Transistors - FETs, MOSFETs - RF,Discrete Semiconductor Products

Таблицы данных	Производитель. Часть #	Акции	Цены	А	Packaging	Series	ProductStatus	TransistorType	Frequency	Gain	Voltage-Test	CurrentRating(Amps)	NoiseFigure	Current-Test	Power-Output	Voltage-Rated
Таблицы данных	RF3L05150CB4 150 W, 28/32 V RF POWER LDMOS TR STMicroelectronics	3688	205.93	- + Добавить Расследования	Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT),Digi-Reel®	-	Active	LDMOS	1GHz	23dB	28 V	1µA	-	500 mA	150W	90 V
Таблицы данных	BLL8H0514-25U RF FET LDMOS 100V 21DB SOT467C Ampleon USA Inc.	2502	255.13	- + Добавить Расследования	Tray	-	Discontinued at Mosen	LDMOS	1.2GHz	21dB	50 V	-	-	50 mA	25W	100 V
Таблицы данных	BLA9G1011LS-300U RF MOSFET LDMOS 32V SOT502B Ampleon USA Inc.	2789	257.36	- + Добавить Расследования	Tray	-	Discontinued at Mosen	LDMOS	1.03GHz ~ 1.09GHz	21.8dB	32 V	4.2µA	-	100 mA	317W	-
Таблицы данных	BLA9G1011L-300U RF MOSFET LDMOS 32V SOT502A Ampleon USA Inc.	3464	257.36	- + Добавить Расследования	Tray	-	Discontinued at Mosen	LDMOS	1.03GHz ~ 1.09GHz	21.8dB	32 V	4.2µA	-	100 mA	317W	-
Таблицы данных	BLF189XRBSU RF MOSFET SOT539 TRAY Ampleon USA Inc.	3828	267.03	- + Добавить Расследования	Tray	-	Discontinued at Mosen	LDMOS	108MHz	26dB	50 V	2.8µA	-	200 mA	1900W	135 V
Таблицы данных	BLL9G1214LS-600U BLL9G1214LS-600/SOT502/TRAY Ampleon USA Inc.	3171	282.85	- + Добавить Расследования	Tube	-	Discontinued at Mosen	LDMOS	1.2GHz ~ 1.4GHz	19dB	32 V	5µA	-	400 mA	600W	65 V
Таблицы данных	BLL8H1214LS-500U RF FET LDMOS 100V 17DB SOT539B Ampleon USA Inc.	3866	318.99	- + Добавить Расследования	Tray	-	Discontinued at Mosen	LDMOS (Dual), Common Source	1.2GHz ~ 1.4GHz	17dB	50 V	-	-	150 mA	500W	100 V
Таблицы данных	BLA9H0912LS-700U BLA9H0912LS-700/SOT502/TRAY Ampleon USA Inc.	3545	344.12	- + Добавить Расследования	Tray	-	Discontinued at Mosen	LDMOS	960MHz ~ 1.215GHz	20dB	50 V	2.8µA	-	100 mA	700W	106 V
Таблицы данных	BLA9H0912L-700GU BLA9H0912L-700G/SOT502/TRAY Ampleon USA Inc.	3135	344.12	- + Добавить Расследования	Tray	-	Discontinued at Mosen	LDMOS	960MHz ~ 1.215GHz	20dB	50 V	2.8µA	-	100 mA	700W	106 V
	VRF152GMP RF MOSFET (VDMOS) 140V 150W Microchip Technology	3198	356.13	- + Добавить Расследования	Bulk	-	Active	-	-	-	-	-	-	-	-	-
Таблицы данных	VRF2944MP MOSFET RF N-CH 170V 50A M177 Microchip Technology	3863	398.82	- + Добавить Расследования	Bulk	-	Active	N-Channel	30MHz	25dB	50 V	50A	-	250 mA	400W	170 V
Таблицы данных	BLA8H0910L-500U RF MOSFET LDMOS 50V SOT502A Ampleon USA Inc.	2940	459.65	- + Добавить Расследования	Tray	-	Discontinued at Mosen	LDMOS	900MHz ~ 930MHz	19dB	50 V	2.8µA	-	90 mA	500W	114.5 V
Таблицы данных	BLA8H0910LS-500U RF MOSFET LDMOS 50V SOT502B Ampleon USA Inc.	3718	459.65	- + Добавить Расследования	Tray	-	Discontinued at Mosen	LDMOS	900MHz ~ 930MHz	19dB	50 V	2.8µA	-	90 mA	500W	114.5 V
Таблицы данных	IGT8292M50 GAN, RF POWER TRANSISTOR, X-BAND Integra Technologies Inc.	3003	637.74	- + Добавить Расследования	Tray	*	Active	-	-	-	-	-	-	-	-	-
Таблицы данных	A3G26D055N-2400 RF REFERENCE CIRCUIT 28W 2400MHZ NXP USA Inc.	3674	675.00	- + Добавить Расследования	Bulk	-	Active	GaN	100MHz ~ 2.69GHz	13.9dB	48 V	-	-	40 mA	8W	125 V
Таблицы данных	A3G26D055N-100 RF REF CIRCUIT 25W 100-2800MHZ NXP USA Inc.	2092	675.00	- + Добавить Расследования	Bulk	-	Active	GaN	100MHz ~ 2.69GHz	13.9dB	48 V	-	-	40 mA	8W	125 V
Таблицы данных	IGT5259CW50 GAN, RF POWER TRANSISTOR, C-BAND Integra Technologies Inc.	2171	757.68	- + Добавить Расследования	Tray	*	Active	-	-	-	-	-	-	-	-	-
Таблицы данных	CGH27030S-AMP1 AMPLIFIER, 1.8-2.2GHZ, CGH27030S Wolfspeed, Inc.	2947	757.97	- + Добавить Расследования	Bulk	GaN	Active	HEMT	6GHz	21.1dB	28 V	-	-	200 mA	30W	120 V
Таблицы данных	IGN0912LM500 GAN, RF POWER TRANSISTOR, L-BAND Integra Technologies Inc.	3861	788.36	- + Добавить Расследования	Tray	*	Active	-	-	-	-	-	-	-	-	-
Таблицы данных	IGN2729M400R2 GAN, RF POWER TRANSISTOR, S-BAND Integra Technologies Inc.	2295	797.34	- + Добавить Расследования	Tray	*	Active	-	-	-	-	-	-	-	-	-

Total 2760 Records«Prev 1... 55 56 57 585960 61 62...138 Next»