Таблицы данных Фотографии Производитель. Часть # Акции Цены А Packaging Series ProductStatus FETType Technology DraintoSourceVoltage(Vdss) Current-ContinuousDrain(Id)@25°C DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) RdsOn(Max)@IdVgs Vgs(th)(Max)@Id GateCharge(Qg)(Max)@Vgs Vgs(Max) InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds FETFeature PowerDissipation(Max) OperatingTemperature MountingType
IPB80N04S204ATMA1

Таблицы данных

IPB80N04S204ATMA1

IPB80N04S204ATMA1

MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3

Infineon Technologies

3013 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tape & Reel (TR) OptiMOS™ Discontinued at Mosen N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 80A (Tc) 10V 3.4mOhm @ 80A, 10V 4V @ 250µA 170 nC @ 10 V ±20V 5300 pF @ 25 V - 300W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount
IPB80N04S2H4ATMA1

Таблицы данных

IPB80N04S2H4ATMA1

IPB80N04S2H4ATMA1

MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3

Infineon Technologies

3607 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tape & Reel (TR) OptiMOS™ Discontinued at Mosen N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 80A (Tc) 10V 3.7mOhm @ 80A, 10V 4V @ 250µA 148 nC @ 10 V ±20V 4400 pF @ 25 V - 300W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount
IPB80N04S2L03ATMA1

Таблицы данных

IPB80N04S2L03ATMA1

IPB80N04S2L03ATMA1

MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3

Infineon Technologies

18000 0.97
- +

Добавить

Расследования

Tape & Reel (TR),Bulk OptiMOS™ Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 80A (Tc) 4.5V, 10V 3.1mOhm @ 80A, 10V 2V @ 250µA 213 nC @ 10 V ±20V 6000 pF @ 25 V - 300W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount
IPB80N06S205ATMA1

Таблицы данных

IPB80N06S205ATMA1

IPB80N06S205ATMA1

MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

Infineon Technologies

2998 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tape & Reel (TR) OptiMOS™ Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 80A (Tc) 10V 4.8mOhm @ 80A, 10V 4V @ 250µA 170 nC @ 10 V ±20V 5110 pF @ 25 V - 300W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount
IPB80N06S207ATMA1

Таблицы данных

IPB80N06S207ATMA1

IPB80N06S207ATMA1

MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

Infineon Technologies

2167 1.00
- +

Добавить

Расследования

Tape & Reel (TR),Bulk OptiMOS™ Discontinued at Mosen N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 80A (Tc) 10V 6.3mOhm @ 68A, 10V 4V @ 180µA 110 nC @ 10 V ±20V 3400 pF @ 25 V - 250W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount
IPB80N06S208ATMA1

Таблицы данных

IPB80N06S208ATMA1

IPB80N06S208ATMA1

MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

Infineon Technologies

3840 1.00
- +

Добавить

Расследования

Tape & Reel (TR),Bulk OptiMOS™ Discontinued at Mosen N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 80A (Tc) 10V 7.7mOhm @ 58A, 10V 4V @ 150µA 96 nC @ 10 V ±20V 2860 pF @ 25 V - 215W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount
IPB80N06S209ATMA1

Таблицы данных

IPB80N06S209ATMA1

IPB80N06S209ATMA1

MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

Infineon Technologies

2700 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tape & Reel (TR),Bulk OptiMOS™ Discontinued at Mosen N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 80A (Tc) 10V 8.8mOhm @ 50A, 10V 4V @ 125µA 80 nC @ 10 V ±20V 2360 pF @ 25 V - 190W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount
IPB80N06S2H5ATMA1

Таблицы данных

IPB80N06S2H5ATMA1

IPB80N06S2H5ATMA1

MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

Infineon Technologies

3982 1.00
- +

Добавить

Расследования

Tape & Reel (TR),Bulk OptiMOS™ Discontinued at Mosen N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 80A (Tc) 10V 5.2mOhm @ 80A, 10V 4V @ 230µA 155 nC @ 10 V ±20V 4400 pF @ 25 V - 300W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount
IPD082N10N3GBTMA1

Таблицы данных

IPD082N10N3GBTMA1

IPD082N10N3GBTMA1

MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3

Infineon Technologies

3807 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tape & Reel (TR) OptiMOS™ Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 80A (Tc) 6V, 10V 8.2mOhm @ 73A, 10V 3.5V @ 75µA 55 nC @ 10 V ±20V 3980 pF @ 50 V - 125W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount
IPD088N04LGBTMA1

Таблицы данных

IPD088N04LGBTMA1

IPD088N04LGBTMA1

MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3

Infineon Technologies

3088 1.00
- +

Добавить

Расследования

Tape & Reel (TR),Bulk OptiMOS™ Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 50A (Tc) 4.5V, 10V 8.8mOhm @ 50A, 10V 2V @ 16µA 28 nC @ 10 V ±20V 2100 pF @ 20 V - 47W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount
IPD096N08N3GBTMA1

Таблицы данных

IPD096N08N3GBTMA1

IPD096N08N3GBTMA1

MOSFET N-CH 80V 73A TO252-3

Infineon Technologies

2022 0.35
- +

Добавить

Расследования

Tape & Reel (TR),Bulk OptiMOS™ Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 73A (Tc) 6V, 10V 9.6mOhm @ 46A, 10V 3.5V @ 46µA 35 nC @ 10 V ±20V 2410 pF @ 40 V - 100W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount
IPD105N04LGBTMA1

Таблицы данных

IPD105N04LGBTMA1

IPD105N04LGBTMA1

MOSFET N-CH 40V 40A TO252-3

Infineon Technologies

2844 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tape & Reel (TR) OptiMOS™ Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 40A (Tc) 4.5V, 10V 10.5mOhm @ 40A, 10V 2V @ 14µA 23 nC @ 10 V ±20V 1900 pF @ 20 V - 42W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount
IPI040N06N3GHKSA1

Таблицы данных

IPI040N06N3GHKSA1

IPI040N06N3GHKSA1

MOSFET N-CH 60V 90A TO262-3

Infineon Technologies

2155 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tube OptiMOS™ Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 90A (Tc) 10V 4mOhm @ 90A, 10V 4V @ 90µA 98 nC @ 10 V ±20V 11000 pF @ 30 V - 188W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole
IPI04CN10N G

Таблицы данных

IPI04CN10N G

IPI04CN10N G

MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3

Infineon Technologies

2242 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tube OptiMOS™ Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 100A (Tc) 10V 4.2mOhm @ 100A, 10V 4V @ 250µA 210 nC @ 10 V ±20V 13800 pF @ 50 V - 300W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole
IPI057N08N3 G

Таблицы данных

IPI057N08N3 G

IPI057N08N3 G

MOSFET N-CH 80V 80A TO262-3

Infineon Technologies

2745 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tube OptiMOS™ Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 80A (Tc) 6V, 10V 5.7mOhm @ 80A, 10V 3.5V @ 90µA 69 nC @ 10 V ±20V 4750 pF @ 40 V - 150W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole
IPI05CN10N G

Таблицы данных

IPI05CN10N G

IPI05CN10N G

MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3

Infineon Technologies

2998 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tube OptiMOS™ Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 100A (Tc) 10V 5.4mOhm @ 100A, 10V 4V @ 250µA 181 nC @ 10 V ±20V 12000 pF @ 50 V - 300W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole
IPB80N06S2L05ATMA1

Таблицы данных

IPB80N06S2L05ATMA1

IPB80N06S2L05ATMA1

MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

Infineon Technologies

2755 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tape & Reel (TR) OptiMOS™ Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 80A (Tc) 4.5V, 10V 4.5mOhm @ 80A, 10V 2V @ 250µA 230 nC @ 10 V ±20V 5700 pF @ 25 V - 300W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount
IPB80N06S2L06ATMA1

Таблицы данных

IPB80N06S2L06ATMA1

IPB80N06S2L06ATMA1

MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

Infineon Technologies

2781 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tape & Reel (TR) OptiMOS™ Discontinued at Mosen N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 80A (Tc) 4.5V, 10V 6mOhm @ 69A, 10V 2V @ 180µA 150 nC @ 10 V ±20V 3800 pF @ 25 V - 250W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount
IPB80N06S2L07ATMA1

Таблицы данных

IPB80N06S2L07ATMA1

IPB80N06S2L07ATMA1

MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

Infineon Technologies

3640 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tape & Reel (TR) OptiMOS™ Discontinued at Mosen N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 80A (Tc) 4.5V, 10V 6.7mOhm @ 60A, 10V 2V @ 150µA 130 nC @ 10 V ±20V 3160 pF @ 25 V - 210W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount
IPB80N06S2L09ATMA1

Таблицы данных

IPB80N06S2L09ATMA1

IPB80N06S2L09ATMA1

MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

Infineon Technologies

3856 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tape & Reel (TR) OptiMOS™ Discontinued at Mosen N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 80A (Tc) 4.5V, 10V 8.2mOhm @ 52A, 10V 2V @ 125µA 105 nC @ 10 V ±20V 2620 pF @ 25 V - 190W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount
Total 42442 Records«Prev1... 16961697169816991700170117021703...2123Next»
Запрос котировок
Номер запчасти
А
Связь
Электронная почта
Компания
Замечания
  • Домой

    Домой

    Продукты

    Продукты

    Телефон

    Телефон

    Связь

    Связь

    Tipsχ