Таблицы данных Фотографии Производитель. Часть # Акции Цены А Packaging Series ProductStatus FETType Technology DraintoSourceVoltage(Vdss) Current-ContinuousDrain(Id)@25°C DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) RdsOn(Max)@IdVgs Vgs(th)(Max)@Id GateCharge(Qg)(Max)@Vgs Vgs(Max) InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds FETFeature PowerDissipation(Max) OperatingTemperature MountingType
IRLR3714TRL

Таблицы данных

IRLR3714TRL

IRLR3714TRL

MOSFET N-CH 20V 36A DPAK

Infineon Technologies

3603 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tape & Reel (TR) HEXFET® Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 36A (Tc) 4.5V, 10V 20mOhm @ 18A, 10V 3V @ 250µA 9.7 nC @ 4.5 V ±20V 670 pF @ 10 V - 47W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount
IRLR3714TRR

Таблицы данных

IRLR3714TRR

IRLR3714TRR

MOSFET N-CH 20V 36A DPAK

Infineon Technologies

2933 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tape & Reel (TR) HEXFET® Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 36A (Tc) 4.5V, 10V 20mOhm @ 18A, 10V 3V @ 250µA 9.7 nC @ 4.5 V ±20V 670 pF @ 10 V - 47W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount
IRLR3715TR

Таблицы данных

IRLR3715TR

IRLR3715TR

MOSFET N-CH 20V 54A DPAK

Infineon Technologies

3856 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tape & Reel (TR) HEXFET® Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 54A (Tc) 4.5V, 10V 14mOhm @ 26A, 10V 3V @ 250µA 17 nC @ 4.5 V ±20V 1060 pF @ 10 V - 3.8W (Ta), 71W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount
IRLR3715TRL

Таблицы данных

IRLR3715TRL

IRLR3715TRL

MOSFET N-CH 20V 54A DPAK

Infineon Technologies

2481 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tape & Reel (TR) HEXFET® Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 54A (Tc) 4.5V, 10V 14mOhm @ 26A, 10V 3V @ 250µA 17 nC @ 4.5 V ±20V 1060 pF @ 10 V - 3.8W (Ta), 71W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount
IRLR3715TRR

Таблицы данных

IRLR3715TRR

IRLR3715TRR

MOSFET N-CH 20V 54A DPAK

Infineon Technologies

2838 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tape & Reel (TR) HEXFET® Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 54A (Tc) 4.5V, 10V 14mOhm @ 26A, 10V 3V @ 250µA 17 nC @ 4.5 V ±20V 1060 pF @ 10 V - 3.8W (Ta), 71W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount
IRLR8103VTRL

Таблицы данных

IRLR8103VTRL

IRLR8103VTRL

MOSFET N-CH 30V 91A DPAK

Infineon Technologies

2745 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tape & Reel (TR) HEXFET® Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 91A (Tc) 4.5V, 10V 9mOhm @ 15A, 10V 3V @ 250µA 27 nC @ 5 V ±20V 2672 pF @ 16 V - 115W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount
IRLR8103VTRR

Таблицы данных

IRLR8103VTRR

IRLR8103VTRR

MOSFET N-CH 30V 91A DPAK

Infineon Technologies

3211 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tape & Reel (TR) HEXFET® Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 91A (Tc) 4.5V, 10V 9mOhm @ 15A, 10V 3V @ 250µA 27 nC @ 5 V ±20V 2672 pF @ 16 V - 115W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount
IRLU3714TR IRLU3714TR

IRLU3714TR

MOSFET N-CH 20V 36A TO251AA

Vishay Siliconix

3821 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tube - Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 36A (Tc) 4.5V, 10V 20mOhm @ 18A, 10V 3V @ 250µA 9.7 nC @ 4.5 V ±20V 670 pF @ 10 V - 47W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole
IRFPS3810

Таблицы данных

IRFPS3810

IRFPS3810

MOSFET N-CH 100V 170A SUPER247

Infineon Technologies

3470 0.00
- +

Добавить

Расследования

Bag HEXFET® Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 170A (Tc) 10V 9mOhm @ 100A, 10V 5V @ 250µA 390 nC @ 10 V ±30V 6790 pF @ 25 V - 580W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole
IRF6215L-103

Таблицы данных

IRF6215L-103

IRF6215L-103

MOSFET P-CH 150V 13A TO262

Infineon Technologies

3887 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tube HEXFET® Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 13A (Tc) 10V 290mOhm @ 6.6A, 10V 4V @ 250µA 66 nC @ 10 V ±20V 860 pF @ 25 V - 3.8W (Ta), 110W (Tc) - Through Hole
IRFC2604B

Таблицы данных

IRFC2604B

IRFC2604B

MOSFET

Infineon Technologies

3026 0.00
- +

Добавить

Расследования

- - Obsolete - - - - - - - - - - - - - Surface Mount
HRF3205

Таблицы данных

HRF3205

HRF3205

MOSFET N-CH 55V 100A TO220-3

onsemi

3471 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tape & Reel (TR) - Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 100A (Tc) 10V 8mOhm @ 59A, 10V 4V @ 250µA 170 nC @ 10 V ±20V 4000 pF @ 25 V - 175W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole
HRFZ44N

Таблицы данных

HRFZ44N

HRFZ44N

MOSFET N-CH 55V 49A TO220-3

onsemi

2275 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tube UltraFET™ Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 49A (Tc) 10V 22mOhm @ 25A, 10V 4V @ 250µA 75 nC @ 20 V ±20V 1060 pF @ 25 V - 120W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole
IRF530N_R4942

Таблицы данных

IRF530N_R4942

IRF530N_R4942

MOSFET N-CH 100V 22A TO220-3

onsemi

2962 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tube - Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 22A (Tc) - 64mOhm @ 22A, 10V 4V @ 250µA 52 nC @ 20 V - 790 pF @ 25 V - - - Through Hole
IRF540N_R4942

Таблицы данных

IRF540N_R4942

IRF540N_R4942

MOSFET N-CH 100V 33A TO220-3

onsemi

3987 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tube - Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 33A (Tc) 10V 40mOhm @ 33A, 10V 4V @ 250µA 79 nC @ 20 V ±20V 1220 pF @ 25 V - 120W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole
IRFP460_R4943

Таблицы данных

IRFP460_R4943

IRFP460_R4943

MOSFET N-CH 500V 20A TO247-3

onsemi

3049 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tube - Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 20A (Tc) - 270mOhm @ 11A, 10V 4V @ 250µA 190 nC @ 10 V - 4100 pF @ 25 V - - - Through Hole
IRFR120_R4941

Таблицы данных

IRFR120_R4941

IRFR120_R4941

MOSFET N-CH 100V 8.4A TO252AA

onsemi

3284 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tube - Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 8.4A (Tc) 10V 270mOhm @ 5.9A, 10V 4V @ 250µA 15 nC @ 10 V ±20V 350 pF @ 25 V - 50W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount
IRFU120_R4941

Таблицы данных

IRFU120_R4941

IRFU120_R4941

MOSFET N-CH 100V 8.4A I-PAK

onsemi

3273 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tube - Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 8.4A (Tc) - 270mOhm @ 5.9A, 10V 4V @ 250µA 15 nC @ 10 V - 350 pF @ 25 V - - - Through Hole
IRFU220_R4941

Таблицы данных

IRFU220_R4941

IRFU220_R4941

MOSFET N-CH 200V 4.6A I-PAK

onsemi

2512 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tube - Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 4.6A (Tc) 10V 800mOhm @ 2.4A, 10V 4V @ 250µA 18 nC @ 10 V ±20V 330 pF @ 25 V - 50W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole
RFD10P03LSM

Таблицы данных

RFD10P03LSM

RFD10P03LSM

MOSFET P-CH 30V 10A TO252-3

onsemi

2742 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tube - Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 10A (Tc) - 200mOhm @ 10A, 5V 2V @ 250µA 30 nC @ 10 V - 1035 pF @ 25 V - - - Surface Mount
Total 42442 Records«Prev1... 13911392139313941395139613971398...2123Next»
Запрос котировок
Номер запчасти
А
Связь
Электронная почта
Компания
Замечания
  • Домой

    Домой

    Продукты

    Продукты

    Телефон

    Телефон

    Связь

    Связь