Таблицы данных Фотографии Производитель. Часть # Акции Цены А Packaging Series ProductStatus FETType Technology DraintoSourceVoltage(Vdss) Current-ContinuousDrain(Id)@25°C DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) RdsOn(Max)@IdVgs Vgs(th)(Max)@Id GateCharge(Qg)(Max)@Vgs Vgs(Max) InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds FETFeature PowerDissipation(Max) OperatingTemperature MountingType
IPI65R600C6XKSA1

Таблицы данных

IPI65R600C6XKSA1

IPI65R600C6XKSA1

IPI65R600 - 650V AND 700V COOLMO

Infineon Technologies

2439 1.00
- +

Добавить

Расследования

Bulk CoolMOS™ Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 7.3A (Tc) 10V 600mOhm @ 2.1A, 10V 3.5V @ 210µA 23 nC @ 10 V ±20V 440 pF @ 100 V - 63W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole
FCB199N65S3

Таблицы данных

FCB199N65S3

FCB199N65S3

POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE

onsemi

2009 1.00
- +

Добавить

Расследования

Bulk SuperFET® III Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 14A (Tc) 10V 199mOhm @ 7A, 10V 4.5V @ 1.4mA 30 nC @ 10 V ±30V 1225 pF @ 400 V - 98W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount
BUK9628-55A,118

Таблицы данных

BUK9628-55A,118

BUK9628-55A,118

N-CHANNEL TRENCHMOS LOGIC LEVEL

Nexperia USA Inc.

2727 1.00
- +

Добавить

Расследования

Bulk Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 42A (Tc) 4.5V, 5V 25mOhm @ 15A, 10V 2V @ 1mA - ±10V 1725 pF @ 25 V - 99W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount
NVMFD5C478NLWFT1G

Таблицы данных

NVMFD5C478NLWFT1G

NVMFD5C478NLWFT1G

DUAL N-CHANNEL POWER MOSFET 40 V

onsemi

3607 1.00
- +

Добавить

Расследования

Bulk * Active - - - - - - - - - - - - - -
IPL65R650C6SE8211ATMA1

Таблицы данных

IPL65R650C6SE8211ATMA1

IPL65R650C6SE8211ATMA1

IPL65R650 - 650V AND 700V COOLMO

Infineon Technologies

3853 1.00
- +

Добавить

Расследования

Bulk * Active - - - - - - - - - - - - - -
NVMFS6B05NLWFT3G

Таблицы данных

NVMFS6B05NLWFT3G

NVMFS6B05NLWFT3G

NVMFS6B05 - SINGLE N-CHANNEL POW

onsemi

2445 1.00
- +

Добавить

Расследования

Bulk Automotive, AEC-Q101 Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 114A (Tc) 4.5V, 10V 5.6mOhm @ 20A, 10V 3V @ 250µA 6.8 nC @ 10 V ±16V 3980 pF @ 25 V - 3.8W (Ta), 165W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount
NVD3055L170T4G

Таблицы данных

NVD3055L170T4G

NVD3055L170T4G

N-CHANNEL POWER LOGIC LEVEL MOSF

onsemi

2668 1.00
- +

Добавить

Расследования

Bulk - Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 9A (Ta) 5V 170mOhm @ 4.5A, 5V 2V @ 250µA 10 nC @ 5 V ±15V 275 pF @ 25 V - 1.5W (Ta), 28.5W (Tj) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount
FDMS8670S

Таблицы данных

FDMS8670S

FDMS8670S

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2

onsemi

2004 1.00
- +

Добавить

Расследования

Bulk PowerTrench®, SyncFET™ Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 20A (Ta), 42A (Tc) 4.5V, 10V 3.5mOhm @ 20A, 10V 3V @ 1mA 73 nC @ 10 V ±20V 4000 pF @ 15 V - 2.5W (Ta), 78W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount
MMBF4118

Таблицы данных

MMBF4118

MMBF4118

SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI

onsemi

2018 1.00
- +

Добавить

Расследования

Bulk * Active - - - - - - - - - - - - - -
BUK7623-75A,118

Таблицы данных

BUK7623-75A,118

BUK7623-75A,118

N-CHANNEL TRENCHMOS STANDARD LEV

Nexperia USA Inc.

2075 1.00
- +

Добавить

Расследования

Bulk Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75 V 53A (Tc) 10V 23mOhm @ 25A, 10V 4V @ 1mA - ±20V 2385 pF @ 25 V - 138W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount
BUK762R6-40E,118

Таблицы данных

BUK762R6-40E,118

BUK762R6-40E,118

NOW NEXPERIA BUK762R6-40E 100A

NXP Semiconductors

2324 0.00
- +

Добавить

Расследования

Bulk Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 100A (Tc) 10V 2.6mOhm @ 25A, 10V 4V @ 1mA 91 nC @ 10 V ±20V 7130 pF @ 25 V - 263W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
IRLR3717TRRPBF

Таблицы данных

IRLR3717TRRPBF

IRLR3717TRRPBF

TRENCH <= 40V

Infineon Technologies

3392 1.00
- +

Добавить

Расследования

Bulk HEXFET® Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 120A (Tc) 4.5V, 10V 4mOhm @ 15A, 10V 2.45V @ 250µA 31 nC @ 4.5 V ±20V 2830 pF @ 10 V - 89W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount
FDMA410NZT

Таблицы данных

FDMA410NZT

FDMA410NZT

ULTRA THIN N-CHANNEL 1.5 V POWER

Fairchild Semiconductor

3989 1.00
- +

Добавить

Расследования

Bulk - Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 9.5A (Ta) 1.5V, 4.5V 23mOhm @ 9.5A, 4.5V 1V @ 250µA 14 nC @ 4.5 V ±8V 1310 pF @ 10 V - 2.4W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount
FDS6375

Таблицы данных

FDS6375

FDS6375

SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI

onsemi

3769 1.00
- +

Добавить

Расследования

Bulk PowerTrench® Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 8A (Ta) 2.5V, 4.5V 24mOhm @ 8A, 4.5V 1.5V @ 250µA 36 nC @ 4.5 V ±8V 2694 pF @ 10 V - 2.5W (Ta) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount
AUIRFR1010Z

Таблицы данных

AUIRFR1010Z

AUIRFR1010Z

AUIRFR1010 - 55V-60V N-CHANNEL A

Infineon Technologies

2879 1.00
- +

Добавить

Расследования

Bulk HEXFET® Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 42A (Tc) - 7.5mOhm @ 42A, 10V 4V @ 100µA 95 nC @ 10 V - 2840 pF @ 25 V - 140W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount
IRFZ44VZSPBF

Таблицы данных

IRFZ44VZSPBF

IRFZ44VZSPBF

IRFZ44 - TRENCH 40<-<100V

Infineon Technologies

3089 1.00
- +

Добавить

Расследования

Bulk HEXFET® Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 57A (Tc) 10V 12mOhm @ 34A, 10V 4V @ 250µA 65 nC @ 10 V ±20V 1690 pF @ 25 V - 92W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount
IPD60R1K4C6ATMA1

Таблицы данных

IPD60R1K4C6ATMA1

IPD60R1K4C6ATMA1

IPD60R1K4 - LOW POWER_LEGACY

Infineon Technologies

2805 0.00
- +

Добавить

Расследования

Bulk CoolMOS™ C6 Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 3.2A (Tc) 10V 1.4Ohm @ 1.1A, 10V 3.5V @ 90µA 9.4 nC @ 10 V ±20V 200 pF @ 100 V - 28.4W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount
ECH8690-TL-H

Таблицы данных

ECH8690-TL-H

ECH8690-TL-H

COMPLEMENTARY DUAL POWER MOSFET

onsemi

2760 0.00
- +

Добавить

Расследования

Bulk * Active - - - - - - - - - - - - - -
NTD5862NT4G

Таблицы данных

NTD5862NT4G

NTD5862NT4G

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9

onsemi

3385 1.00
- +

Добавить

Расследования

Bulk - Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 98A (Tc) 10V 5.7mOhm @ 45A, 10V 4V @ 250µA 82 nC @ 10 V ±20V 6000 pF @ 25 V - 115W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount
PSMN7R0-100BS,118

Таблицы данных

PSMN7R0-100BS,118

PSMN7R0-100BS,118

NEXPERIA PSMN7R0-100BS - 100A, 1

NXP Semiconductors

2643 1.00
- +

Добавить

Расследования

Bulk - Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 100A (Tc) 10V 6.8mOhm @ 15A, 10V 4V @ 1mA 125 nC @ 10 V ±20V 6686 pF @ 50 V - 269W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount
Total 42442 Records«Prev1... 12841285128612871288128912901291...2123Next»
Запрос котировок
Номер запчасти
А
Связь
Электронная почта
Компания
Замечания
  • Домой

    Домой

    Продукты

    Продукты

    Телефон

    Телефон

    Связь

    Связь