Таблицы данных Фотографии Производитель. Часть # Акции Цены А Packaging Series ProductStatus FETType Technology DraintoSourceVoltage(Vdss) Current-ContinuousDrain(Id)@25°C DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) RdsOn(Max)@IdVgs Vgs(th)(Max)@Id GateCharge(Qg)(Max)@Vgs Vgs(Max) InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds FETFeature PowerDissipation(Max) OperatingTemperature MountingType
BS270

Таблицы данных

BS270

BS270

SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI

Fairchild Semiconductor

3764 0.11
- +

Добавить

Расследования

Bulk - Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 400mA (Ta) 4.5V, 10V 2Ohm @ 500mA, 10V 2.5V @ 250µA - ±20V 50 pF @ 25 V - 625mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole
G2K3N10H G2K3N10H

G2K3N10H

MOSFET, N-CH,100V, 2A,SOT-223

Goford Semiconductor

3787 0.51
- +

Добавить

Расследования

Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT),Digi-Reel® * Active - - - - - - - - - - - - - -
G48N03D3

Таблицы данных

G48N03D3

G48N03D3

N30V,RD(MAX)<6M@10V,RD(MAX)<8M@4

Goford Semiconductor

3645 0.66
- +

Добавить

Расследования

Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT),Digi-Reel® - Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 48A (Tc) 4.5V, 10V 6mOhm @ 20A, 10V 2.4V @ 250µA 38 nC @ 10 V ±20V 1784 pF @ 15 V - 45W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount
UMW SI2302A

Таблицы данных

UMW SI2302A

UMW SI2302A

20V 2.8A 1.25W 115MR@2.5V,3.1A 1

UTD Semiconductor

2864 0.12
- +

Добавить

Расследования

Tape & Reel (TR) UMW Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 3.6A (Ta) 2.5V, 4.5V 45mOhm @ 3.6A, 4.5V 1.9V @ 250µA 10 nC @ 4.5 V ±8V 300 pF @ 10 V - 1.25W (Ta) 150°C (TJ) Surface Mount
G07P04S

Таблицы данных

G07P04S

G07P04S

P40V,RD(MAX)<18M@-10V,RD(MAX)<22

Goford Semiconductor

3383 0.64
- +

Добавить

Расследования

Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT),Digi-Reel® - Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 7A (Tc) 4.5V, 10V 18mOhm @ 7A, 10V 2.5V @ 250µA 24 nC @ 10 V ±20V 1750 pF @ 20 V - 2.5W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount
PMN48XPAX

Таблицы данных

PMN48XPAX

PMN48XPAX

NEXPERIA PMN48XP - 20V, P-CHANNE

NXP Semiconductors

2326 0.00
- +

Добавить

Расследования

Bulk - Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 4.1A (Ta) 2.5V, 4.5V 55mOhm @ 2.4A, 4.5V 1.25V @ 250µA 13 nC @ 4.5 V ±12V 1000 pF @ 10 V - 530mW (Ta), 6.25W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount
G26P04D5

Таблицы данных

G26P04D5

G26P04D5

P40V,RD(MAX)<18M@-10V,RD(MAX)<22

Goford Semiconductor

9591 0.70
- +

Добавить

Расследования

Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT),Digi-Reel® - Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 26A (Tc) 4.5V, 10V 18mOhm @ 12A, 10V 2.5V @ 250µA 45 nC @ 10 V ±20V 2479 pF @ 20 V - 50W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount
G33N03D52

Таблицы данных

G33N03D52

G33N03D52

N30V, 33A,RD<13M@10V,VTH1V~3V, D

Goford Semiconductor

5000 0.71
- +

Добавить

Расследования

Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT),Digi-Reel® - Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 33A (Tc) 4.5V, 10V 13mOhm @ 16A, 10V 3V @ 250µA 17.5 nC @ 10 V ±20V 782 pF @ 15 V - 29W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount
UMW SI2301A

Таблицы данных

UMW SI2301A

UMW SI2301A

20V 2.8A 400MW 142MR@2.5V,2A 1V@

UTD Semiconductor

3479 0.13
- +

Добавить

Расследования

Tape & Reel (TR) UMW Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 2.8A (Ta) 2.5V, 4.5V 85mOhm @ 2.8A, 4.5V 1V @ 250µA 10 nC @ 4.5 V ±12V 405 pF @ 10 V - 400mW (Ta) 150°C (TJ) Surface Mount
UMW AO3400A

Таблицы данных

UMW AO3400A

UMW AO3400A

30V 5.8A 35MR@10V,5.8A 1.4W 1.4V

UTD Semiconductor

2417 0.17
- +

Добавить

Расследования

Tape & Reel (TR) UMW Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 5.8A (Ta) 2.5V, 10V 27mOhm @ 5.8A, 10V 1.4V @ 250µA 12 nC @ 4.5 V ±12V 1050 pF @ 15 V - 1.4W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount
UMW BSS84

Таблицы данных

UMW BSS84

UMW BSS84

50V 130MA 300MW 10R@5V,100MA 2V@

UTD Semiconductor

3649 0.18
- +

Добавить

Расследования

Tape & Reel (TR) UMW Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 50 V 130mA (Ta) 5V 10Ohm @ 100mA, 5V 2V @ 1mA - ±20V 45 pF @ 25 V - 300mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount
IRFW634BTMFP001

Таблицы данных

IRFW634BTMFP001

IRFW634BTMFP001

N-CHANNEL POWER MOSFET

Fairchild Semiconductor

2992 0.00
- +

Добавить

Расследования

Bulk - Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 250 V 8.1A (Ta) 10V 450mOhm @ 4.05A, 10V 4V @ 250µA 38 nC @ 10 V ±30V 1000 pF @ 25 V - 3.13W (Ta), 74W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount
UMW AO3401A

Таблицы данных

UMW AO3401A

UMW AO3401A

30V 4.1A 65MR@10V,4.2A 350MW 1.3

UTD Semiconductor

2013 0.18
- +

Добавить

Расследования

Tape & Reel (TR) UMW Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 4.2A (Ta) 2.5V, 10V 50mOhm @ 4.2A, 10V 1.3V @ 250µA 9.4 nC @ 4.5 V ±12V 954 pF @ 15 V - 1.4W (Ta) 150°C (TJ) Surface Mount
IPD135N03LG

Таблицы данных

IPD135N03LG

IPD135N03LG

OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET

Infineon Technologies

3092 0.00
- +

Добавить

Расследования

Bulk * Active - - - - - - - - - - - - - -
G400P06S G400P06S

G400P06S

MOSFET, P-CH, 60V,6A,SOP-8

Goford Semiconductor

3418 0.62
- +

Добавить

Расследования

Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT),Digi-Reel® * Active - - - - - - - - - - - - - -
PH1225AL,115 PH1225AL,115

PH1225AL,115

MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK56

NXP USA Inc.

3816 0.00
- +

Добавить

Расследования

Bulk TrenchMOS™ Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 25 V 100A (Tc) - 1.2mOhm @ 15A, 10V 2.15V @ 1mA 105 nC @ 10 V - 6380 pF @ 12 V - - - Surface Mount
BUK7Y10-30B,115

Таблицы данных

BUK7Y10-30B,115

BUK7Y10-30B,115

MOSFET N-CH 30V 67A LFPAK56

NXP USA Inc.

2825 0.00
- +

Добавить

Расследования

Bulk Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 67A (Tc) 10V 10mOhm @ 25A, 10V 4V @ 1mA 18.8 nC @ 10 V ±20V 1183 pF @ 25 V - 85W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount
BUK6218-40C,118

Таблицы данных

BUK6218-40C,118

BUK6218-40C,118

NEXPERIA BUK6218 - N-CHANNEL TRE

NXP Semiconductors

2675 0.22
- +

Добавить

Расследования

Bulk Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 42A (Tc) 10V 16mOhm @ 10A, 10V 2.8V @ 1mA 22 nC @ 10 V ±16V 1170 pF @ 25 V - 60W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount
PHD20N06T,118

Таблицы данных

PHD20N06T,118

PHD20N06T,118

MOSFET N-CH 55V 18A DPAK

NXP USA Inc.

2902 0.23
- +

Добавить

Расследования

Bulk TrenchMOS™ Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 18A (Tc) 10V 77mOhm @ 10A, 10V 4V @ 1mA 11 nC @ 10 V ±20V 422 pF @ 25 V - 51W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount
BSC0906NS

Таблицы данных

BSC0906NS

BSC0906NS

BSC0906 - 12V-300V N-CHANNEL POW

Infineon Technologies

2486 0.00
- +

Добавить

Расследования

Bulk * Active - - - - - - - - - - - - - -
Total 42442 Records«Prev1... 12401241124212431244124512461247...2123Next»
Запрос котировок
Номер запчасти
А
Связь
Электронная почта
Компания
Замечания
  • Домой

    Домой

    Продукты

    Продукты

    Телефон

    Телефон

    Связь

    Связь