Таблицы данных Фотографии Производитель. Часть # Акции Цены А Packaging Series ProductStatus FETType Technology DraintoSourceVoltage(Vdss) Current-ContinuousDrain(Id)@25°C DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) RdsOn(Max)@IdVgs Vgs(th)(Max)@Id GateCharge(Qg)(Max)@Vgs Vgs(Max) InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds FETFeature PowerDissipation(Max) OperatingTemperature MountingType
IMW120R007M1HXKSA1

Таблицы данных

IMW120R007M1HXKSA1

IMW120R007M1HXKSA1

SIC DISCRETE

Infineon Technologies

3613 97.14
- +

Добавить

Расследования

Tube CoolSiC™ Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 225A (Tc) 15V, 18V 9.9mOhm @ 108A, 18V 5.2V @ 47mA 220 nC @ 18 V +20V, -5V 9170 nF @ 25 V - 750W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole
IMZA120R007M1HXKSA1

Таблицы данных

IMZA120R007M1HXKSA1

IMZA120R007M1HXKSA1

SIC DISCRETE

Infineon Technologies

2054 100.51
- +

Добавить

Расследования

Tube CoolSiC™ Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 225A (Tc) 15V, 18V 9.9mOhm @ 108A, 18V 5.2V @ 47mA 220 nC @ 18 V +20V, -5V 9170 nF @ 25 V - 750W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole
SCT3017ALGC11

Таблицы данных

SCT3017ALGC11

SCT3017ALGC11

650V, 118A, THD, TRENCH-STRUCTUR

Rohm Semiconductor

3433 122.40
- +

Добавить

Расследования

Tube - Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 650 V 118A (Tc) 18V 22.1mOhm @ 47A, 18V 5.6V @ 23.5mA 172 nC @ 18 V +22V, -4V 2884 pF @ 500 V - 427W 175°C (TJ) Through Hole
MSCSM120SKM31CTBL1NG MSCSM120SKM31CTBL1NG

MSCSM120SKM31CTBL1NG

PM-MOSFET-SIC-SBD-BL1

Microchip Technology

3000 125.80
- +

Добавить

Расследования

Bulk - Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 79A 20V 31mOhm @ 40A, 20V 2.8V @ 1mA 232 nC @ 20 V +25V, -10V 3020 pF @ 1000 V - 310W -55°C ~ 175°C (TJ) Chassis Mount
BSM600C12P3G201

Таблицы данных

BSM600C12P3G201

BSM600C12P3G201

SICFET N-CH 1200V 600A MODULE

Rohm Semiconductor

2702 1440.00
- +

Добавить

Расследования

Tray - Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 600A (Tc) - - 5.6V @ 182mA - +22V, -4V 28000 pF @ 10 V - 2460W (Tc) 175°C (TJ) Chassis Mount
JANSR2N7292

Таблицы данных

JANSR2N7292

JANSR2N7292

25A, 100V, 0.070 OHM, RAD HARD

Harris Corporation

2832 1.00
- +

Добавить

Расследования

Bulk - Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 25A (Tc) 10V 70mOhm @ 20A, 10V 5V @ 1mA 552 nC @ 20 V ±20V - - 125W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
NX138AKVL

Таблицы данных

NX138AKVL

NX138AKVL

MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB

Nexperia USA Inc.

2510 0.03
- +

Добавить

Расследования

Tape & Reel (TR) TrenchMOS™ Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 190mA (Ta) 2.5V, 10V 4.5Ohm @ 190mA, 10V 1.5V @ 250µA 1.4 nC @ 10 V ±20V 20 pF @ 30 V - 265mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount
DMN65D8LT-13

Таблицы данных

DMN65D8LT-13

DMN65D8LT-13

MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT523 T&R

Diodes Incorporated

2444 0.03
- +

Добавить

Расследования

Tape & Reel (TR) - Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 210mA (Ta) 5V, 10V 5Ohm @ 115mA, 10V 2V @ 250µA 0.4 nC @ 4.5 V ±20V 24 pF @ 25 V - 300mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount
NX138BKVL

Таблицы данных

NX138BKVL

NX138BKVL

MOSFET N-CH 60V 265MA TO236AB

Nexperia USA Inc.

2691 0.03
- +

Добавить

Расследования

Tape & Reel (TR) TrenchMOS™ Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 265mA (Ta) 2.5V, 10V 3.5Ohm @ 200mA, 10V 1.5V @ 250µA 0.49 nC @ 30 V ±20V 20.2 pF @ 30 V - 310mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount
DMN2310U-13

Таблицы данных

DMN2310U-13

DMN2310U-13

MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 1

Diodes Incorporated

2122 0.03
- +

Добавить

Расследования

Tape & Reel (TR) - Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 1.6A (Ta) 1.8V, 4.5V 175mOhm @ 300mA, 4.5V 950mV @ 250µA 0.7 nC @ 4.5 V ±8V 38 pF @ 10 V - 480mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount
NX7002AKVL

Таблицы данных

NX7002AKVL

NX7002AKVL

MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB

Nexperia USA Inc.

2536 1.00
- +

Добавить

Расследования

Tape & Reel (TR),Bulk TrenchMOS™ Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 190mA (Ta) 5V, 10V 4.5Ohm @ 100mA, 10V 2.1V @ 250µA 0.43 nC @ 4.5 V ±20V 20 pF @ 10 V - 265mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount
DMN65D8LQ-13

Таблицы данных

DMN65D8LQ-13

DMN65D8LQ-13

MOSFET N-CH 60V 310MA SOT23

Diodes Incorporated

2313 0.03
- +

Добавить

Расследования

Tape & Reel (TR) - Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 310mA (Ta) 5V, 10V 3Ohm @ 115mA, 10V 2V @ 250µA 0.87 nC @ 10 V ±20V 22 pF @ 25 V - 370mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount
DMN67D8L-13

Таблицы данных

DMN67D8L-13

DMN67D8L-13

MOSFET N-CH 60V 210MA SOT23

Diodes Incorporated

3959 0.03
- +

Добавить

Расследования

Tape & Reel (TR) - Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 210mA (Ta) 5V, 10V 5Ohm @ 500mA, 10V 2.5V @ 250µA 0.82 nC @ 10 V ±30V 22 pF @ 25 V - 340mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount
DMP610DL-13

Таблицы данных

DMP610DL-13

DMP610DL-13

MOSFET BVDSS: 41V 60V SOT23 T&R

Diodes Incorporated

2854 0.03
- +

Добавить

Расследования

Tape & Reel (TR) * Active - - - - - - - - - - - - - -
NX7002BKVL

Таблицы данных

NX7002BKVL

NX7002BKVL

MOSFET N-CH 60V 270MA TO236AB

Nexperia USA Inc.

2395 0.03
- +

Добавить

Расследования

Tape & Reel (TR) TrenchMOS™ Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 270mA (Ta) 5V, 10V 2.8Ohm @ 200mA, 10V 2.1V @ 250µA 1 nC @ 10 V ±20V 23.6 pF @ 10 V - 310mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount
BSS84AKVL

Таблицы данных

BSS84AKVL

BSS84AKVL

MOSFET P-CH 50V 180MA TO236AB

Nexperia USA Inc.

3413 0.03
- +

Добавить

Расследования

Tape & Reel (TR) Automotive, AEC-Q101 Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 50 V 180mA (Ta) 5V, 10V 7.5Ohm @ 100mA, 10V 2.1V @ 250µA 0.35 nC @ 5 V ±20V 36 pF @ 25 V - 350mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount
NX138BKWF

Таблицы данных

NX138BKWF

NX138BKWF

MOSFET N-CHANNEL 60V 210MA SC70

Nexperia USA Inc.

3879 0.03
- +

Добавить

Расследования

Tape & Reel (TR) - Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 210mA (Ta) 2.5V, 10V 3.5Ohm @ 200mA, 10V 1.5V @ 250µA 0.7 nC @ 10 V ±20V 20 pF @ 30 V - - -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount
DMN63D8L-13

Таблицы данных

DMN63D8L-13

DMN63D8L-13

MOSFET N-CH 30V 350MA SOT23-3

Diodes Incorporated

3158 0.03
- +

Добавить

Расследования

Tape & Reel (TR) - Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 350mA (Ta) 2.5V, 10V 2.8Ohm @ 250mA, 10V 1.5V @ 250µA 0.9 nC @ 10 V ±20V 23.2 pF @ 25 V - 350mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount
DMP510DLW-13

Таблицы данных

DMP510DLW-13

DMP510DLW-13

MOSFET BVDSS: 41V-60V SOT323 T&R

Diodes Incorporated

2151 0.03
- +

Добавить

Расследования

Tape & Reel (TR) * Active - - - - - - - - - - - - - -
DMN65D9L-13

Таблицы данных

DMN65D9L-13

DMN65D9L-13

MOSFET BVDSS: 41V-60V SOT23

Diodes Incorporated

3283 0.03
- +

Добавить

Расследования

Tape & Reel (TR) - Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 335mA (Ta) 4V, 10V 4Ohm @ 500mA, 10V 2.5V @ 250µA 0.4 nC @ 4.5 V ±16V 41 pF @ 25 V - 270mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount
Total 42442 Records«Prev1... 962963964965966967968969...2123Next»
Запрос котировок
Номер запчасти
А
Связь
Электронная почта
Компания
Замечания
  • Домой

    Домой

    Продукты

    Продукты

    Телефон

    Телефон

    Связь

    Связь