Таблицы данных Фотографии Производитель. Часть # Акции Цены А Packaging Series ProductStatus FETType Technology DraintoSourceVoltage(Vdss) Current-ContinuousDrain(Id)@25°C DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) RdsOn(Max)@IdVgs Vgs(th)(Max)@Id GateCharge(Qg)(Max)@Vgs Vgs(Max) InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds FETFeature PowerDissipation(Max) OperatingTemperature MountingType
R6511KNXC7G

Таблицы данных

R6511KNXC7G

R6511KNXC7G

650V 11A TO-220FM, HIGH-SPEED SW

Rohm Semiconductor

4000 3.45
- +

Добавить

Расследования

Tube - Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 11A (Ta) 10V 400mOhm @ 3.8A, 10V 5V @ 320µA 22 nC @ 10 V ±20V 760 pF @ 25 V - 53W (Tc) 150°C (TJ) Through Hole
IXTP2N100P

Таблицы данных

IXTP2N100P

IXTP2N100P

MOSFET N-CH 1000V 2A TO220AB

IXYS

130 3.45
- +

Добавить

Расследования

Tube Polar Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1000 V 2A (Tc) 10V 7.5Ohm @ 500mA, 10V 4.5V @ 100µA 24.3 nC @ 10 V ±20V 655 pF @ 25 V - 86W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole
FQH18N50V2

Таблицы данных

FQH18N50V2

FQH18N50V2

MOSFET N-CH 500V 20A TO247-3

Fairchild Semiconductor

4058 2.80
- +

Добавить

Расследования

Tube QFET® Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 20A (Tc) 10V 265mOhm @ 10A, 10V 5V @ 250µA 55 nC @ 10 V ±30V 3290 pF @ 25 V - 277W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole
HAF2001-90-E HAF2001-90-E

HAF2001-90-E

N-CHANNEL POWER MOSFET

Renesas Electronics America Inc

1267 2.80
- +

Добавить

Расследования

Bulk * Active - - - - - - - - - - - - - -
BFL4007

Таблицы данных

BFL4007

BFL4007

MOSFET N-CH 600V 14/8.7A TO220FI

Sanyo

12559 2.81
- +

Добавить

Расследования

Bulk - Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 14A (Ta), 8.7A (Tc) - 680mOhm @ 7A, 10V 5V @ 1mA 46 nC @ 10 V ±30V 1200 pF @ 30 V - 2W (Ta), 40W (Tc) 150°C Through Hole
2SK3109-Z-E1-AZ

Таблицы данных

2SK3109-Z-E1-AZ

2SK3109-Z-E1-AZ

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR

Renesas Electronics America Inc

12400 2.82
- +

Добавить

Расследования

Bulk * Active - - - - - - - - - - - - - -
2SK3111-Z-E1-AZ

Таблицы данных

2SK3111-Z-E1-AZ

2SK3111-Z-E1-AZ

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR

Renesas Electronics America Inc

6000 2.82
- +

Добавить

Расследования

Bulk * Active - - - - - - - - - - - - - -
2SJ606-Z-AZ

Таблицы данных

2SJ606-Z-AZ

2SJ606-Z-AZ

P-CHANNEL SWITCHING POWER MOSFET

Renesas Electronics America Inc

297 2.83
- +

Добавить

Расследования

Bulk * Active - - - - - - - - - - - - - -
SIHA24N65EF-GE3

Таблицы данных

SIHA24N65EF-GE3

SIHA24N65EF-GE3

N-CHANNEL 650V

Vishay Siliconix

1000 6.19
- +

Добавить

Расследования

Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) E Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 10A (Tc) 10V 156mOhm @ 12A, 10V 4V @ 250µA 122 nC @ 10 V ±30V 2774 pF @ 100 V - 39W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole
FCPF21N60NT FCPF21N60NT

FCPF21N60NT

1-ELEMENT, N-CHANNEL

Fairchild Semiconductor

1044 2.84
- +

Добавить

Расследования

Bulk - Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V - - - - - - - - - - Through Hole
AUIRFB8405

Таблицы данных

AUIRFB8405

AUIRFB8405

MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB

Infineon Technologies

1000 3.52
- +

Добавить

Расследования

Tube HEXFET® Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 120A (Tc) 10V 2.5mOhm @ 100A, 10V 3.9V @ 100µA 161 nC @ 10 V ±20V 5193 pF @ 25 V - 163W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole
BTC30010-1TAA

Таблицы данных

BTC30010-1TAA

BTC30010-1TAA

BUFFER/INVERTER PERIPHL DRIVER

Infineon Technologies

8921 2.89
- +

Добавить

Расследования

Bulk - Active - - - - - - - - - - - - - Surface Mount
FS100VSJ-03F-T11X5 FS100VSJ-03F-T11X5

FS100VSJ-03F-T11X5

N-CHANNEL POWER MOSFET

Renesas Electronics America Inc

18000 2.90
- +

Добавить

Расследования

Bulk * Active - - - - - - - - - - - - - -
SIHA24N80AE-GE3 SIHA24N80AE-GE3

SIHA24N80AE-GE3

MOSFET N-CH 800V 9A TO220

Vishay Siliconix

757 3.62
- +

Добавить

Расследования

Tube - Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 9A (Tc) - 184mOhm @ 10A, 10V 4V @ 250µA 89 nC @ 10 V ±30V 1836 pF @ 100 V - 35W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole
FDA20N50

Таблицы данных

FDA20N50

FDA20N50

MOSFET N-CH 500V 22A TO3PN

Fairchild Semiconductor

80300 2.94
- +

Добавить

Расследования

Tube UniFET™ Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 22A (Tc) - 230mOhm @ 11A, 10V 5V @ 250µA 59.5 nC @ 10 V - 3120 pF @ 25 V - - - Through Hole
BFL4004

Таблицы данных

BFL4004

BFL4004

MOSFET N-CH 800V 4.3A TO220FI

Sanyo

10870 2.94
- +

Добавить

Расследования

Bulk - Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 4.3A (Tc) - 2.5Ohm @ 3.25A, 10V 4V @ 1mA 36 nC @ 10 V ±30V 710 pF @ 30 V - 2W (Ta), 36W (Tc) 150°C Through Hole
RBA160N04AHPF-4UA01#GB0

Таблицы данных

RBA160N04AHPF-4UA01#GB0

RBA160N04AHPF-4UA01#GB0

POWER TRS2 AUTOMOTIVE MOS MP-25L

Renesas Electronics America Inc

1600 3.64
- +

Добавить

Расследования

Tray Automotive, AEC-Q101 Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 160A (Tc) 10V 1.25mOhm @ 80A, 10V 4V @ 250µA 236 nC @ 10 V ±20V 13200 pF @ 25 V - 1.8W (Ta), 250W (Tc) 175°C Surface Mount
IRF244

Таблицы данных

IRF244

IRF244

N-CHANNEL POWER MOSFET

Harris Corporation

37562 2.95
- +

Добавить

Расследования

Bulk - Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 250 V 8.8A (Tc) 10V 280mOhm @ 8A, 10V 4V @ 250µA 59 nC @ 10 V ±20V 1300 pF @ 25 V - 125W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole
FDAF75N28

Таблицы данных

FDAF75N28

FDAF75N28

MOSFET N-CH 280V 46A TO3PF

Fairchild Semiconductor

1291 2.96
- +

Добавить

Расследования

Tube UniFET™ Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 280 V 46A (Tc) 10V 41mOhm @ 23A, 10V 5V @ 250µA 144 nC @ 10 V ±30V 6700 pF @ 25 V - 215W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole
BTS114AE3045A

Таблицы данных

BTS114AE3045A

BTS114AE3045A

N-CHANNEL POWER MOSFET

Infineon Technologies

11937 2.97
- +

Добавить

Расследования

Bulk * Obsolete - - - - - - - - - - - - - -
Total 42442 Records«Prev1... 192193194195196197198199...2123Next»
Запрос котировок
Номер запчасти
А
Связь
Электронная почта
Компания
Замечания
  • Домой

    Домой

    Продукты

    Продукты

    Телефон

    Телефон

    Связь

    Связь