Таблицы данных Фотографии Производитель. Часть # Акции Цены А Packaging Series ProductStatus FETType Technology DraintoSourceVoltage(Vdss) Current-ContinuousDrain(Id)@25°C DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) RdsOn(Max)@IdVgs Vgs(th)(Max)@Id GateCharge(Qg)(Max)@Vgs Vgs(Max) InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds FETFeature PowerDissipation(Max) OperatingTemperature MountingType
IXTP52P10P

Таблицы данных

IXTP52P10P

IXTP52P10P

MOSFET P-CH 100V 52A TO220AB

IXYS

3178 6.56
- +

Добавить

Расследования

Tube PolarP™ Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 52A (Tc) 10V 50mOhm @ 52A, 10V 4.5V @ 250µA 60 nC @ 10 V ±20V 2845 pF @ 25 V - 300W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole
FCH104N60F-F085

Таблицы данных

FCH104N60F-F085

FCH104N60F-F085

MOSFET N-CH 600V 37A TO247-3

onsemi

2980 6.57
- +

Добавить

Расследования

Tube Automotive, AEC-Q101, SuperFET® II Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 37A (Tc) 10V 104mOhm @ 18.5A, 10V 5V @ 250µA 139 nC @ 10 V ±20V 4302 pF @ 100 V - 357W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole
MSC750SMA170S

Таблицы данных

MSC750SMA170S

MSC750SMA170S

TRANS SJT 1700V D3PAK

Microchip Technology

3368 6.61
- +

Добавить

Расследования

Tube - Active - SiCFET (Silicon Carbide) 1700 V 6A (Tc) - - - - - - - - - Surface Mount
STP26NM60N

Таблицы данных

STP26NM60N

STP26NM60N

MOSFET N-CH 600V 20A TO220AB

STMicroelectronics

3898 6.66
- +

Добавить

Расследования

Tube MDmesh™ II Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 20A (Tc) 10V 165mOhm @ 10A, 10V 4V @ 250µA 60 nC @ 10 V ±30V 1800 pF @ 50 V - 140W (Tc) 150°C (TJ) Through Hole
IXTA36P15P

Таблицы данных

IXTA36P15P

IXTA36P15P

MOSFET P-CH 150V 36A TO263

IXYS

3388 6.74
- +

Добавить

Расследования

Tube PolarP™ Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 36A (Tc) 10V 110mOhm @ 18A, 10V 4.5V @ 250µA 55 nC @ 10 V ±20V 3100 pF @ 25 V - 300W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount
NTHL065N65S3F

Таблицы данных

NTHL065N65S3F

NTHL065N65S3F

MOSFET N-CH 650V 46A TO247-3

onsemi

1790 6.77
- +

Добавить

Расследования

Tube - Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 46A (Tc) 10V 65mOhm @ 23A, 10V 5V @ 4.6mA 98 nC @ 10 V ±30V 4075 pF @ 400 V - 337W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole
AOK42S60L

Таблицы данных

AOK42S60L

AOK42S60L

MOSFET N-CH 600V 39A TO247

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

3245 6.84
- +

Добавить

Расследования

Tube aMOS™ Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 39A (Tc) 10V 99mOhm @ 21A, 10V 3.8V @ 250µA 40 nC @ 10 V ±30V 2154 pF @ 100 V - 417W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole
IMBG120R220M1HXTMA1

Таблицы данных

IMBG120R220M1HXTMA1

IMBG120R220M1HXTMA1

SICFET N-CH 1.2KV 13A TO263

Infineon Technologies

2062 10.71
- +

Добавить

Расследования

Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT),Digi-Reel®,Bulk CoolSiC™ Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 13A (Tc) - 294mOhm @ 4A, 18V 5.7V @ 1.6mA 9.4 nC @ 18 V +18V, -15V 312 pF @ 800 V Standard 83W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount
IXTA2R4N120P

Таблицы данных

IXTA2R4N120P

IXTA2R4N120P

MOSFET N-CH 1200V 2.4A TO263

IXYS

2572 6.85
- +

Добавить

Расследования

Tube Polar Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1200 V 2.4A (Tc) 10V 7.5Ohm @ 500mA, 10V 4.5V @ 250µA 37 nC @ 10 V ±20V 1207 pF @ 25 V - 125W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount
IXTP44P15T

Таблицы данных

IXTP44P15T

IXTP44P15T

MOSFET P-CH 150V 44A TO220AB

IXYS

2677 6.90
- +

Добавить

Расследования

Tube TrenchP™ Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 44A (Tc) 10V 65mOhm @ 500mA, 10V 4V @ 250µA 175 nC @ 10 V ±15V 13400 pF @ 25 V - 298W (Tc) - Through Hole
IXTH160N10T

Таблицы данных

IXTH160N10T

IXTH160N10T

MOSFET N-CH 100V 160A TO247

IXYS

174 6.92
- +

Добавить

Расследования

Tube Trench Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 160A (Tc) 10V 7mOhm @ 25A, 10V 4.5V @ 250µA 132 nC @ 10 V ±30V 6600 pF @ 25 V - 430W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole
STP20N95K5

Таблицы данных

STP20N95K5

STP20N95K5

MOSFET N-CH 950V 17.5A TO220-3

STMicroelectronics

3669 6.97
- +

Добавить

Расследования

Tube SuperMESH5™ Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 950 V 17.5A (Tc) 10V 330mOhm @ 9A, 10V 5V @ 100µA 40 nC @ 10 V ±30V 1500 pF @ 100 V - 250W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole
FQA55N25

Таблицы данных

FQA55N25

FQA55N25

MOSFET N-CH 250V 55A TO3PN

onsemi

2315 7.06
- +

Добавить

Расследования

Tube QFET® Last Time Buy N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 250 V 55A (Tc) 10V 40mOhm @ 27.5A, 10V 5V @ 250µA 180 nC @ 10 V ±30V 6250 pF @ 25 V - 310W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole
IPB407N30NATMA1

Таблицы данных

IPB407N30NATMA1

IPB407N30NATMA1

MOSFET N-CH 300V 44A D2PAK

Infineon Technologies

2568 11.53
- +

Добавить

Расследования

Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT),Digi-Reel® OptiMOS™ Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 300 V 44A (Tc) 10V 40.7mOhm @ 44A, 10V 4V @ 270µA 87 nC @ 10 V ±20V 7180 pF @ 100 V - 300W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount
IRFP3077PBF

Таблицы данных

IRFP3077PBF

IRFP3077PBF

MOSFET N-CH 75V 120A TO247AC

Infineon Technologies

1140 7.10
- +

Добавить

Расследования

Tube HEXFET® Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75 V 120A (Tc) 10V 3.3mOhm @ 75A, 10V 4V @ 250µA 220 nC @ 10 V ±20V 9400 pF @ 50 V - 340W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole
IXTA120P065T

Таблицы данных

IXTA120P065T

IXTA120P065T

MOSFET P-CH 65V 120A TO263

IXYS

3892 7.10
- +

Добавить

Расследования

Tube TrenchP™ Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 65 V 120A (Tc) 10V 10mOhm @ 500mA, 10V 4V @ 250µA 185 nC @ 10 V ±15V 13200 pF @ 25 V - 298W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount
IRFP90N20DPBF

Таблицы данных

IRFP90N20DPBF

IRFP90N20DPBF

MOSFET N-CH 200V 94A TO247AC

Infineon Technologies

3758 1.00
- +

Добавить

Расследования

Bulk,Tube HEXFET® Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 94A (Tc) 10V 23mOhm @ 56A, 10V 5V @ 250µA 270 nC @ 10 V ±30V 6040 pF @ 25 V - 580W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole
IPP65R150CFDAAKSA1

Таблицы данных

IPP65R150CFDAAKSA1

IPP65R150CFDAAKSA1

MOSFET N-CH 650V 22.4A TO220-3

Infineon Technologies

3115 1.00
- +

Добавить

Расследования

Bulk,Tube Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™ Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 22.4A (Tc) 10V 150mOhm @ 9.3A, 10V 4.5V @ 900µA 86 nC @ 10 V ±20V 2340 pF @ 100 V - 195.3W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) Through Hole
IRFP3006PBF

Таблицы данных

IRFP3006PBF

IRFP3006PBF

MOSFET N-CH 60V 195A TO247AC

Infineon Technologies

2302 1.00
- +

Добавить

Расследования

Bulk,Tube - Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 195A (Tc) 10V 2.5mOhm @ 170A, 10V 4V @ 250µA 300 nC @ 10 V ±20V 8970 pF @ 50 V - 375W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole
FDP090N10

Таблицы данных

FDP090N10

FDP090N10

MOSFET N-CH 100V 75A TO220-3

onsemi

2163 3.77
- +

Добавить

Расследования

Tube PowerTrench® Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 75A (Tc) 10V 9mOhm @ 75A, 10V 4.5V @ 250µA 116 nC @ 10 V ±20V 8225 pF @ 25 V - 208W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole
Total 42442 Records«Prev1... 607608609610611612613614...2123Next»
Запрос котировок
Номер запчасти
А
Связь
Электронная почта
Компания
Замечания
  • Домой

    Домой

    Продукты

    Продукты

    Телефон

    Телефон

    Связь

    Связь