Таблицы данных Фотографии Производитель. Часть # Акции Цены А Packaging Series ProductStatus FETType Technology DraintoSourceVoltage(Vdss) Current-ContinuousDrain(Id)@25°C DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) RdsOn(Max)@IdVgs Vgs(th)(Max)@Id GateCharge(Qg)(Max)@Vgs Vgs(Max) InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds FETFeature PowerDissipation(Max) OperatingTemperature MountingType
IRFZ44VS

Таблицы данных

IRFZ44VS

IRFZ44VS

MOSFET N-CH 60V 55A D2PAK

Infineon Technologies

3377 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tube HEXFET® Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 55A (Tc) 10V 16.5mOhm @ 31A, 10V 4V @ 250µA 67 nC @ 10 V ±20V 1812 pF @ 25 V - 115W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount
IRFR3706

Таблицы данных

IRFR3706

IRFR3706

MOSFET N-CH 20V 75A DPAK

Infineon Technologies

3616 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tube HEXFET® Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 75A (Tc) 2.8V, 10V 9mOhm @ 15A, 10V 2V @ 250µA 35 nC @ 4.5 V ±12V 2410 pF @ 10 V - 88W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount
IRFP31N50L

Таблицы данных

IRFP31N50L

IRFP31N50L

MOSFET N-CH 500V 31A TO247-3

Vishay Siliconix

3946 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tube - Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 31A (Tc) 10V 180mOhm @ 19A, 10V 5V @ 250µA 210 nC @ 10 V ±30V 5000 pF @ 25 V - 460W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole
IRF7706

Таблицы данных

IRF7706

IRF7706

MOSFET P-CH 30V 7A 8TSSOP

Infineon Technologies

2884 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tube HEXFET® Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 7A (Ta) 4.5V, 10V 22mOhm @ 7A, 10V 2.5V @ 250µA 72 nC @ 10 V ±20V 2211 pF @ 25 V - 1.51W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount
IRFPS43N50K IRFPS43N50K

IRFPS43N50K

MOSFET N-CH 500V 47A SUPER247

Vishay Siliconix

2582 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tube - Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 47A (Tc) 10V 90mOhm @ 28A, 10V 5V @ 250µA 350 nC @ 10 V ±30V 8310 pF @ 25 V - 540W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole
IRF7241

Таблицы данных

IRF7241

IRF7241

MOSFET P-CH 40V 6.2A 8SO

Infineon Technologies

2260 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tube HEXFET® Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 6.2A (Ta) 4.5V, 10V 41mOhm @ 6.2A, 10V 3V @ 250µA 80 nC @ 10 V ±20V 3220 pF @ 25 V - 2.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount
IRFPS40N50L IRFPS40N50L

IRFPS40N50L

MOSFET N-CH 500V 46A SUPER247

Vishay Siliconix

3550 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tube - Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 46A (Tc) 10V 100mOhm @ 28A, 10V 5V @ 250µA 380 nC @ 10 V ±30V 8110 pF @ 25 V - 540W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole
IRFP32N50K

Таблицы данных

IRFP32N50K

IRFP32N50K

MOSFET N-CH 500V 32A TO247-3

Vishay Siliconix

2974 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tube - Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 32A (Tc) 10V 160mOhm @ 32A, 10V 5V @ 250µA 190 nC @ 10 V ±30V 5280 pF @ 25 V - 460W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole
IRFU3707

Таблицы данных

IRFU3707

IRFU3707

MOSFET N-CH 30V 61A IPAK

Infineon Technologies

2217 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tube HEXFET® Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 61A (Tc) 4.5V, 10V 13mOhm @ 15A, 10V 3V @ 250µA 19 nC @ 4.5 V ±20V 1990 pF @ 15 V - 87W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole
IRFP3703

Таблицы данных

IRFP3703

IRFP3703

MOSFET N-CH 30V 210A TO247AC

Infineon Technologies

2164 0.00
- +

Добавить

Расследования

Bag HEXFET® Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 210A (Tc) 7V, 10V 2.8mOhm @ 76A, 10V 4V @ 250µA 209 nC @ 10 V ±20V 8250 pF @ 25 V - 3.8W (Ta), 230W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole
IRFB18N50K

Таблицы данных

IRFB18N50K

IRFB18N50K

MOSFET N-CH 500V 17A TO220AB

Vishay Siliconix

2171 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tube - Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 17A (Tc) 10V 290mOhm @ 10A, 10V 5V @ 250µA 120 nC @ 10 V ±30V 2830 pF @ 25 V - 220W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole
IRFP23N50L

Таблицы данных

IRFP23N50L

IRFP23N50L

MOSFET N-CH 500V 23A TO247-3

Vishay Siliconix

2361 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tube - Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 23A (Tc) 10V 235mOhm @ 14A, 10V 5V @ 250µA 150 nC @ 10 V ±30V 3600 pF @ 25 V - 370W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole
IRFP460P

Таблицы данных

IRFP460P

IRFP460P

MOSFET N-CH 500V 20A TO247-3

Vishay Siliconix

3291 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tube - Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 20A (Tc) - 270mOhm @ 12A, 10V 4V @ 250µA 210 nC @ 10 V - 4200 pF @ 25 V - - -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole
IRFU3706

Таблицы данных

IRFU3706

IRFU3706

MOSFET N-CH 20V 75A IPAK

Infineon Technologies

3374 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tube HEXFET® Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 75A (Tc) 2.8V, 10V 9mOhm @ 15A, 10V 2V @ 250µA 35 nC @ 4.5 V ±12V 2410 pF @ 10 V - 88W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole
IRLL1503

Таблицы данных

IRLL1503

IRLL1503

MOSFET N-CH 30V 75A SOT223

Infineon Technologies

2996 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tube HEXFET® Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 75A (Ta) - 3.3mOhm @ 140A, 10V 4V @ 250µA 200 nC @ 10 V - 5730 pF @ 25 V - - - Through Hole
IRLU3714

Таблицы данных

IRLU3714

IRLU3714

MOSFET N-CH 20V 36A I-PAK

Infineon Technologies

2857 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tube HEXFET® Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 36A (Tc) 4.5V, 10V 20mOhm @ 18A, 10V 3V @ 250µA 9.7 nC @ 4.5 V ±20V 670 pF @ 10 V - 47W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole
IRLR3715

Таблицы данных

IRLR3715

IRLR3715

MOSFET N-CH 20V 54A DPAK

Infineon Technologies

3299 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tube HEXFET® Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 54A (Tc) 4.5V, 10V 14mOhm @ 26A, 10V 3V @ 250µA 17 nC @ 4.5 V ±20V 1060 pF @ 10 V - 3.8W (Ta), 71W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount
IRLU3715

Таблицы данных

IRLU3715

IRLU3715

MOSFET N-CH 20V 54A I-PAK

Infineon Technologies

3923 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tube HEXFET® Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 54A (Tc) 4.5V, 10V 14mOhm @ 26A, 10V 3V @ 250µA 17 nC @ 4.5 V ±20V 1060 pF @ 10 V - 3.8W (Ta), 71W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole
IRF3711S

Таблицы данных

IRF3711S

IRF3711S

MOSFET N-CH 20V 110A D2PAK

Infineon Technologies

3718 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tube HEXFET® Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 110A (Tc) 4.5V, 10V 6mOhm @ 15A, 10V 3V @ 250µA 44 nC @ 4.5 V ±20V 2980 pF @ 10 V - 3.1W (Ta), 120W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount
IRFR3711

Таблицы данных

IRFR3711

IRFR3711

MOSFET N-CH 20V 100A DPAK

Infineon Technologies

2821 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tube HEXFET® Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 100A (Tc) 4.5V, 10V 6.5mOhm @ 15A, 10V 3V @ 250µA 44 nC @ 4.5 V ±20V 2980 pF @ 10 V - 2.5W (Ta), 120W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount
Total 42442 Records«Prev1... 13821383138413851386138713881389...2123Next»
Запрос котировок
Номер запчасти
А
Связь
Электронная почта
Компания
Замечания
  • Домой

    Домой

    Продукты

    Продукты

    Телефон

    Телефон

    Связь

    Связь