Таблицы данных Фотографии Производитель. Часть # Акции Цены А Packaging Series ProductStatus FETType Technology DraintoSourceVoltage(Vdss) Current-ContinuousDrain(Id)@25°C DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) RdsOn(Max)@IdVgs Vgs(th)(Max)@Id GateCharge(Qg)(Max)@Vgs Vgs(Max) InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds FETFeature PowerDissipation(Max) OperatingTemperature MountingType
IXTP02N50D

Таблицы данных

IXTP02N50D

IXTP02N50D

MOSFET N-CH 500V 200MA TO220AB

IXYS

3428 6.77
- +

Добавить

Расследования

Tube Depletion Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 200mA (Tc) 10V 30Ohm @ 50mA, 0V 5V @ 25µA - ±20V 120 pF @ 25 V Depletion Mode 1.1W (Ta), 25W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole
SIHW47N60EF-GE3

Таблицы данных

SIHW47N60EF-GE3

SIHW47N60EF-GE3

MOSFET N-CH 600V 47A TO247AD

Vishay Siliconix

2214 6.79
- +

Добавить

Расследования

Tube - Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 47A (Tc) 10V 65mOhm @ 24A, 10V 4V @ 250µA 225 nC @ 10 V ±30V 4854 pF @ 100 V - 379W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole
STFW45N65M5

Таблицы данных

STFW45N65M5

STFW45N65M5

MOSFET N-CH 650V 35A ISOWATT

STMicroelectronics

2784 6.82
- +

Добавить

Расследования

Tube MDmesh™ V Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 35A (Tc) 10V 78mOhm @ 17.5A, 10V 5V @ 250µA 82 nC @ 10 V ±25V 3470 pF @ 100 V - 57W (Tc) 150°C (TJ) Through Hole
STW34N65M5

Таблицы данных

STW34N65M5

STW34N65M5

MOSFET N-CH 650V 28A TO247

STMicroelectronics

2474 6.84
- +

Добавить

Расследования

Tube MDmesh™ V Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 28A (Tc) 10V 110mOhm @ 14A, 10V 5V @ 250µA 62.5 nC @ 10 V ±25V 2700 pF @ 100 V - 190W (Tc) 150°C (TJ) Through Hole
IXFH22N60P

Таблицы данных

IXFH22N60P

IXFH22N60P

MOSFET N-CH 600V 22A TO247AD

IXYS

3280 6.87
- +

Добавить

Расследования

Tube HiPerFET™, Polar Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 22A (Tc) 10V 350mOhm @ 11A, 10V 5.5V @ 4mA 58 nC @ 10 V ±30V 3600 pF @ 25 V - 400W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole
STW48N60M6-4

Таблицы данных

STW48N60M6-4

STW48N60M6-4

MOSFET N-CH 600V 39A TO247-4

STMicroelectronics

2049 6.90
- +

Добавить

Расследования

Tube MDmesh™ M6 Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 39A (Tc) 10V 69mOhm @ 19.5A, 10V 4.75V @ 250µA 57 nC @ 10 V ±25V 2578 pF @ 100 V - 250W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole
IXFT26N60P

Таблицы данных

IXFT26N60P

IXFT26N60P

MOSFET N-CH 600V 26A TO268

IXYS

2404 6.92
- +

Добавить

Расследования

Tube HiPerFET™, Polar Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 26A (Tc) 10V 270mOhm @ 500mA, 10V 5V @ 4mA 72 nC @ 10 V ±30V 4150 pF @ 25 V - 460W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount
IXTT34N65X2HV

Таблицы данных

IXTT34N65X2HV

IXTT34N65X2HV

MOSFET N-CH 650V 34A TO268HV

IXYS

3871 6.92
- +

Добавить

Расследования

Tube Ultra X2 Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 34A (Tc) 10V 96mOhm @ 17A, 10V 5V @ 250µA 54 nC @ 10 V ±30V 3000 pF @ 25 V - 540W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount
SIHW73N60E-GE3

Таблицы данных

SIHW73N60E-GE3

SIHW73N60E-GE3

MOSFET N-CH 600V 73A TO247AD

Vishay Siliconix

2143 6.96
- +

Добавить

Расследования

Tube - Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 73A (Tc) 10V 39mOhm @ 36A, 10V 4V @ 250µA 362 nC @ 10 V ±20V 7700 pF @ 100 V - 520W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole
IXTH32N65X

Таблицы данных

IXTH32N65X

IXTH32N65X

MOSFET N-CH 650V 32A TO247

IXYS

3103 6.97
- +

Добавить

Расследования

Tube Ultra X Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 32A (Tc) 10V 135mOhm @ 16A, 10V 5.5V @ 250µA 54 nC @ 10 V ±30V 2205 pF @ 25 V - 500W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole
NVH4L045N065SC1

Таблицы данных

NVH4L045N065SC1

NVH4L045N065SC1

SIC MOS TO247-4L 650V

onsemi

3085 6.99
- +

Добавить

Расследования

Tray Automotive, AEC-Q101 Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 650 V 55A (Tc) 15V, 18V 50mOhm @ 25A, 18V 4.3V @ 8mA 105 nC @ 18 V +22V, -8V 1870 pF @ 325 V - 187W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole
IPI60R099CPXKSA1

Таблицы данных

IPI60R099CPXKSA1

IPI60R099CPXKSA1

MOSFET N-CH 600V 31A TO262-3

Infineon Technologies

2118 7.00
- +

Добавить

Расследования

Tube CoolMOS™ Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 31A (Tc) 10V 99mOhm @ 18A, 10V 3.5V @ 1.2mA 80 nC @ 10 V ±20V 2800 pF @ 100 V - 255W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole
R6020JNZC8

Таблицы данных

R6020JNZC8

R6020JNZC8

MOSFET N-CH 600V 20A TO3PF

Rohm Semiconductor

2598 7.00
- +

Добавить

Расследования

Bulk - Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 20A (Tc) 15V 234mOhm @ 10A, 15V 7V @ 3.5mA 45 nC @ 15 V ±30V 1500 pF @ 100 V - 76W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole
IXFH16N50P3

Таблицы данных

IXFH16N50P3

IXFH16N50P3

MOSFET N-CH 500V 16A TO247AD

IXYS

3334 7.02
- +

Добавить

Расследования

Tube HiPerFET™, Polar3™ Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 16A (Tc) 10V 360mOhm @ 8A, 10V 5V @ 2.5mA 29 nC @ 10 V ±30V 1515 pF @ 25 V - 330W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole
APT7M120S

Таблицы данных

APT7M120S

APT7M120S

MOSFET N-CH 1200V 8A D3PAK

Microchip Technology

2317 7.03
- +

Добавить

Расследования

Bulk POWER MOS 8™ Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1200 V 8A (Tc) 10V 2.1Ohm @ 3A, 10V 5V @ 1mA 80 nC @ 10 V ±30V 2565 pF @ 25 V - 335W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount
NDCTR10120A NDCTR10120A

NDCTR10120A

MOSFET N-CH 1200V 10A SMD

onsemi

3584 7.04
- +

Добавить

Расследования

Tape & Reel (TR) - Active - - - - - - - - - - - - - -
STF20N95K5

Таблицы данных

STF20N95K5

STF20N95K5

MOSFET N-CH 950V 17.5A TO220FP

STMicroelectronics

2968 7.06
- +

Добавить

Расследования

Tube SuperMESH5™ Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 950 V 17.5A (Tc) 10V 330mOhm @ 9A, 10V 5V @ 100µA 40 nC @ 10 V ±30V 1500 pF @ 100 V - 40W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole
IPA60R060C7XKSA1

Таблицы данных

IPA60R060C7XKSA1

IPA60R060C7XKSA1

MOSFET N-CH 600V 16A TO220

Infineon Technologies

2086 7.08
- +

Добавить

Расследования

Tube CoolMOS™ C7 Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 16A (Tc) 10V 60mOhm @ 15.9A, 10V 4V @ 800µA 68 nC @ 10 V ±20V 2850 pF @ 400 V - 34W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole
IPT210N25NFDATMA1

Таблицы данных

IPT210N25NFDATMA1

IPT210N25NFDATMA1

MV POWER MOS

Infineon Technologies

3528 7.09
- +

Добавить

Расследования

Tape & Reel (TR) * Active - - - - - - - - - - - - - -
IXTT64N25P

Таблицы данных

IXTT64N25P

IXTT64N25P

MOSFET N-CH 250V 64A TO268

IXYS

3379 7.09
- +

Добавить

Расследования

Tube Polar Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 250 V 64A (Tc) 10V 49mOhm @ 500mA, 10V 5V @ 250µA 105 nC @ 10 V ±20V 3450 pF @ 25 V - 400W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount
Total 42442 Records«Prev1... 11981199120012011202120312041205...2123Next»
Запрос котировок
Номер запчасти
А
Связь
Электронная почта
Компания
Замечания
  • Домой

    Домой

    Продукты

    Продукты

    Телефон

    Телефон

    Связь

    Связь