Таблицы данных Фотографии Производитель. Часть # Акции Цены А Packaging Series ProductStatus FETType Technology DraintoSourceVoltage(Vdss) Current-ContinuousDrain(Id)@25°C DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) RdsOn(Max)@IdVgs Vgs(th)(Max)@Id GateCharge(Qg)(Max)@Vgs Vgs(Max) InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds FETFeature PowerDissipation(Max) OperatingTemperature MountingType
IRFD024

Таблицы данных

IRFD024

IRFD024

MOSFET N-CH 60V 2.5A 4DIP

Vishay Siliconix

3836 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tube - Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 2.5A (Ta) 10V 100mOhm @ 1.5A, 10V 4V @ 250µA 25 nC @ 10 V ±20V 640 pF @ 25 V - 1.3W (Ta) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole
IRFD214

Таблицы данных

IRFD214

IRFD214

MOSFET N-CH 250V 450MA 4DIP

Vishay Siliconix

3859 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tube - Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 250 V 450mA (Ta) 10V 2Ohm @ 270mA, 10V 4V @ 250µA 8.2 nC @ 10 V ±20V 140 pF @ 25 V - 1W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole
IRFD224

Таблицы данных

IRFD224

IRFD224

MOSFET N-CH 250V 630MA 4DIP

Vishay Siliconix

3789 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tube - Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 250 V 630mA (Ta) 10V 1.1Ohm @ 380mA, 10V 4V @ 250µA 14 nC @ 10 V ±20V 260 pF @ 25 V - 1W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole
IRFD310

Таблицы данных

IRFD310

IRFD310

MOSFET N-CH 400V 350MA 4DIP

Vishay Siliconix

3366 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tube - Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 400 V 350mA (Ta) 10V 3.6Ohm @ 210mA, 10V 4V @ 250µA 17 nC @ 10 V ±20V 170 pF @ 25 V - 1W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole
IRFD320

Таблицы данных

IRFD320

IRFD320

MOSFET N-CH 400V 490MA 4DIP

Vishay Siliconix

3462 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tube - Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 400 V 490mA (Ta) 10V 1.8Ohm @ 210mA, 10V 4V @ 250µA 20 nC @ 10 V ±20V 410 pF @ 25 V - 1W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole
IRFD420

Таблицы данных

IRFD420

IRFD420

MOSFET N-CH 500V 370MA 4DIP

Vishay Siliconix

3215 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tube - Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 370mA (Ta) 10V 3Ohm @ 220mA, 10V 4V @ 250µA 24 nC @ 10 V ±20V 360 pF @ 25 V - 1W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole
IRFD9010

Таблицы данных

IRFD9010

IRFD9010

MOSFET P-CH 50V 1.1A 4DIP

Vishay Siliconix

3689 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tube - Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 50 V 1.1A (Tc) 10V 500mOhm @ 580mA, 10V 4V @ 250µA 11 nC @ 10 V ±20V 240 pF @ 25 V - 1W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole
IRFD9014

Таблицы данных

IRFD9014

IRFD9014

MOSFET P-CH 60V 1.1A 4DIP

Vishay Siliconix

2797 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tube - Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 1.1A (Ta) 10V 500mOhm @ 660mA, 10V 4V @ 250µA 12 nC @ 10 V ±20V 270 pF @ 25 V - 1.3W (Ta) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole
IRFD9020

Таблицы данных

IRFD9020

IRFD9020

MOSFET P-CH 60V 1.6A 4DIP

Vishay Siliconix

2920 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tube - Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 1.6A (Ta) 10V 280mOhm @ 960mA, 10V 4V @ 1µA 19 nC @ 10 V ±20V 570 pF @ 25 V - 1.3W (Ta) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole
IRFD9024

Таблицы данных

IRFD9024

IRFD9024

MOSFET P-CH 60V 1.6A 4DIP

Vishay Siliconix

2207 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tube - Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 1.6A (Ta) 10V 280mOhm @ 960mA, 10V 4V @ 250µA 19 nC @ 10 V ±20V 570 pF @ 25 V - 1.3W (Ta) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole
IRFDC20

Таблицы данных

IRFDC20

IRFDC20

MOSFET N-CH 600V 320MA 4DIP

Vishay Siliconix

2275 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tube - Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 320mA (Ta) 10V 4.4Ohm @ 190mA, 10V 4V @ 250µA 18 nC @ 10 V ±20V 350 pF @ 25 V - 1W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole
IRFI510G

Таблицы данных

IRFI510G

IRFI510G

MOSFET N-CH 100V 4.5A TO220-3

Vishay Siliconix

2754 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tube - Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 4.5A (Tc) 10V 540mOhm @ 2.7A, 10V 4V @ 250µA 8.3 nC @ 10 V ±20V 180 pF @ 25 V - 27W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole
IRFI530G

Таблицы данных

IRFI530G

IRFI530G

MOSFET N-CH 100V 9.7A TO220-3

Vishay Siliconix

2945 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tube - Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 9.7A (Tc) 10V 160mOhm @ 5.8A, 10V 4V @ 250µA 33 nC @ 10 V ±20V 670 pF @ 25 V - 42W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole
IRFI540G

Таблицы данных

IRFI540G

IRFI540G

MOSFET N-CH 100V 17A TO220-3

Vishay Siliconix

2464 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tube - Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 17A (Tc) 10V 77mOhm @ 10A, 10V 4V @ 250µA 72 nC @ 10 V ±20V 1700 pF @ 25 V - 48W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole
IRFI614G

Таблицы данных

IRFI614G

IRFI614G

MOSFET N-CH 250V 2.1A TO220-3

Vishay Siliconix

3484 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tube - Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 250 V 2.1A (Tc) 10V 2Ohm @ 1.3A, 10V 4V @ 250µA 8.2 nC @ 10 V ±20V 140 pF @ 25 V - 23W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole
IRFI620G

Таблицы данных

IRFI620G

IRFI620G

MOSFET N-CH 200V 4.1A TO220-3

Vishay Siliconix

2029 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tube - Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 4.1A (Tc) 10V 800mOhm @ 2.5A, 10V 4V @ 250µA 14 nC @ 10 V ±20V 260 pF @ 25 V - 30W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole
IRFI624G

Таблицы данных

IRFI624G

IRFI624G

MOSFET N-CH 250V 3.4A TO220-3

Vishay Siliconix

3694 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tube - Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 250 V 3.4A (Tc) 10V 1.1Ohm @ 2A, 10V 4V @ 250µA 14 nC @ 10 V ±20V 260 pF @ 25 V - 30W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole
IRFI630G

Таблицы данных

IRFI630G

IRFI630G

MOSFET N-CH 200V 5.9A TO220-3

Vishay Siliconix

2381 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tube - Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 5.9A (Tc) 10V 400mOhm @ 3.5A, 10V 4V @ 250µA 43 nC @ 10 V ±20V 800 pF @ 25 V - 35W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole
IRFI634G

Таблицы данных

IRFI634G

IRFI634G

MOSFET N-CH 250V 5.6A TO220-3

Vishay Siliconix

2825 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tube - Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 250 V 5.6A (Tc) 10V 450mOhm @ 3.4A, 10V 4V @ 250µA 41 nC @ 10 V ±20V 770 pF @ 25 V - 35W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole
IRFI640G

Таблицы данных

IRFI640G

IRFI640G

MOSFET N-CH 200V 9.8A TO220-3

Vishay Siliconix

2982 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tube - Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 9.8A (Tc) 10V 180mOhm @ 5.9A, 10V 4V @ 250µA 70 nC @ 10 V ±20V 1300 pF @ 25 V - 40W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole
Total 42442 Records«Prev1... 13361337133813391340134113421343...2123Next»
Запрос котировок
Номер запчасти
А
Связь
Электронная почта
Компания
Замечания
  • Домой

    Домой

    Продукты

    Продукты

    Телефон

    Телефон

    Связь

    Связь