Таблицы данных Фотографии Производитель. Часть # Акции Цены А Packaging Series ProductStatus FETType Technology DraintoSourceVoltage(Vdss) Current-ContinuousDrain(Id)@25°C DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) RdsOn(Max)@IdVgs Vgs(th)(Max)@Id GateCharge(Qg)(Max)@Vgs Vgs(Max) InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds FETFeature PowerDissipation(Max) OperatingTemperature MountingType
RJK0390DPA-00#J5A

Таблицы данных

RJK0390DPA-00#J5A

RJK0390DPA-00#J5A

MOSFET N-CH 30V 65A 8WPAK

Renesas Electronics America Inc

6000 1.36
- +

Добавить

Расследования

Bulk - Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 65A (Ta) - 2.2mOhm @ 32.5A, 10V - 54 nC @ 4.5 V - 8900 pF @ 10 V - 60W (Tc) 150°C (TJ) Surface Mount
RJK0390DPA-WS#J53 RJK0390DPA-WS#J53

RJK0390DPA-WS#J53

N-CHANNEL POWER MOSFET

Renesas Electronics America Inc

5858 1.36
- +

Добавить

Расследования

Bulk * Active - - - - - - - - - - - - - -
RFP70N03

Таблицы данных

RFP70N03

RFP70N03

MOSFET N-CH 30V 70A TO220-3

Harris Corporation

5567 1.36
- +

Добавить

Расследования

Tube - Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 70A (Tc) - 10mOhm @ 70A, 10V 4V @ 250µA 260 nC @ 20 V - 3300 pF @ 25 V - - - Through Hole
RJK0391DPA-WS#J53 RJK0391DPA-WS#J53

RJK0391DPA-WS#J53

POWER TRANSISTOR, MOSFET

Renesas Electronics America Inc

3940 1.36
- +

Добавить

Расследования

Bulk * Active - - - - - - - - - - - - - -
BUK7C06-40AITE,118

Таблицы данных

BUK7C06-40AITE,118

BUK7C06-40AITE,118

MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK

NXP USA Inc.

3200 1.36
- +

Добавить

Расследования

Bulk Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 75A (Tc) 10V 6mOhm @ 50A, 10V 4V @ 1mA 120 nC @ 10 V ±20V 4300 pF @ 25 V Current Sensing 272W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount
2SK2736-E

Таблицы данных

2SK2736-E

2SK2736-E

N-CHANNEL POWER MOSFET

Renesas Electronics America Inc

3081 1.36
- +

Добавить

Расследования

Bulk * Active - - - - - - - - - - - - - -
RJK0379DPA-00#J5A

Таблицы данных

RJK0379DPA-00#J5A

RJK0379DPA-00#J5A

MOSFET N-CH 30V 50A 8WPAK

Renesas Electronics America Inc

3000 1.36
- +

Добавить

Расследования

Bulk - Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 50A (Ta) - 2.3mOhm @ 25A, 10V - 37 nC @ 4.5 V - 5150 pF @ 10 V - 55W (Tc) 150°C (TJ) Surface Mount
RJK03P7DPA-WS#J5A RJK03P7DPA-WS#J5A

RJK03P7DPA-WS#J5A

N-CHANNEL POWER MOSFET

Renesas Electronics America Inc

2950 1.36
- +

Добавить

Расследования

Bulk * Active - - - - - - - - - - - - - -
RJK03P9DPA-WS#J5A RJK03P9DPA-WS#J5A

RJK03P9DPA-WS#J5A

N-CHANNEL POWER MOSFET

Renesas Electronics America Inc

2900 1.36
- +

Добавить

Расследования

Bulk * Active - - - - - - - - - - - - - -
FCPF11N65 FCPF11N65

FCPF11N65

TRANS MOSFET N-CH 600V 11A 3PIN(

Fairchild Semiconductor

1315 1.47
- +

Добавить

Расследования

Bulk SuperFET™ Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 11A (Tc) - 380mOhm @ 5.5A, 10V 5V @ 250µA 52 nC @ 10 V - 1490 pF @ 25 V - 36W (Tc) - Through Hole
2SK2869-91L 2SK2869-91L

2SK2869-91L

N-CHANNEL POWER MOSFET

Renesas Electronics America Inc

1271 1.47
- +

Добавить

Расследования

Bulk * Active - - - - - - - - - - - - - -
FQAF7N90

Таблицы данных

FQAF7N90

FQAF7N90

MOSFET N-CH 900V 5.2A TO3PF

Fairchild Semiconductor

877 1.47
- +

Добавить

Расследования

Tube QFET® Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 900 V 5.2A (Tc) 10V 1.55Ohm @ 2.6A, 10V 5V @ 250µA 59 nC @ 10 V ±30V 2280 pF @ 25 V - 107W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole
HUF75542S3S

Таблицы данных

HUF75542S3S

HUF75542S3S

N-CHANNEL POWER MOSFET

Fairchild Semiconductor

400 1.47
- +

Добавить

Расследования

Bulk UltraFET™ Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 75A (Tc) 10V 14mOhm @ 75A, 10V 4V @ 250µA 180 nC @ 20 V ±20V 2750 pF @ 25 V - 230W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount
HUF76443S3ST

Таблицы данных

HUF76443S3ST

HUF76443S3ST

N-CHANNEL POWER MOSFET

Fairchild Semiconductor

800 1.53
- +

Добавить

Расследования

Bulk UltraFET® Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 75A (Tc) 4.5V, 10V 8mOhm @ 75A, 10V 3V @ 250µA 129 nC @ 10 V ±16V 4115 pF @ 25 V - 260W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount
IRF241

Таблицы данных

IRF241

IRF241

MOSFET N-CH 150V 18A TO204AE

International Rectifier

370 1.53
- +

Добавить

Расследования

Bulk HEXFET® Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 18A (Tc) - - - - - - - 125W - Through Hole
IRF143

Таблицы данных

IRF143

IRF143

MOSFET N-CH 60V 24A TO3

International Rectifier

203 1.53
- +

Добавить

Расследования

Bulk - Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 24A (Tc) - 110mOhm @ 15A, 10V 4V @ 250µA 60 nC @ 10 V ±20V 1600 pF @ 25 V - 125W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole
RJK0230DPA-WS#J5A RJK0230DPA-WS#J5A

RJK0230DPA-WS#J5A

N-CHANNEL POWER MOSFET

Renesas Electronics America Inc

2920 1.54
- +

Добавить

Расследования

Bulk * Active - - - - - - - - - - - - - -
PSMN1R9-40PL127

Таблицы данных

PSMN1R9-40PL127

PSMN1R9-40PL127

N-CHANNEL POWER MOSFET

NXP USA Inc.

2255 1.54
- +

Добавить

Расследования

Bulk * Active - - - - - - - - - - - - - -
RJK0379DPA-WS#J53 RJK0379DPA-WS#J53

RJK0379DPA-WS#J53

N-CHANNEL POWER MOSFET

Renesas Electronics America Inc

2700 1.36
- +

Добавить

Расследования

Bulk * Active - - - - - - - - - - - - - -
2SJ687-ZK-E2-AY

Таблицы данных

2SJ687-ZK-E2-AY

2SJ687-ZK-E2-AY

SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET

Renesas Electronics America Inc

2500 1.36
- +

Добавить

Расследования

Bulk * Active - - - - - - - - - - - - - -
Total 42442 Records«Prev1... 378379380381382383384385...2123Next»
Запрос котировок
Номер запчасти
А
Связь
Электронная почта
Компания
Замечания
  • Домой

    Домой

    Продукты

    Продукты

    Телефон

    Телефон

    Связь

    Связь