Таблицы данных Фотографии Производитель. Часть # Акции Цены А Packaging Series ProductStatus FETType Technology DraintoSourceVoltage(Vdss) Current-ContinuousDrain(Id)@25°C DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) RdsOn(Max)@IdVgs Vgs(th)(Max)@Id GateCharge(Qg)(Max)@Vgs Vgs(Max) InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds FETFeature PowerDissipation(Max) OperatingTemperature MountingType
IRF9Z24

Таблицы данных

IRF9Z24

IRF9Z24

MOSFET P-CH 60V 11A TO220AB

Vishay Siliconix

2604 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tube - Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 11A (Tc) 10V 280mOhm @ 6.6A, 10V 4V @ 250µA 19 nC @ 10 V ±20V 570 pF @ 25 V - 60W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole
IRF9Z24NS

Таблицы данных

IRF9Z24NS

IRF9Z24NS

MOSFET P-CH 55V 12A D2PAK

Infineon Technologies

2322 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tube HEXFET® Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 12A (Tc) 10V 175mOhm @ 7.2A, 10V 4V @ 250µA 19 nC @ 10 V ±20V 350 pF @ 25 V - 3.8W (Ta), 45W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount
IRF9Z24S

Таблицы данных

IRF9Z24S

IRF9Z24S

MOSFET P-CH 60V 11A D2PAK

Vishay Siliconix

3798 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tube - Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 11A (Tc) 10V 280mOhm @ 6.6A, 10V 4V @ 250µA 19 nC @ 10 V ±20V 570 pF @ 25 V - 3.7W (Ta), 60W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount
IRF9Z24STRR

Таблицы данных

IRF9Z24STRR

IRF9Z24STRR

MOSFET P-CH 60V 11A D2PAK

Vishay Siliconix

2024 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tape & Reel (TR) - Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 11A (Tc) 10V 280mOhm @ 6.6A, 10V 4V @ 250µA 19 nC @ 10 V ±20V 570 pF @ 25 V - 3.7W (Ta), 60W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount
IRF9Z30

Таблицы данных

IRF9Z30

IRF9Z30

MOSFET P-CH 50V 18A TO220AB

Vishay Siliconix

2727 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tube - Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 50 V 18A (Tc) 10V 140mOhm @ 9.3A, 10V 4V @ 250µA 39 nC @ 10 V ±20V 900 pF @ 25 V - 74W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole
IRF9Z34S

Таблицы данных

IRF9Z34S

IRF9Z34S

MOSFET P-CH 60V 18A D2PAK

Vishay Siliconix

3562 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tube - Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 18A (Tc) 10V 140mOhm @ 11A, 10V 4V @ 250µA 34 nC @ 10 V ±20V 1100 pF @ 25 V - 3.7W (Ta), 88W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount
IRF9Z34STRL

Таблицы данных

IRF9Z34STRL

IRF9Z34STRL

MOSFET P-CH 60V 18A D2PAK

Vishay Siliconix

3628 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tape & Reel (TR) - Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 18A (Tc) 10V 140mOhm @ 11A, 10V 4V @ 250µA 34 nC @ 10 V ±20V 1100 pF @ 25 V - 3.7W (Ta), 88W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount
IRFB11N50A

Таблицы данных

IRFB11N50A

IRFB11N50A

MOSFET N-CH 500V 11A TO220AB

Vishay Siliconix

3455 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tube - Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 11A (Tc) 10V 520mOhm @ 6.6A, 10V 4V @ 250µA 52 nC @ 10 V ±30V 1423 pF @ 25 V - 170W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole
IRFB9N60A

Таблицы данных

IRFB9N60A

IRFB9N60A

MOSFET N-CH 600V 9.2A TO220AB

Vishay Siliconix

2390 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tube - Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 9.2A (Tc) 10V 750mOhm @ 5.5A, 10V 4V @ 250µA 49 nC @ 10 V ±30V 1400 pF @ 25 V - 170W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole
IRFB9N65A

Таблицы данных

IRFB9N65A

IRFB9N65A

MOSFET N-CH 650V 8.5A TO220AB

Vishay Siliconix

3585 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tube - Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 8.5A (Tc) 10V 930mOhm @ 5.1A, 10V 4V @ 250µA 48 nC @ 10 V ±30V 1417 pF @ 25 V - 167W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole
IRFBC30A

Таблицы данных

IRFBC30A

IRFBC30A

MOSFET N-CH 600V 3.6A TO220AB

Vishay Siliconix

2756 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tube - Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 3.6A (Tc) 10V 2.2Ohm @ 2.2A, 10V 4.5V @ 250µA 23 nC @ 10 V ±30V 510 pF @ 25 V - 74W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole
IRFBC30AS

Таблицы данных

IRFBC30AS

IRFBC30AS

MOSFET N-CH 600V 3.6A D2PAK

Vishay Siliconix

3023 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tube - Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 3.6A (Tc) 10V 2.2Ohm @ 2.2A, 10V 4.5V @ 250µA 23 nC @ 10 V ±30V 510 pF @ 25 V - 74W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount
IRFBC30S

Таблицы данных

IRFBC30S

IRFBC30S

MOSFET N-CH 600V 3.6A D2PAK

Vishay Siliconix

2850 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tube - Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 3.6A (Tc) 10V 2.2Ohm @ 2.2A, 10V 4V @ 250µA 31 nC @ 10 V ±20V 660 pF @ 25 V - 3.1W (Ta), 74W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount
IRFBC40

Таблицы данных

IRFBC40

IRFBC40

MOSFET N-CH 600V 6.2A TO220AB

Vishay Siliconix

3180 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tube - Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 6.2A (Tc) 10V 1.2Ohm @ 3.7A, 10V 4V @ 250µA 60 nC @ 10 V ±20V 1300 pF @ 25 V - 125W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole
IRFBC40A

Таблицы данных

IRFBC40A

IRFBC40A

MOSFET N-CH 600V 6.2A TO220AB

Vishay Siliconix

3349 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tube - Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 6.2A (Tc) 10V 1.2Ohm @ 3.7A, 10V 4V @ 250µA 42 nC @ 10 V ±30V 1036 pF @ 25 V - 125W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole
IRFBC40AS

Таблицы данных

IRFBC40AS

IRFBC40AS

MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK

Vishay Siliconix

3205 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tube - Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 6.2A (Tc) 10V 1.2Ohm @ 3.7A, 10V 4V @ 250µA 42 nC @ 10 V ±30V 1036 pF @ 25 V - 125W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount
IRFBC40S

Таблицы данных

IRFBC40S

IRFBC40S

MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK

Vishay Siliconix

3979 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tube - Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 6.2A (Tc) 10V 1.2Ohm @ 3.7A, 10V 4V @ 250µA 60 nC @ 10 V ±20V 1300 pF @ 25 V - 3.1W (Ta), 130W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount
IRFBF20S

Таблицы данных

IRFBF20S

IRFBF20S

MOSFET N-CH 900V 1.7A D2PAK

Vishay Siliconix

2278 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tube - Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 900 V 1.7A (Tc) 10V 8Ohm @ 1A, 10V 4V @ 250µA 38 nC @ 10 V ±20V 490 pF @ 25 V - 3.1W (Ta), 54W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount
IRFD010

Таблицы данных

IRFD010

IRFD010

MOSFET N-CH 50V 1.7A 4DIP

Vishay Siliconix

3455 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tube - Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 50 V 1.7A (Tc) 10V 200mOhm @ 860mA, 10V 4V @ 250µA 13 nC @ 10 V ±20V 250 pF @ 25 V - 1W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole
IRFD014

Таблицы данных

IRFD014

IRFD014

MOSFET N-CH 60V 1.7A 4DIP

Vishay Siliconix

2440 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tube - Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 1.7A (Ta) 10V 200mOhm @ 1A, 10V 4V @ 250µA 11 nC @ 10 V ±20V 310 pF @ 25 V - 1.3W (Ta) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole
Total 42442 Records«Prev1... 13351336133713381339134013411342...2123Next»
Запрос котировок
Номер запчасти
А
Связь
Электронная почта
Компания
Замечания
  • Домой

    Домой

    Продукты

    Продукты

    Телефон

    Телефон

    Связь

    Связь