Transistors - FETs, MOSFETs - RF,Discrete Semiconductor Products

Таблицы данных	Производитель. Часть #	Акции	Цены	А	Packaging	Series	ProductStatus	TransistorType	Frequency	Gain	Voltage-Test	CurrentRating(Amps)	NoiseFigure	Current-Test	Power-Output	Voltage-Rated
Таблицы данных	BLS8G2731LS-400PU RF FET LDMOS 65V 13DB SOT539B Ampleon USA Inc.	2689	825.60	- + Добавить Расследования	Tray	-	Discontinued at Mosen	LDMOS (Dual), Common Source	3.1GHz	13dB	32 V	-	-	200 mA	400W	65 V
Таблицы данных	MRF6VP21KHR5 FET RF 2CH 110V 225MHZ NI-1230 NXP USA Inc.	2201	883.31	- + Добавить Расследования	Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT),Digi-Reel®	-	Obsolete	LDMOS (Dual)	225MHz	24dB	50 V	-	-	150 mA	1000W	110 V
Таблицы данных	IGN1214M300 GAN, RF POWER TRANSISTOR, L-BAND Integra Technologies Inc.	3891	933.33	- + Добавить Расследования	Tray	*	Active	-	-	-	-	-	-	-	-	-
Таблицы данных	MRF24G300HS-2STG RF REFERENCE CIRCUIT 300W 2400MH NXP USA Inc.	3984	2700.00	- + Добавить Расследования	Bulk	-	Active	GaN	2.4GHz ~ 2.5GHz	15.3dB	48 V	-	-	-	336W	125 V
Таблицы данных	MRF24G300HS-2UP RF REFERENCE CIRCUIT 600W 2400MH NXP USA Inc.	2459	2700.00	- + Добавить Расследования	Bulk	-	Active	GaN	2.4GHz ~ 2.5GHz	15.3dB	48 V	-	-	-	336W	125 V
Таблицы данных	BLL6H1214LS-250,11 RF FET LDMOS 100V 17DB SOT502B Ampleon USA Inc.	3850	250.96	- + Добавить Расследования	Tray	-	Last Time Buy	LDMOS	1.2GHz ~ 1.4GHz	17dB	50 V	42A	-	100 mA	250W	100 V
Таблицы данных	2SK772E 2SK772 - N-CHANNEL JUNCTION SILI Sanyo	3086	0.19	- + Добавить Расследования	Bulk	*	Active	-	-	-	-	-	-	-	-	-
Таблицы данных	ON5173118 NEXPERIA ON5173 0, D2PAK NXP Semiconductors	3365	0.73	- + Добавить Расследования	Bulk	*	Active	-	-	-	-	-	-	-	-	-
Таблицы данных	A7101CLTK2/T0BC27J A71CL - PLUG & TRUST, FOR IOT NXP Semiconductors	3568	0.98	- + Добавить Расследования	Bulk	*	Active	-	-	-	-	-	-	-	-	-
Таблицы данных	2SK1069-4-TL-E 2SK1069 - N-CHANNEL JUNCTION SIL Sanyo	3744	1.07	- + Добавить Расследования	Bulk	*	Active	-	-	-	-	-	-	-	-	-
Таблицы данных	MRFIC1501R2 WIDE BAND LOW POWER AMPLIFIER, 1 Freescale Semiconductor	2016	1.58	- + Добавить Расследования	Bulk	*	Active	-	-	-	-	-	-	-	-	-
	A2T27S007NT1 A2T27S007 - 400-2700 MHZ, 28.8 D NXP Semiconductors	984	7.51	- + Добавить Расследования	Bulk	-	Obsolete	LDMOS	400MHz ~ 2.7GHz	18.9dB	28 V	10µA	-	60 mA	28.8dBm	65 V
Таблицы данных	MHT1008NT1 RF POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR Freescale Semiconductor	800	12.06	- + Добавить Расследования	Bulk	*	Active	-	-	-	-	-	-	-	-	-
Таблицы данных	TA9110K PA RF GAN PWR 6W .03-4GHZ 32V Tagore Technology	2513	23.98	- + Добавить Расследования	Tray	-	Active	GaN HEMT	30MHz ~ 4GHz	17dB	32 V	500mA	-	40 mA	6W	120 V
Таблицы данных	MRF101AN-START MRF101AN RF ESSENTIALS COMPONENT NXP USA Inc.	2380	46.88	- + Добавить Расследования	Bulk	-	Obsolete	LDMOS	1.8MHz ~ 250MHz	21.1dB	50 V	10µA	-	100 mA	115W	133 V
Таблицы данных	TA9210D PA RF GAN PWR 12.5W .03-4GHZ 32V Tagore Technology	3310	47.98	- + Добавить Расследования	Tray	-	Active	GaN HEMT	30MHz ~ 4GHz	18dB	32 V	700mA	-	50 mA	12.5W	120 V
Таблицы данных	TA9310E PA RF GAN PWR 20W .03-4GHZ 32V Tagore Technology	3661	49.99	- + Добавить Расследования	Strip	-	Active	GaN HEMT	30MHz ~ 4GHz	17.5dB	32 V	-	-	100 mA	20W	120 V
Таблицы данных	WP2806008UH RF GaN HEMT 28V DC ~ 6GHZ, 8W WAVEPIA.,Co.Ltd	2717	54.66	- + Добавить Расследования	Box	-	Active	GaN HEMT	6GHz	11dB	28 V	-	-	70 mA	6W	160 V
Таблицы данных	WP28020015 RF GaN HEMT 28V DIE DC~20GHZ, 15 WAVEPIA.,Co.Ltd	3885	57.97	- + Добавить Расследования	Box	-	Active	GaN HEMT	15GHz	10dB	28 V	880mA	-	300 mA	15W	28 V
Таблицы данных	TA9410E PA RF GAN PWR 25W .03-4GHZ 50V Tagore Technology	2572	70.00	- + Добавить Расследования	Tray	-	Active	GaN HEMT	20MHz ~ 3GHz	17dB	-	30A	-	-	25W	50 V

Total 2760 Records«Prev 1... 56 57 58 596061 62 63...138 Next»