Таблицы данных Фотографии Производитель. Часть # Акции Цены А Packaging Series ProductStatus FETType Technology DraintoSourceVoltage(Vdss) Current-ContinuousDrain(Id)@25°C DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) RdsOn(Max)@IdVgs Vgs(th)(Max)@Id GateCharge(Qg)(Max)@Vgs Vgs(Max) InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds FETFeature PowerDissipation(Max) OperatingTemperature MountingType
DI040P04PT-AQ

Таблицы данных

DI040P04PT-AQ

DI040P04PT-AQ

MOSFET, -40V, -40A, P, 22.7W

Diotec Semiconductor

3876 1.61
- +

Добавить

Расследования

Tape & Reel (TR),Tape & Reel (TR) Automotive, AEC-Q101 Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 40A (Tc) 4.5V, 10V 15mOhm @ 10A, 10V 2.5V @ 250µA 59 nC @ 10 V ±20V 3538 pF @ 20 V - 22.7W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount
G65P06F G65P06F

G65P06F

P-CH, -60V, 65A, RD(MAX)<18M@-10

Goford Semiconductor

2282 1.62
- +

Добавить

Расследования

Tube - Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 65A (Tc) 10V 18mOhm @ 20A, 10V 3.5V @ 250µA 75 nC @ 10 V ±20V 6477 pF @ 25 V - 39W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole
DI110N04PQ

Таблицы данных

DI110N04PQ

DI110N04PQ

MOSFET, 40V, 110A, 42W

Diotec Semiconductor

3498 1.70
- +

Добавить

Расследования

Tape & Reel (TR),Tape & Reel (TR) - Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 110A (Tc) 4.5V, 10V 2.5mOhm @ 23A, 10V 2.5V @ 250µA 48 nC @ 10 V ±20V 2980 pF @ 25 V - 45W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount
G65P06T

Таблицы данных

G65P06T

G65P06T

P-60V,RD(MAX)<18M@-10V,VTH-2.0V~

Goford Semiconductor

3630 1.71
- +

Добавить

Расследования

Tube - Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 65A (Tc) 10V 18mOhm @ 20A, 10V 3.5V @ 250µA 75 nC @ 10 V ±20V 5814 pF @ 25 V - 130W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole
G110N06T

Таблицы данных

G110N06T

G110N06T

N60V,RD(MAX)<6.4M@10V,RD(MAX)<8.

Goford Semiconductor

100 1.74
- +

Добавить

Расследования

Tube - Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 110A (Tc) 4.5V, 10V 6.4mOhm @ 20A, 10V 2.5V @ 250µA 113 nC @ 10 V ±20V 5538 pF @ 25 V - 120W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole
HUF76439S3ST

Таблицы данных

HUF76439S3ST

HUF76439S3ST

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7

Fairchild Semiconductor

3864 0.00
- +

Добавить

Расследования

Bulk UltraFET™ Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 75A (Tc) 4.5V, 10V 12mOhm @ 75A, 10V 3V @ 250µA 84 nC @ 10 V ±16V 2745 pF @ 25 V - 180W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount
DI110N04PQ-AQ

Таблицы данных

DI110N04PQ-AQ

DI110N04PQ-AQ

MOSFET, 40V, 110A, 42W

Diotec Semiconductor

2827 1.79
- +

Добавить

Расследования

Tape & Reel (TR),Tape & Reel (TR) Automotive, AEC-Q101 Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 110A (Tc) 4.5V, 10V 2.5mOhm @ 23A, 10V 2.5V @ 250µA 48 nC @ 10 V ±20V 2980 pF @ 25 V - 45W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount
FCPF260N60E

Таблицы данных

FCPF260N60E

FCPF260N60E

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N

Fairchild Semiconductor

2541 1.21
- +

Добавить

Расследования

Bulk SuperFET® II Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 15A (Tc) 10V 260mOhm @ 7.5A, 10V 3.5V @ 250µA 62 nC @ 10 V ±20V 2500 pF @ 25 V - 36W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole
BUK6C2R1-55C,118

Таблицы данных

BUK6C2R1-55C,118

BUK6C2R1-55C,118

NEXPERIA BUK6C2R1-55C - 228A, 55

NXP Semiconductors

2225 1.25
- +

Добавить

Расследования

Bulk Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 228A (Tc) 10V 2.3mOhm @ 90A, 10V 2.8V @ 1mA 253 nC @ 10 V ±16V 16000 pF @ 25 V - 300W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount
DI080N03PQ

Таблицы данных

DI080N03PQ

DI080N03PQ

MOSFET, 30V, 80A, 78W

Diotec Semiconductor

3502 2.27
- +

Добавить

Расследования

Tape & Reel (TR),Bulk - Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 80A (Tc) 4.5V, 10V 1.9mOhm @ 20A, 10V 2.3V @ 250µA 21 nC @ 4.5 V ±20V 7460 pF @ 30 V - 78W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount
IRFH4210DTRPBF

Таблицы данных

IRFH4210DTRPBF

IRFH4210DTRPBF

MOSFET N-CH 25V 44A PQFN

Infineon Technologies

2239 2.46
- +

Добавить

Расследования

Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT),Digi-Reel® HEXFET® Discontinued at Mosen N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 25 V 44A (Ta) 4.5V, 10V 1.1mOhm @ 50A, 10V 2.1V @ 100µA 77 nC @ 10 V ±20V 4812 pF @ 13 V - 3.5W (Ta), 125W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount
IPP60R280C6XKSA1 IPP60R280C6XKSA1

IPP60R280C6XKSA1

IPP60R280 - 600V COOLMOS N-CHANN

Infineon Technologies

2836 0.00
- +

Добавить

Расследования

Bulk CoolMOS™ Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 13.8A (Tc) 10V 280mOhm @ 6.5A, 10V 3.5V @ 430µA 43 nC @ 10 V ±20V 950 pF @ 100 V - 104W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole
BUK9606-75B,118

Таблицы данных

BUK9606-75B,118

BUK9606-75B,118

NEXPERIA BUK9606-75B - 75A, 75V

Nexperia USA Inc.

3672 0.00
- +

Добавить

Расследования

Bulk Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75 V 75A (Tc) 5V, 10V 5.5mOhm @ 25A, 10V 2V @ 1mA 95 nC @ 5 V ±15V 11693 pF @ 25 V - 300W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
FQPF47P06YDTU

Таблицы данных

FQPF47P06YDTU

FQPF47P06YDTU

MOSFET P-CH 60V 30A TO220F-3

Fairchild Semiconductor

3851 1.39
- +

Добавить

Расследования

Bulk QFET® Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 30A (Tc) 10V 26mOhm @ 15A, 10V 4V @ 250µA 110 nC @ 10 V ±25V 3600 pF @ 25 V - 62W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole
GPI65005DF

Таблицы данных

GPI65005DF

GPI65005DF

GANFET N-CH 650V 5A DFN 5X6

GaNPower

3765 2.50
- +

Добавить

Расследования

Tape & Reel (TR) - Active N-Channel GaNFET (Gallium Nitride) 650 V 5A 6V - 1.4V @ 1.75mA 2.6 nC @ 6 V +7.5V, -12V 45 pF @ 400 V - - -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount
AUIRF1404ZL

Таблицы данных

AUIRF1404ZL

AUIRF1404ZL

MOSFET N-CH 40V 160A TO262

International Rectifier

2240 1.46
- +

Добавить

Расследования

Bulk HEXFET® Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 160A (Tc) 10V 3.7mOhm @ 75A, 10V 4V @ 250µA 150 nC @ 10 V ±20V 4340 pF @ 25 V - 200W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole
BUZ50A BUZ50A

BUZ50A

TO 220 HV N-CHANNEL MOSFET

Solid State Inc.

2768 2.60
- +

Добавить

Расследования

Bulk - Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) - - - - - - - - - - - Through Hole
UMW STD20NF06L

Таблицы данных

UMW STD20NF06L

UMW STD20NF06L

TO-252 MOSFETS ROHS

UTD Semiconductor

3647 1.50
- +

Добавить

Расследования

Tape & Reel (TR) UMW Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 30A (Tc) 4.5V, 10V 35mOhm @ 15A, 10V 2.5V @ 250µA 25 nC @ 10 V ±20V 1562 pF @ 25 V - 55W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount
IPB200N15N3G

Таблицы данных

IPB200N15N3G

IPB200N15N3G

IPB200N15 - 12V-300V N-CHANNEL P

Infineon Technologies

3515 0.00
- +

Добавить

Расследования

Bulk * Active - - - - - - - - - - - - - -
IRF243

Таблицы данных

IRF243

IRF243

16A, 150V, 0.22OHM, N-CHANNEL PO

International Rectifier

2635 0.00
- +

Добавить

Расследования

Bulk * Active - - - - - - - - - - - - - -
Total 42442 Records«Prev1... 12961297129812991300130113021303...2123Next»
Запрос котировок
Номер запчасти
А
Связь
Электронная почта
Компания
Замечания
  • Домой

    Домой

    Продукты

    Продукты

    Телефон

    Телефон

    Связь

    Связь