Таблицы данных Фотографии Производитель. Часть # Акции Цены А Packaging Series ProductStatus FETType Technology DraintoSourceVoltage(Vdss) Current-ContinuousDrain(Id)@25°C DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) RdsOn(Max)@IdVgs Vgs(th)(Max)@Id GateCharge(Qg)(Max)@Vgs Vgs(Max) InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds FETFeature PowerDissipation(Max) OperatingTemperature MountingType
IRF7809

Таблицы данных

IRF7809

IRF7809

MOSFET N-CH 30V 17.6A 8SO

Infineon Technologies

3064 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tube HEXFET® Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 17.6A (Ta) 4.5V 7.5mOhm @ 15A, 4.5V 1V @ 250µA 86 nC @ 5 V ±12V 7300 pF @ 16 V - 3.5W (Ta) - Surface Mount
IRF7809A

Таблицы данных

IRF7809A

IRF7809A

MOSFET N-CH 30V 14.5A 8SO

Infineon Technologies

2576 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tube HEXFET® Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 14.5A (Ta) 4.5V 8.5mOhm @ 15A, 4.5V 1V @ 250µA 75 nC @ 5 V ±12V 7300 pF @ 16 V - 2.5W (Ta) - Surface Mount
IRF7811

Таблицы данных

IRF7811

IRF7811

MOSFET N-CH 28V 14A 8SO

Infineon Technologies

3687 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tube HEXFET® Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 28 V 14A (Ta) 4.5V 11mOhm @ 15A, 4.5V 1V @ 250µA 23 nC @ 5 V ±12V 1800 pF @ 16 V - 3.5W (Ta) - Surface Mount
IRF7811A

Таблицы данных

IRF7811A

IRF7811A

MOSFET N-CH 28V 11A 8SO

Infineon Technologies

2709 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tube HEXFET® Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 28 V 11A (Ta) 4.5V 10mOhm @ 11A, 10V 3V @ 250µA 26 nC @ 4.5 V ±12V 1760 pF @ 15 V - 2.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount
IRF7811ATR

Таблицы данных

IRF7811ATR

IRF7811ATR

MOSFET N-CH 28V 11A 8SO

Infineon Technologies

2482 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tape & Reel (TR) HEXFET® Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 28 V 11A (Ta) 4.5V 10mOhm @ 11A, 10V 3V @ 250µA 26 nC @ 4.5 V ±12V 1760 pF @ 15 V - 2.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount
IRF830A

Таблицы данных

IRF830A

IRF830A

MOSFET N-CH 500V 5A TO220AB

Vishay Siliconix

2282 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tube - Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 5A (Tc) 10V 1.4Ohm @ 3A, 10V 4.5V @ 250µA 24 nC @ 10 V ±30V 620 pF @ 25 V - 74W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole
IRF830AS

Таблицы данных

IRF830AS

IRF830AS

MOSFET N-CH 500V 5A D2PAK

Vishay Siliconix

3966 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tube - Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 5A (Tc) 10V 1.4Ohm @ 3A, 10V 4.5V @ 250µA 24 nC @ 10 V ±30V 620 pF @ 25 V - 3.1W (Ta), 74W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount
IRF840A

Таблицы данных

IRF840A

IRF840A

MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB

Vishay Siliconix

2985 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tube - Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 8A (Tc) 10V 850mOhm @ 4.8A, 10V 4V @ 250µA 38 nC @ 10 V ±30V 1018 pF @ 25 V - 125W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole
IRF9510S

Таблицы данных

IRF9510S

IRF9510S

MOSFET P-CH 100V 4A D2PAK

Vishay Siliconix

3028 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tube - Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 4A (Tc) 10V 1.2Ohm @ 2.4A, 10V 4V @ 250µA 8.7 nC @ 10 V ±20V 200 pF @ 25 V - 3.7W (Ta), 43W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount
IRF9520NS

Таблицы данных

IRF9520NS

IRF9520NS

MOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK

Infineon Technologies

2183 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tube HEXFET® Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 6.8A (Tc) 10V 480mOhm @ 4A, 10V 4V @ 250µA 27 nC @ 10 V ±20V 350 pF @ 25 V - 3.8W (Ta), 48W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount
IRF9520S

Таблицы данных

IRF9520S

IRF9520S

MOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK

Vishay Siliconix

3831 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tube - Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 6.8A (Tc) 10V 600mOhm @ 4.1A, 10V 4V @ 250µA 18 nC @ 10 V ±20V 390 pF @ 25 V - 3.7W (Ta), 60W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount
IRF9520STRL

Таблицы данных

IRF9520STRL

IRF9520STRL

MOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK

Vishay Siliconix

2608 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tape & Reel (TR) - Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 6.8A (Tc) 10V 600mOhm @ 4.1A, 10V 4V @ 250µA 18 nC @ 10 V ±20V 390 pF @ 25 V - 3.7W (Ta), 60W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount
IRF9530NS

Таблицы данных

IRF9530NS

IRF9530NS

MOSFET P-CH 100V 14A D2PAK

Infineon Technologies

3546 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tube HEXFET® Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 14A (Tc) 10V 200mOhm @ 8.4A, 10V 4V @ 250µA 58 nC @ 10 V ±20V 760 pF @ 25 V - 3.8W (Ta), 79W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount
IRF9530S

Таблицы данных

IRF9530S

IRF9530S

MOSFET P-CH 100V 12A D2PAK

Vishay Siliconix

3905 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tube - Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 12A (Tc) 10V 300mOhm @ 7.2A, 10V 4V @ 250µA 38 nC @ 10 V ±20V 860 pF @ 25 V - 3.7W (Ta), 88W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount
IRF9530STRL

Таблицы данных

IRF9530STRL

IRF9530STRL

MOSFET P-CH 100V 12A D2PAK

Vishay Siliconix

2886 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tape & Reel (TR) - Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 12A (Tc) 10V 300mOhm @ 7.2A, 10V 4V @ 250µA 38 nC @ 10 V ±20V 860 pF @ 25 V - 3.7W (Ta), 88W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount
IRF9540S

Таблицы данных

IRF9540S

IRF9540S

MOSFET P-CH 100V 19A D2PAK

Vishay Siliconix

2716 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tube - Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 19A (Tc) 10V 200mOhm @ 11A, 10V 4V @ 250µA 61 nC @ 10 V ±20V 1400 pF @ 25 V - 3.7W (Ta), 150W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount
IRF9640S

Таблицы данных

IRF9640S

IRF9640S

MOSFET P-CH 200V 11A D2PAK

Vishay Siliconix

2921 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tube - Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 11A (Tc) 10V 500mOhm @ 6.6A, 10V 4V @ 250µA 44 nC @ 10 V ±20V 1200 pF @ 25 V - 3W (Ta), 125W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount
IRF9640STRL

Таблицы данных

IRF9640STRL

IRF9640STRL

MOSFET P-CH 200V 11A D2PAK

Vishay Siliconix

2457 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tape & Reel (TR) - Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 11A (Tc) 10V 500mOhm @ 6.6A, 10V 4V @ 250µA 44 nC @ 10 V ±20V 1200 pF @ 25 V - 3W (Ta), 125W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount
IRF9Z14S

Таблицы данных

IRF9Z14S

IRF9Z14S

MOSFET P-CH 60V 6.7A D2PAK

Vishay Siliconix

3521 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tube - Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 6.7A (Tc) 10V 500mOhm @ 4A, 10V 4V @ 250µA 12 nC @ 10 V ±20V 270 pF @ 25 V - 3.7W (Ta), 43W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount
IRF9Z20

Таблицы данных

IRF9Z20

IRF9Z20

MOSFET P-CH 50V 9.7A TO220AB

Vishay Siliconix

2233 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tube - Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 50 V 9.7A (Tc) 10V 280mOhm @ 5.6A, 10V 4V @ 250µA 26 nC @ 10 V ±20V 480 pF @ 25 V - 40W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole
Total 42442 Records«Prev1... 13341335133613371338133913401341...2123Next»
Запрос котировок
Номер запчасти
А
Связь
Электронная почта
Компания
Замечания
  • Домой

    Домой

    Продукты

    Продукты

    Телефон

    Телефон

    Связь

    Связь