Таблицы данных Фотографии Производитель. Часть # Акции Цены А Packaging Series ProductStatus FETType Technology DraintoSourceVoltage(Vdss) Current-ContinuousDrain(Id)@25°C DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) RdsOn(Max)@IdVgs Vgs(th)(Max)@Id GateCharge(Qg)(Max)@Vgs Vgs(Max) InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds FETFeature PowerDissipation(Max) OperatingTemperature MountingType
BSB028N06NN3GXUMA1

Таблицы данных

BSB028N06NN3GXUMA1

BSB028N06NN3GXUMA1

MOSFET N-CH 60V 22A/90A 2WDSON

Infineon Technologies

2731 3.36
- +

Добавить

Расследования

Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT),Digi-Reel® OptiMOS™ Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 22A (Ta), 90A (Tc) 10V 2.8mOhm @ 30A, 10V 4V @ 102µA 143 nC @ 10 V ±20V 12000 pF @ 30 V - 2.2W (Ta), 78W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount
IRFF223

Таблицы данных

IRFF223

IRFF223

3.0A, 150V, 1.2 OHM, N-CHANNEL P

International Rectifier

422 1.07
- +

Добавить

Расследования

Bulk * Active - - - - - - - - - - - - - -
BSC040N10NS5ATMA1

Таблицы данных

BSC040N10NS5ATMA1

BSC040N10NS5ATMA1

MOSFET N-CH 100V 100A TDSON

Infineon Technologies

2696 3.38
- +

Добавить

Расследования

Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT),Digi-Reel® OptiMOS™ Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 100A (Tc) 6V, 10V 4mOhm @ 50A, 10V 3.8V @ 95µA 72 nC @ 10 V ±20V 5300 pF @ 50 V - 2.5W (Ta), 139W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount
2SK2632LS-CB11

Таблицы данных

2SK2632LS-CB11

2SK2632LS-CB11

2SK2632 - 2.5A, 800V, 4.8OHM, N-

onsemi

300 1.07
- +

Добавить

Расследования

Bulk * Active - - - - - - - - - - - - - -
PSMN009-100B,118

Таблицы данных

PSMN009-100B,118

PSMN009-100B,118

NEXPERIA PSMN009-100B - 75A, 100

Nexperia USA Inc.

6669 1.08
- +

Добавить

Расследования

Bulk TrenchMOS™ Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 75A (Tc) 10V 8.8mOhm @ 25A, 10V 4V @ 1mA 156 nC @ 10 V ±20V 8250 pF @ 25 V - 230W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount
AUIRFR3504ZTRL

Таблицы данных

AUIRFR3504ZTRL

AUIRFR3504ZTRL

MOSFET N-CH 40V 42A DPAK

International Rectifier

1929 1.08
- +

Добавить

Расследования

Bulk HEXFET® Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 42A (Tc) - 9mOhm @ 42A, 10V 4V @ 250µA 45 nC @ 10 V - 1510 pF @ 25 V - 90W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount
PHB110NQ08T,118

Таблицы данных

PHB110NQ08T,118

PHB110NQ08T,118

MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK

NXP USA Inc.

750 1.08
- +

Добавить

Расследования

Bulk TrenchMOS™ Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75 V 75A (Tc) 10V 9mOhm @ 25A, 10V 4V @ 1mA 113.1 nC @ 10 V ±20V 4860 pF @ 25 V - 230W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount
AUIRLR3705ZTRL

Таблицы данных

AUIRLR3705ZTRL

AUIRLR3705ZTRL

MOSFET N-CH 55V 42A DPAK

International Rectifier

362 1.08
- +

Добавить

Расследования

Bulk HEXFET® Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 42A (Tc) - 8mOhm @ 42A, 10V 3V @ 250µA 66 nC @ 5 V - 2900 pF @ 25 V - 130W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount
FQI8N60CTU

Таблицы данных

FQI8N60CTU

FQI8N60CTU

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7

Fairchild Semiconductor

6000 1.09
- +

Добавить

Расследования

Bulk QFET® Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 7.5A (Tc) 10V 1.2Ohm @ 3.75A, 10V 4V @ 250µA 36 nC @ 10 V ±30V 1255 pF @ 25 V - 3.13W (Ta), 147W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole
PSMN070-200B,118

Таблицы данных

PSMN070-200B,118

PSMN070-200B,118

NEXPERIA PSMN070 - 35A, 200V, 0.

Nexperia USA Inc.

4600 1.09
- +

Добавить

Расследования

Bulk TrenchMOS™ Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 35A (Tc) 10V 70mOhm @ 17A, 10V 4V @ 1mA 77 nC @ 10 V ±20V 4570 pF @ 25 V - 250W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount
FQI4N90TU

Таблицы данных

FQI4N90TU

FQI4N90TU

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4

Fairchild Semiconductor

1502 1.09
- +

Добавить

Расследования

Bulk QFET® Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 900 V 4.2A (Tc) 10V 3.3Ohm @ 2.1A, 10V 5V @ 250µA 30 nC @ 10 V ±30V 1100 pF @ 25 V - 3.13W (Ta), 140W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole
BUK962R6-40E,118

Таблицы данных

BUK962R6-40E,118

BUK962R6-40E,118

MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK

NXP USA Inc.

640 1.09
- +

Добавить

Расследования

Bulk Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 100A (Tc) 5V, 10V 2.4mOhm @ 25A, 10V 2.1V @ 250µA 80.6 nC @ 32 V ±10V 10285 pF @ 25 V - 263W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount
HUFA75433S3ST HUFA75433S3ST

HUFA75433S3ST

64A, 60V, 0.016OHM, N-CHANNEL MO

Fairchild Semiconductor

520 1.09
- +

Добавить

Расследования

Bulk UltraFET® Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 64A (Tc) 10V 16mOhm @ 64A, 10V 4V @ 250µA 117 nC @ 20 V ±20V 1550 pF @ 25 V - 150W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount
IRF6726MTRPBFTR

Таблицы данных

IRF6726MTRPBFTR

IRF6726MTRPBFTR

IRF6726 - 12V-300V N-CHANNEL POW

International Rectifier

4800 1.10
- +

Добавить

Расследования

Bulk HEXFET® Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 32A (Ta), 180A (Tc) 4.5V, 10V 1.7mOhm @ 32A, 10V 2.35V @ 150µA 77 nC @ 4.5 V ±20V 6140 pF @ 15 V - 2.8W (Ta), 89W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount
IRF40DM229

Таблицы данных

IRF40DM229

IRF40DM229

MOSFET N-CH 40V 159A DIRECTFET

International Rectifier

9196 1.11
- +

Добавить

Расследования

Bulk StrongIRFET™ Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 159A (Tc) 6V, 10V 1.85mOhm @ 97A, 10V 3.9V @ 100µA 161 nC @ 10 V ±20V 5317 pF @ 25 V - 83W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount
IRL7486MTRPBF

Таблицы данных

IRL7486MTRPBF

IRL7486MTRPBF

IRL7486M - 12V-300V N-CHANNEL PO

International Rectifier

4920 1.11
- +

Добавить

Расследования

Bulk HEXFET®, StrongIRFET™ Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 209A (Tc) 4.5V, 10V 1.25mOhm @ 123A, 10V 2.5V @ 150µA 111 nC @ 4.5 V ±20V 6904 pF @ 25 V - 104W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount
BUK7E5R2-100E,127

Таблицы данных

BUK7E5R2-100E,127

BUK7E5R2-100E,127

NEXPERIA BUK7E5R2-100E - 120A, 1

NXP Semiconductors

473 1.11
- +

Добавить

Расследования

Bulk Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 120A (Tc) 10V 5.2mOhm @ 25A, 10V 4V @ 1mA 180 nC @ 10 V ±20V 11810 pF @ 25 V - 349W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole
IRL8114PBF

Таблицы данных

IRL8114PBF

IRL8114PBF

IRL8114 - 12V-300V N-CHANNEL POW

Infineon Technologies

6849 1.12
- +

Добавить

Расследования

Bulk HEXFET® Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 90A (Tc) - 4.5mOhm @ 40A, 10V 2.25V @ 250µA 29 nC @ 4.5 V ±20V 2660 pF @ 15 V - 115W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole
2SK3902-ZK-E1-AY 2SK3902-ZK-E1-AY

2SK3902-ZK-E1-AY

2SK3902-ZK-E1-AY - SWITCHING N-C

Renesas

2400 1.12
- +

Добавить

Расследования

Bulk - Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 30A (Tc) 4.5V, 10V 21mOhm @ 15A, 10V 2.5V @ 1mA 25 nC @ 10 V ±20V 1200 pF @ 10 V - 1.5W (Ta), 45W (Tc) 150°C Surface Mount
2SK3483-Z-AZ 2SK3483-Z-AZ

2SK3483-Z-AZ

2SK3483-Z-AZ - SWITCHING N-CHANN

Renesas

635 1.12
- +

Добавить

Расследования

Bulk - Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 28A (Ta) 4.5V, 10V 52mOhm @ 14A, 10V 2.5V @ 1mA 49 nC @ 10 V ±20V 2300 pF @ 10 V - 1W (Ta), 40W (Tc) 150°C Through Hole
Total 42442 Records«Prev1... 454455456457458459460461...2123Next»
Запрос котировок
Номер запчасти
А
Связь
Электронная почта
Компания
Замечания
  • Домой

    Домой

    Продукты

    Продукты

    Телефон

    Телефон

    Связь

    Связь