Transistors - FETs, MOSFETs - RF,Discrete Semiconductor Products

Таблицы данных	Производитель. Часть #	Акции	Цены	А	Packaging	Series	ProductStatus	TransistorType	Frequency	Gain	Voltage-Test	CurrentRating(Amps)	NoiseFigure	Current-Test	Power-Output	Voltage-Rated
Таблицы данных	WP2806015UH RF GaN HEMT 28V DC ~ 6GHZ,15W WAVEPIA.,Co.Ltd	3537	86.96	- + Добавить Расследования	Box	-	Active	GaN HEMT	6GHz	11.6dB	28 V	-	-	150 mA	8W	160 V
	BLF242 BLF242 - VHF PUSH-PULL POWER VDM Ampleon USA Inc.	3891	56.06	- + Добавить Расследования	Bulk	-	Obsolete	N-Channel	175MHz	16dB	28 V	10µA	-	10 mA	5W	65 V
Таблицы данных	MRF6V3090NR1 RF ULTRA HIGH FREQUENCY BAND, N- Freescale Semiconductor	3950	59.58	- + Добавить Расследования	Bulk	-	Active	LDMOS	860MHz	22dB	50 V	-	-	350 mA	18W	110 V
Таблицы данных	MRF6S21060NBR1 RF S BAND, N-CHANNEL POWER MOSFE Freescale Semiconductor	2909	61.94	- + Добавить Расследования	Bulk	*	Active	-	-	-	-	-	-	-	-	-
Таблицы данных	MRF8S9120NR3 SINGLE W-CDMA LATERAL N-CHANNEL Freescale Semiconductor	3152	71.75	- + Добавить Расследования	Bulk	-	Active	LDMOS	960MHz	19.8dB	28 V	-	-	800 mA	33W	70 V
Таблицы данных	CLF1G0060S-10 CLF1G0060S-10 - 10W BROADBAND RF NXP Semiconductors	3163	77.25	- + Добавить Расследования	Bulk	*	Active	-	-	-	-	-	-	-	-	-
Таблицы данных	CLF1G0060-10 CLF1G0060-10 - 10W BROADBAND RF Ampleon USA Inc.	2408	85.34	- + Добавить Расследования	Tray	-	Active	GaN HEMT	6GHz	16dB	50 V	-	-	50 mA	10W	150 V
Таблицы данных	TM-10 TM-10 - 10W BROADBAND RF POWER G Ampleon USA Inc.	2163	89.01	- + Добавить Расследования	Tray	-	Obsolete	GaN HEMT	-	-	-	-	-	-	10W	-
	MRF24301HSR5 MRF24301 - RF POWER LDMOS TRANSI NXP Semiconductors	100	89.64	- + Добавить Расследования	Bulk	-	Obsolete	LDMOS	2.4GHz ~ 2.5GHz	13.5dB	-	-	-	-	300W	32 V
Таблицы данных	WP2806025UH RF GaN HEMT 28V DC ~ 6GHZ, 25W WAVEPIA.,Co.Ltd	3182	159.17	- + Добавить Расследования	Box	-	Active	GaN HEMT	5GHz	17.4dB	28 V	-	-	100 mA	25W	160 V
Таблицы данных	WP4806025UH RF GaN HEMT 48V DC ~ 6GHZ, 25W WAVEPIA.,Co.Ltd	2240	163.01	- + Добавить Расследования	Box	-	Active	GaN HEMT	5GHz	18.9dB	48 V	-	-	100 mA	25W	160 V
Таблицы данных	MRF8P20165WHSR5 FET RF 2CH 65V 2.01GHZ NI780S4 NXP USA Inc.	2451	117.66	- + Добавить Расследования	Bulk	*	Active	-	-	-	-	-	-	-	-	-
Таблицы данных	WP2806045UH RF GaN HEMT 28V DC ~ 6GHZ, 45W WAVEPIA.,Co.Ltd	2147	183.91	- + Добавить Расследования	Box	-	Active	GaN HEMT	5GHz	6.56dB	28 V	-	-	410 mA	60W	160 V
Таблицы данных	MHT1004GNR3 RF POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR Freescale Semiconductor	3843	126.53	- + Добавить Расследования	Bulk	-	Obsolete	LDMOS	2.45GHz	15.2dB	32 V	10µA	-	100 mA	280W	65 V
Таблицы данных	MRF085HR5178 MRF085H - WIDEBAND RF POWER LDMO NXP Semiconductors	100	135.42	- + Добавить Расследования	Bulk	*	Active	-	-	-	-	-	-	-	-	-
Таблицы данных	MRFE8VP8600HR5 RF POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR Freescale Semiconductor	3619	152.87	- + Добавить Расследования	Bulk	-	Active	LDMOS (Dual)	470MHz ~ 860MHz	21dB	50 V	20µA	-	1.4 A	140W	115 V
Таблицы данных	CLF1G0035-100P CLF1G0035-100 - 100W BROADBAND R NXP Semiconductors	3336	202.54	- + Добавить Расследования	Bulk	*	Active	-	-	-	-	-	-	-	-	-
Таблицы данных	BLF888BS,112 BLF888BS - LDMOS RF POWER TRANSI NXP Semiconductors	3338	251.69	- + Добавить Расследования	Bulk	*	Active	-	-	-	-	-	-	-	-	-
Таблицы данных	CLF1G0035-50H CLF1G0035-50 - 50W BROADBAND RF Ampleon USA Inc.	3454	272.45	- + Добавить Расследования	Tray	-	Active	GaN HEMT	3GHz	11.5dB	50 V	-	-	150 mA	50W	150 V
Таблицы данных	WPGM0206012 RF GAN HEMT MMIC 2pcs/pack WAVEPIA.,Co.Ltd	2849	600.00	- + Добавить Расследования	Bulk	-	Active	-	2GHz ~ 6GHz	9.6dB	48 V	-	-	610 mA	41dBm	50 V

Total 2760 Records«Prev 1... 57 58 59 606162 63 64...138 Next»