™, Ultra X3 Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 250 V 170A (Tc) 10V 7.4mOhm @ 85A, 10V 4.5V @ 4mA 190 nC @ 10 V ±20V 13500 pF @ 25 V - 960W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole
FCA76N60N

Таблицы данных

FCA76N60N

FCA76N60N

MOSFET N-CH 600V 76A TO3PN

onsemi

1352 21.24
- +

Добавить

Расследования

Tube,Tube SupreMOS™ Last Time Buy N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 76A (Tc) 10V 36mOhm @ 38A, 10V 4V @ 250µA 285 nC @ 10 V ±30V 12385 pF @ 100 V - 543W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole
IXTH7P50

Таблицы данных

IXTH7P50

IXTH7P50

MOSFET P-CH 500V 7A TO247

IXYS

2855 21.27
- +

Добавить

Расследования

Tube - Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 7A (Tc) 10V 1.5Ohm @ 500mA, 10V 5V @ 250µA 130 nC @ 10 V ±20V 3400 pF @ 25 V - 180W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole
IXFH88N30P

Таблицы данных

IXFH88N30P

IXFH88N30P

MOSFET N-CH 300V 88A TO247AD

IXYS

3856 14.56
- +

Добавить

Расследования

Box HiPerFET™, Polar Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 300 V 88A (Tc) 10V 40mOhm @ 44A, 10V 5V @ 4mA 180 nC @ 10 V ±20V 6300 pF @ 25 V - 600W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole
IXFK140N30P

Таблицы данных

IXFK140N30P

IXFK140N30P

MOSFET N-CH 300V 140A TO264AA

IXYS

2714 21.62
- +

Добавить

Расследования

Tube HiPerFET™, Polar Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 300 V 140A (Tc) 10V 24mOhm @ 70A, 10V 5V @ 8mA 185 nC @ 10 V ±20V 14800 pF @ 25 V - 1040W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole
IXFK80N50P

Таблицы данных

IXFK80N50P

IXFK80N50P

MOSFET N-CH 500V 80A TO264AA

IXYS

2002 21.74
- +

Добавить

Расследования

Tube HiPerFET™, Polar Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 80A (Tc) 10V 65mOhm @ 40A, 10V 5V @ 8mA 197 nC @ 10 V ±30V 12700 pF @ 25 V - 1040W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole
NVHL027N65S3F

Таблицы данных

NVHL027N65S3F

NVHL027N65S3F

MOSFET N-CH 650V 75A TO247-3

onsemi

518 21.82
- +

Добавить

Расследования

Tube,Tube Automotive, AEC-Q101, SuperFET® III, FRFET® Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 75A (Tc) 10V 27.4mOhm @ 35A, 10V 5V @ 3mA 227 nC @ 10 V ±30V 7780 pF @ 400 V - 595W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole
IXFX140N30P

Таблицы данных

IXFX140N30P

IXFX140N30P

MOSFET N-CH 300V 140A PLUS247-3

IXYS

3870 21.86
- +

Добавить

Расследования

Tube HiPerFET™, Polar Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 300 V 140A (Tc) 10V 24mOhm @ 70A, 10V 5V @ 8mA 185 nC @ 10 V ±20V 14800 pF @ 25 V - 1040W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole
IXFK150N30X3

Таблицы данных

IXFK150N30X3

IXFK150N30X3

MOSFET N-CH 300V 150A TO264

IXYS

3342 21.86
- +

Добавить

Расследования

Tube HiPerFET™, Ultra X3 Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 300 V 150A (Tc) 10V 8.3mOhm @ 75A, 10V 4.5V @ 4mA 177 nC @ 10 V ±20V 13100 pF @ 25 V - 890W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole
IPW65R037C6FKSA1

Таблицы данных

IPW65R037C6FKSA1

IPW65R037C6FKSA1

MOSFET N-CH 650V 83.2A TO247-3

Infineon Technologies

240 21.99
- +

Добавить

Расследования

Tube CoolMOS™ C6 Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 83.2A (Tc) 10V 37mOhm @ 33.1A, 10V 3.5V @ 3.3mA 330 nC @ 10 V ±20V 7240 pF @ 100 V - 500W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole
IXTH12N100L

Таблицы данных

IXTH12N100L

IXTH12N100L

MOSFET N-CH 1000V 12A TO247

IXYS

3100 22.07
- +

Добавить

Расследования

Tube Linear Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1000 V 12A (Tc) 20V 1.3Ohm @ 500mA, 20V 5V @ 250µA 155 nC @ 20 V ±30V 2500 pF @ 25 V - 400W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole
IXFK32N100X

Таблицы данных

IXFK32N100X

IXFK32N100X

MOSFET N-CH 1000V 32A TO264

IXYS

3474 22.35
- +

Добавить

Расследования

Tube HiPerFET™, Ultra X Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1000 V 32A (Tc) 10V 220mOhm @ 16A, 10V 6V @ 4mA 130 nC @ 10 V ±30V 4075 pF @ 25 V - 890W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole
IXFX94N50P2

Таблицы данных

IXFX94N50P2

IXFX94N50P2

MOSFET N-CH 500V 94A PLUS247-3

IXYS

2070 22.51
- +

Добавить

Расследования

Tube HiPerFET™, PolarP2™ Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 94A (Tc) 10V 55mOhm @ 500mA, 10V 5V @ 8mA 220 nC @ 10 V ±30V 13700 pF @ 25 V - 1300W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole
Total 42442 Records«Prev1... 729730731732733734735736...2123Next»
Запрос котировок
Номер запчасти
А
Связь
Электронная почта
Компания
Замечания
  • Домой

    Домой

    Продукты

    Продукты

    Телефон

    Телефон

    Связь

    Связь