Таблицы данных Фотографии Производитель. Часть # Акции Цены А Packaging Series ProductStatus FETType Technology DraintoSourceVoltage(Vdss) Current-ContinuousDrain(Id)@25°C DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) RdsOn(Max)@IdVgs Vgs(th)(Max)@Id GateCharge(Qg)(Max)@Vgs Vgs(Max) InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds FETFeature PowerDissipation(Max) OperatingTemperature MountingType
FQP2N80

Таблицы данных

FQP2N80

FQP2N80

MOSFET N-CH 800V 2.4A TO220-3

Fairchild Semiconductor

900 0.67
- +

Добавить

Расследования

Bulk QFET® Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 2.4A (Tc) 10V 6.3Ohm @ 1.2A, 10V 5V @ 250µA 15 nC @ 10 V ±30V 550 pF @ 25 V - 85W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole
2SK3377-ZK-E1-AY

Таблицы данных

2SK3377-ZK-E1-AY

2SK3377-ZK-E1-AY

SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET

Renesas Electronics America Inc

2500 0.68
- +

Добавить

Расследования

Bulk * Active - - - - - - - - - - - - - -
PSMN2R7-30BL,118

Таблицы данных

PSMN2R7-30BL,118

PSMN2R7-30BL,118

NOW NEXPERIA PSMN2R7-30BL - 100A

NXP USA Inc.

2400 0.68
- +

Добавить

Расследования

Bulk - Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 100A (Tc) 4.5V, 10V 3mOhm @ 25A, 10V 2.15V @ 1mA 66 nC @ 10 V ±20V 3954 pF @ 15 V - 170W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount
BUZ30AH3045A

Таблицы данных

BUZ30AH3045A

BUZ30AH3045A

BUZ30 - 12V-300V N-CHANNEL POWER

Infineon Technologies

1927 0.68
- +

Добавить

Расследования

Bulk SIPMOS® Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 21A (Tc) 10V 130mOhm @ 13.5A, 10V 4V @ 1mA - ±20V 1900 pF @ 25 V - 125W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount
FDSS2407_SB82086

Таблицы данных

FDSS2407_SB82086

FDSS2407_SB82086

FDSS2407 - N-CHANNEL DUAL MOSFET

Fairchild Semiconductor

1669 0.68
- +

Добавить

Расследования

Bulk * Active - - - - - - - - - - - - - -
IPP80R1K2P7

Таблицы данных

IPP80R1K2P7

IPP80R1K2P7

IPP80R1K2 - 800V COOLMOS N-CHANN

Infineon Technologies

980 0.68
- +

Добавить

Расследования

Bulk - Active - - - - - - - - - - - - - -
IPB03N03LB G

Таблицы данных

IPB03N03LB G

IPB03N03LB G

MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK

Infineon Technologies

924 1.63
- +

Добавить

Расследования

Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT),Digi-Reel® OptiMOS™ Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 80A (Tc) 4.5V, 10V 2.8mOhm @ 55A, 10V 2V @ 100µA 59 nC @ 5 V ±20V 7624 pF @ 15 V - 150W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount
FDPF6N60ZUT

Таблицы данных

FDPF6N60ZUT

FDPF6N60ZUT

MOSFET N-CH 600V 4.5A TO220F

Fairchild Semiconductor

450 0.68
- +

Добавить

Расследования

Bulk UniFET™ Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 4.5A (Tc) 10V 2Ohm @ 2.25A, 10V 5V @ 250µA 20 nC @ 10 V ±30V 865 pF @ 25 V - 33.8W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole
AUIRFZ34N

Таблицы данных

AUIRFZ34N

AUIRFZ34N

AUIRFZ34 - 55V-60V N-CHANNEL AUT

Infineon Technologies

6000 0.69
- +

Добавить

Расследования

Bulk HEXFET® Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 29A (Tc) 10V 40mOhm @ 16A, 10V 4V @ 250µA 34 nC @ 10 V ±20V 700 pF @ 25 V - 68W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole
BUK7E3R1-40E,127

Таблицы данных

BUK7E3R1-40E,127

BUK7E3R1-40E,127

NEXPERIA BUK7E3R1-40E - 100A, 40

NXP Semiconductors

1263 0.70
- +

Добавить

Расследования

Bulk Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 100A (Tc) 10V 3.1mOhm @ 25A, 10V 4V @ 1mA 79 nC @ 10 V ±20V 6200 pF @ 25 V - 234W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole
G60N10T

Таблицы данных

G60N10T

G60N10T

N100V,RD(MAX)<25M@10V,RD(MAX)<30

Goford Semiconductor

215 1.71
- +

Добавить

Расследования

Tube - Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 60A (Tc) 4.5V, 10V 25mOhm @ 20A, 10V 2.5V @ 250µA 146 nC @ 10 V ±20V 3970 pF @ 50 V - 160W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole
BSO040N03MSGXUMA1

Таблицы данных

BSO040N03MSGXUMA1

BSO040N03MSGXUMA1

MOSFET N-CH 30V 16A 8DSO

Infineon Technologies

844 1.72
- +

Добавить

Расследования

Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT),Digi-Reel® OptiMOS™ Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 16A (Ta) 4.5V, 10V 4mOhm @ 20A, 10V 2V @ 250µA 73 nC @ 10 V ±20V 5700 pF @ 15 V - 1.56W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount
2SJ634-TL-E 2SJ634-TL-E

2SJ634-TL-E

2SJ634 - PCH 4V DRIVE SERIES

onsemi

7000 0.71
- +

Добавить

Расследования

Bulk * Active - - - - - - - - - - - - - -
FDPF18N20FT-G

Таблицы данных

FDPF18N20FT-G

FDPF18N20FT-G

MOSFET N-CH 200V 18A TO220F

Fairchild Semiconductor

1246 0.71
- +

Добавить

Расследования

Bulk UniFET™ Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 18A (Tc) 10V 140mOhm @ 9A, 10V 5V @ 250µA 26 nC @ 10 V ±30V 1180 pF @ 25 V - 35W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole
BSL606SNH6327XTSA1

Таблицы данных

BSL606SNH6327XTSA1

BSL606SNH6327XTSA1

MOSFET N-CH 60V 4.5A TSOP-6

Infineon Technologies

6323 0.71
- +

Добавить

Расследования

Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT),Digi-Reel® Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 4.5A (Ta) 4.5V, 10V 60mOhm @ 4.5A, 10V 2.3V @ 15µA 5.6 nC @ 5 V ±20V 657 pF @ 25 V - 2W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount
BUK9608-55A,118

Таблицы данных

BUK9608-55A,118

BUK9608-55A,118

NEXPERIA BUK9608-55A - 125A, 55V

NXP Semiconductors

2400 0.72
- +

Добавить

Расследования

Bulk Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 75A (Tc) 4.5V, 10V 7.5mOhm @ 25A, 10V 2V @ 1mA 92 nC @ 5 V ±15V 6021 pF @ 25 V - 253W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount
FDPF5N50NZU

Таблицы данных

FDPF5N50NZU

FDPF5N50NZU

MOSFET N-CH 500V 3.9A TO220F

Fairchild Semiconductor

1656 0.72
- +

Добавить

Расследования

Bulk UniFET-II™ Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 3.9A (Tc) 10V 2Ohm @ 1.95A, 10V 5V @ 250µA 12 nC @ 10 V ±25V 485 pF @ 25 V - 30W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole
IRFR2407TRPBF

Таблицы данных

IRFR2407TRPBF

IRFR2407TRPBF

MOSFET N-CH 75V 42A DPAK

Infineon Technologies

646 1.77
- +

Добавить

Расследования

Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT),Digi-Reel® HEXFET® Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75 V 42A (Tc) 10V 26mOhm @ 25A, 10V 4V @ 250µA 110 nC @ 10 V ±20V 2400 pF @ 25 V - 110W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount
GC11N65T

Таблицы данных

GC11N65T

GC11N65T

N650V,RD(MAX)<360M@10V,VTH2.5V~4

Goford Semiconductor

2557 1.78
- +

Добавить

Расследования

Tube - Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 11A (Tc) 10V 360mOhm @ 5.5A, 10V 4V @ 250µA 21 nC @ 10 V ±30V 901 pF @ 50 V - 78W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole
ISC0804NLSATMA1

Таблицы данных

ISC0804NLSATMA1

ISC0804NLSATMA1

MOSFET N-CH 100V 12A/59A TDSON-8

Infineon Technologies

2882 1.79
- +

Добавить

Расследования

Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT),Digi-Reel® OptiMOS™ 5 Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 12A (Ta), 59A (Tc) 4.5V, 10V 10.9mOhm @ 20A, 10V 2.3V @ 28µA 24 nC @ 10 V ±20V 1600 pF @ 50 V - 2.5W (Ta), 60W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount
Total 42442 Records«Prev1... 446447448449450451452453...2123Next»
Запрос котировок
Номер запчасти
А
Связь
Электронная почта
Компания
Замечания
  • Домой

    Домой

    Продукты

    Продукты

    Телефон

    Телефон

    Связь

    Связь