Таблицы данных Фотографии Производитель. Часть # Акции Цены А Packaging Series ProductStatus FETType Technology DraintoSourceVoltage(Vdss) Current-ContinuousDrain(Id)@25°C DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) RdsOn(Max)@IdVgs Vgs(th)(Max)@Id GateCharge(Qg)(Max)@Vgs Vgs(Max) InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds FETFeature PowerDissipation(Max) OperatingTemperature MountingType
IRC540PBF

Таблицы данных

IRC540PBF

IRC540PBF

MOSFET N-CH 100V 28A TO220-5

Vishay Siliconix

2370 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tube HEXFET® Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 28A (Tc) 10V 77mOhm @ 17A, 10V 4V @ 250µA 69 nC @ 10 V ±20V 1300 pF @ 25 V Current Sensing 150W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole
IRL2203NSPBF

Таблицы данных

IRL2203NSPBF

IRL2203NSPBF

MOSFET N-CH 30V 116A D2PAK

Infineon Technologies

2059 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tube HEXFET® Discontinued at Mosen N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 116A (Tc) 4.5V, 10V 7mOhm @ 60A, 10V 3V @ 250µA 60 nC @ 4.5 V ±16V 3290 pF @ 25 V - 3.8W (Ta), 180W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount
IRL3705NSPBF

Таблицы данных

IRL3705NSPBF

IRL3705NSPBF

MOSFET N-CH 55V 89A D2PAK

Infineon Technologies

3186 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tube HEXFET® Discontinued at Mosen N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 89A (Tc) 4V, 10V 10mOhm @ 46A, 10V 2V @ 250µA 98 nC @ 5 V ±16V 3600 pF @ 25 V - 3.8W (Ta), 170W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount
IRC640PBF

Таблицы данных

IRC640PBF

IRC640PBF

MOSFET N-CH 200V 18A TO220-5

Vishay Siliconix

3752 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tube HEXFET® Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 18A (Tc) 10V 180mOhm @ 11A, 10V 4V @ 250µA 70 nC @ 10 V ±20V 1300 pF @ 25 V Current Sensing 125W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole
IRFIZ48NPBF

Таблицы данных

IRFIZ48NPBF

IRFIZ48NPBF

MOSFET N-CH 55V 40A TO220AB FP

Infineon Technologies

3204 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tube HEXFET® Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 40A (Tc) 10V 16mOhm @ 22A, 10V 4V @ 250µA 89 nC @ 10 V ±20V 1900 pF @ 25 V - 54W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole
IRF1405SPBF

Таблицы данных

IRF1405SPBF

IRF1405SPBF

MOSFET N-CH 55V 131A D2PAK

Infineon Technologies

2762 1.00
- +

Добавить

Расследования

Tube,Tube HEXFET® Discontinued at Mosen N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 131A (Tc) 10V 5.3mOhm @ 101A, 10V 4V @ 250µA 260 nC @ 10 V ±20V 5480 pF @ 25 V - 200W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount
IRF1405LPBF

Таблицы данных

IRF1405LPBF

IRF1405LPBF

MOSFET N-CH 55V 131A TO262

Infineon Technologies

2198 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tube HEXFET® Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 131A (Tc) 10V 5.3mOhm @ 101A, 10V 4V @ 250µA 260 nC @ 10 V ±20V 5480 pF @ 25 V - 200W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole
IRF1404SPBF

Таблицы данных

IRF1404SPBF

IRF1404SPBF

MOSFET N-CH 40V 162A D2PAK

Infineon Technologies

2704 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tube HEXFET® Discontinued at Mosen N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 162A (Tc) 10V 4mOhm @ 95A, 10V 4V @ 250µA 200 nC @ 10 V ±20V 7360 pF @ 25 V - 3.8W (Ta), 200W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount
IRL1404SPBF

Таблицы данных

IRL1404SPBF

IRL1404SPBF

MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK

Infineon Technologies

2928 1.00
- +

Добавить

Расследования

Tube,Tube HEXFET® Discontinued at Mosen N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 160A (Tc) 4.3V, 10V 4mOhm @ 95A, 10V 3V @ 250µA 140 nC @ 5 V ±20V 6600 pF @ 25 V - 3.8W (Ta), 200W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount
IRF3415SPBF

Таблицы данных

IRF3415SPBF

IRF3415SPBF

MOSFET N-CH 150V 43A D2PAK

Infineon Technologies

2527 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tube HEXFET® Discontinued at Mosen N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 43A (Tc) 10V 42mOhm @ 22A, 10V 4V @ 250µA 200 nC @ 10 V ±20V 2400 pF @ 25 V - 3.8W (Ta), 200W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount
IRFB16N50KPBF

Таблицы данных

IRFB16N50KPBF

IRFB16N50KPBF

MOSFET N-CH 500V 17A TO220AB

Vishay Siliconix

3851 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tube - Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 17A (Tc) 10V 350mOhm @ 10A, 10V 5V @ 250µA 89 nC @ 10 V ±30V 2210 pF @ 25 V - 280W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole
IRFIB8N50KPBF

Таблицы данных

IRFIB8N50KPBF

IRFIB8N50KPBF

MOSFET N-CH 500V 6.7A TO220-3

Vishay Siliconix

3673 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tube - Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 6.7A (Tc) 10V 350mOhm @ 4A, 10V 5V @ 250µA 89 nC @ 10 V ±30V 2160 pF @ 25 V - 45W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole
IRFB61N15DPBF

Таблицы данных

IRFB61N15DPBF

IRFB61N15DPBF

MOSFET N-CH 150V 60A TO220AB

Infineon Technologies

2814 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tube HEXFET® Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 60A (Tc) 10V 32mOhm @ 36A, 10V 5.5V @ 250µA 140 nC @ 10 V ±30V 3470 pF @ 25 V - 2.4W (Ta), 330W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole
IRFBA1404PPBF

Таблицы данных

IRFBA1404PPBF

IRFBA1404PPBF

MOSFET N-CH 40V 206A SUPER-220

Infineon Technologies

250 1.56
- +

Добавить

Расследования

Bulk,Tube HEXFET® Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 206A (Tc) 10V 3.7mOhm @ 95A, 10V 4V @ 250µA 200 nC @ 10 V ±20V 7360 pF @ 25 V - 300W (Tc) -40°C ~ 175°C (TJ) Through Hole
IRL2910SPBF

Таблицы данных

IRL2910SPBF

IRL2910SPBF

MOSFET N-CH 100V 55A D2PAK

Infineon Technologies

3050 1.00
- +

Добавить

Расследования

Tube,Tube HEXFET® Discontinued at Mosen N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 55A (Tc) 4V, 10V 26mOhm @ 29A, 10V 2V @ 250µA 140 nC @ 5 V ±16V 3700 pF @ 25 V - 3.8W (Ta), 200W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount
IRF3710SPBF

Таблицы данных

IRF3710SPBF

IRF3710SPBF

MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK

Infineon Technologies

2806 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tube HEXFET® Discontinued at Mosen N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 57A (Tc) 10V 23mOhm @ 28A, 10V 4V @ 250µA 130 nC @ 10 V ±20V 3130 pF @ 25 V - 200W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount
IRF3710LPBF

Таблицы данных

IRF3710LPBF

IRF3710LPBF

MOSFET N-CH 100V 57A TO262

Infineon Technologies

2881 1.00
- +

Добавить

Расследования

Bulk,Tube HEXFET® Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 57A (Tc) 10V 23mOhm @ 28A, 10V 4V @ 250µA 130 nC @ 10 V ±20V 3130 pF @ 25 V - 200W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole
IRL2505SPBF

Таблицы данных

IRL2505SPBF

IRL2505SPBF

MOSFET N-CH 55V 104A D2PAK

Infineon Technologies

3987 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tube HEXFET® Discontinued at Mosen N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 104A (Tc) 4V, 10V 8mOhm @ 54A, 10V 2V @ 250µA 130 nC @ 5 V ±16V 5000 pF @ 25 V - 3.8W (Ta), 200W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount
IRF3205SPBF

Таблицы данных

IRF3205SPBF

IRF3205SPBF

MOSFET N-CH 55V 110A D2PAK

Infineon Technologies

3294 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tube HEXFET® Discontinued at Mosen N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 110A (Tc) 10V 8mOhm @ 62A, 10V 4V @ 250µA 146 nC @ 10 V ±20V 3247 pF @ 25 V - 200W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount
IRLBA1304PPBF

Таблицы данных

IRLBA1304PPBF

IRLBA1304PPBF

MOSFET N-CH 40V 185A SUPER-220

Infineon Technologies

2509 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tube HEXFET® Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 185A (Tc) 4.5V, 10V 4mOhm @ 110A, 10V 1V @ 250µA 140 nC @ 4.5 V ±16V 7660 pF @ 25 V - 300W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole
Total 42442 Records«Prev1... 14451446144714481449145014511452...2123Next»
Запрос котировок
Номер запчасти
А
Связь
Электронная почта
Компания
Замечания
  • Домой

    Домой

    Продукты

    Продукты

    Телефон

    Телефон

    Связь

    Связь