Таблицы данных Фотографии Производитель. Часть # Акции Цены А Packaging Series ProductStatus FETType Technology DraintoSourceVoltage(Vdss) Current-ContinuousDrain(Id)@25°C DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) RdsOn(Max)@IdVgs Vgs(th)(Max)@Id GateCharge(Qg)(Max)@Vgs Vgs(Max) InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds FETFeature PowerDissipation(Max) OperatingTemperature MountingType
IRLIZ24G

Таблицы данных

IRLIZ24G

IRLIZ24G

MOSFET N-CH 60V 14A TO220-3

Vishay Siliconix

3639 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tube - Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 14A (Tc) 4V, 5V 100mOhm @ 8.4A, 5V 2V @ 250µA 18 nC @ 5 V ±10V 870 pF @ 25 V - 37W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole
IRLIZ34G

Таблицы данных

IRLIZ34G

IRLIZ34G

MOSFET N-CH 60V 20A TO220-3

Vishay Siliconix

3007 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tube - Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 20A (Tc) 4V, 5V 50mOhm @ 12A, 5V 2V @ 250µA 35 nC @ 5 V ±10V 1600 pF @ 25 V - 42W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole
IRFP350LC

Таблицы данных

IRFP350LC

IRFP350LC

MOSFET N-CH 400V 16A TO247-3

Vishay Siliconix

2120 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tube - Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 400 V 16A (Tc) 10V 300mOhm @ 9.6A, 10V 4V @ 250µA 76 nC @ 10 V ±30V 2200 pF @ 25 V - 190W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole
IRF1010EL

Таблицы данных

IRF1010EL

IRF1010EL

MOSFET N-CH 60V 84A TO262

Infineon Technologies

3577 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tube HEXFET® Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 84A (Tc) 10V 12mOhm @ 50A, 10V 4V @ 250µA 130 nC @ 10 V ±20V 3210 pF @ 25 V - 200W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole
IRF1010NL

Таблицы данных

IRF1010NL

IRF1010NL

MOSFET N-CH 55V 85A TO262

Infineon Technologies

3528 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tube HEXFET® Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 85A (Tc) 10V 11mOhm @ 43A, 10V 4V @ 250µA 120 nC @ 10 V ±20V 3210 pF @ 25 V - 180W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole
IRF1310NL

Таблицы данных

IRF1310NL

IRF1310NL

MOSFET N-CH 100V 42A TO262

Infineon Technologies

2907 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tube HEXFET® Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 42A (Tc) 10V 36mOhm @ 22A, 10V 4V @ 250µA 110 nC @ 10 V ±20V 1900 pF @ 25 V - 3.8W (Ta), 160W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole
IRF1404L

Таблицы данных

IRF1404L

IRF1404L

MOSFET N-CH 40V 162A TO262

Infineon Technologies

3952 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tube HEXFET® Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 162A (Tc) 10V 4mOhm @ 95A, 10V 4V @ 250µA 200 nC @ 10 V ±20V 7360 pF @ 25 V - 3.8W (Ta), 200W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole
IRF2807L

Таблицы данных

IRF2807L

IRF2807L

MOSFET N-CH 75V 82A TO262

Infineon Technologies

3038 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tube HEXFET® Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75 V 82A (Tc) 10V 13mOhm @ 43A, 10V 4V @ 250µA 160 nC @ 10 V ±20V 3820 pF @ 25 V - 230W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole
IRF3205L

Таблицы данных

IRF3205L

IRF3205L

MOSFET N-CH 55V 110A TO262

Infineon Technologies

3334 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tube HEXFET® Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 110A (Tc) 10V 8mOhm @ 62A, 10V 4V @ 250µA 146 nC @ 10 V ±20V 3247 pF @ 25 V - 200W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole
IRF3315L

Таблицы данных

IRF3315L

IRF3315L

MOSFET N-CH 150V 21A TO262

Infineon Technologies

3555 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tube HEXFET® Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 21A (Tc) 10V 82mOhm @ 12A, 10V 4V @ 250µA 95 nC @ 10 V ±20V 1300 pF @ 25 V - 3.8W (Ta), 94W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole
IRF3415L

Таблицы данных

IRF3415L

IRF3415L

MOSFET N-CH 150V 43A TO262

Infineon Technologies

3773 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tube HEXFET® Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 43A (Tc) 10V 42mOhm @ 22A, 10V 4V @ 250µA 200 nC @ 10 V ±20V 2400 pF @ 25 V - 3.8W (Ta), 200W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole
IRF3515L

Таблицы данных

IRF3515L

IRF3515L

MOSFET N-CH 150V 41A TO262

Infineon Technologies

2203 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tube HEXFET® Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 41A (Tc) 10V 45mOhm @ 25A, 10V 4.5V @ 250µA 107 nC @ 10 V ±30V 2260 pF @ 25 V - 200W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole
IRF3704L

Таблицы данных

IRF3704L

IRF3704L

MOSFET N-CH 20V 77A TO262

Infineon Technologies

3692 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tube HEXFET® Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 77A (Tc) 4.5V, 10V 9mOhm @ 15A, 10V 3V @ 250µA 19 nC @ 4.5 V ±20V 1996 pF @ 10 V - 87W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole
IRF3706L

Таблицы данных

IRF3706L

IRF3706L

MOSFET N-CH 20V 77A TO262

Infineon Technologies

3854 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tube HEXFET® Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 77A (Tc) 2.8V, 10V 8.5mOhm @ 15A, 10V 2V @ 250µA 35 nC @ 4.5 V ±12V 2410 pF @ 10 V - 88W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole
IRF3707L

Таблицы данных

IRF3707L

IRF3707L

MOSFET N-CH 30V 62A TO262

Infineon Technologies

2193 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tube HEXFET® Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 62A (Tc) 4.5V, 10V 12.5mOhm @ 15A, 10V 3V @ 250µA 19 nC @ 4.5 V ±20V 1990 pF @ 15 V - 87W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole
IRF3710L

Таблицы данных

IRF3710L

IRF3710L

MOSFET N-CH 100V 57A TO262

Infineon Technologies

3403 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tube HEXFET® Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 57A (Tc) 10V 23mOhm @ 28A, 10V 4V @ 250µA 130 nC @ 10 V ±20V 3130 pF @ 25 V - 200W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole
IRF530NL

Таблицы данных

IRF530NL

IRF530NL

MOSFET N-CH 100V 17A TO262

Infineon Technologies

2435 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tube HEXFET® Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 17A (Tc) 10V 90mOhm @ 9A, 10V 4V @ 250µA 37 nC @ 10 V ±20V 920 pF @ 25 V - 3.8W (Ta), 70W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole
IRF540NL

Таблицы данных

IRF540NL

IRF540NL

MOSFET N-CH 100V 33A TO262

Infineon Technologies

3965 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tube HEXFET® Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 33A (Tc) 10V 44mOhm @ 16A, 10V 4V @ 250µA 71 nC @ 10 V ±20V 1960 pF @ 25 V - 130W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole
IRF640NL

Таблицы данных

IRF640NL

IRF640NL

MOSFET N-CH 200V 18A TO262

Infineon Technologies

2522 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tube HEXFET® Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 18A (Tc) 10V 150mOhm @ 11A, 10V 4V @ 250µA 67 nC @ 10 V ±20V 1160 pF @ 25 V - 150W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole
IRF730AL

Таблицы данных

IRF730AL

IRF730AL

MOSFET N-CH 400V 5.5A I2PAK

Vishay Siliconix

2712 0.00
- +

Добавить

Расследования

Bulk - Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 400 V 5.5A (Tc) 10V 1Ohm @ 3.3A, 10V 4.5V @ 250µA 22 nC @ 10 V ±30V 600 pF @ 25 V - 74W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole
Total 42442 Records«Prev1... 13531354135513561357135813591360...2123Next»
Запрос котировок
Номер запчасти
А
Связь
Электронная почта
Компания
Замечания
  • Домой

    Домой

    Продукты

    Продукты

    Телефон

    Телефон

    Связь

    Связь