Таблицы данных Фотографии Производитель. Часть # Акции Цены А Packaging Series ProductStatus FETType Technology DraintoSourceVoltage(Vdss) Current-ContinuousDrain(Id)@25°C DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) RdsOn(Max)@IdVgs Vgs(th)(Max)@Id GateCharge(Qg)(Max)@Vgs Vgs(Max) InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds FETFeature PowerDissipation(Max) OperatingTemperature MountingType
2SK353900L

Таблицы данных

2SK353900L

2SK353900L

MOSFET N-CH 50V 100MA SMINI3-G1

Panasonic Electronic Components

2379 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT),Digi-Reel® - Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 50 V 100mA (Ta) 2.5V, 4V 15Ohm @ 10mA, 2.5V 1.5V @ 1µA - ±7V 12 pF @ 3 V - 150mW (Ta) 150°C (TJ) Surface Mount
2SK306400L

Таблицы данных

2SK306400L

2SK306400L

MOSFET N-CH 30V 100MA SMINI3-G1

Panasonic Electronic Components

3144 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT),Digi-Reel® - Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 100mA (Ta) 5V 50Ohm @ 10mA, 5V 2V @ 1µA - ±20V - - 150mW (Ta) 150°C (TJ) Surface Mount
HUFA75344P3

Таблицы данных

HUFA75344P3

HUFA75344P3

MOSFET N-CH 55V 75A TO220-3

onsemi

2582 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tube UltraFET™ Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 75A (Tc) 10V 8mOhm @ 75A, 10V 4V @ 250µA 210 nC @ 20 V ±20V 3200 pF @ 25 V - 285W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole
HUFA75344G3

Таблицы данных

HUFA75344G3

HUFA75344G3

MOSFET N-CH 55V 75A TO247-3

onsemi

3477 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tube UltraFET™ Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 75A (Tc) 10V 8mOhm @ 75A, 10V 4V @ 250µA 210 nC @ 20 V ±20V 3200 pF @ 25 V - 285W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole
RFP70N03

Таблицы данных

RFP70N03

RFP70N03

MOSFET N-CH 30V 70A TO220-3

onsemi

3641 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tube - Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 70A (Tc) - 10mOhm @ 70A, 10V 4V @ 250µA 260 nC @ 20 V - 3300 pF @ 25 V - - - Through Hole
IXFR12N100 IXFR12N100

IXFR12N100

MOSFET N-CH 1000V 10A ISOPLUS247

IXYS

3772 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tube HiPerFET™ Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1000 V 10A (Tc) - 1.1Ohm @ 6A, 10V 5.5V @ 4mA 90 nC @ 10 V - 2900 pF @ 25 V - - - Through Hole
IRF7700

Таблицы данных

IRF7700

IRF7700

MOSFET P-CH 20V 8.6A 8TSSOP

Infineon Technologies

3940 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tube HEXFET® Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 8.6A (Tc) 2.5V, 4.5V 15mOhm @ 8.6A, 4.5V 1.2V @ 250µA 89 nC @ 5 V ±12V 4300 pF @ 15 V - 1.5W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount
BSS138W-7

Таблицы данных

BSS138W-7

BSS138W-7

MOSFET N-CH 50V 0.2A SOT323

Diodes Incorporated

2383 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) - Discontinued at Mosen N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 50 V 200mA (Ta) 10V 3.5Ohm @ 220mA, 10V 1.5V @ 250µA - ±20V 50 pF @ 10 V - 200mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount
BSS84W-7

Таблицы данных

BSS84W-7

BSS84W-7

MOSFET P-CH 50V 130MA SOT323

Diodes Incorporated

2094 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) - Discontinued at Mosen P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 50 V 130mA (Ta) 5V 10Ohm @ 100mA, 5V 2V @ 1mA - ±20V 45 pF @ 25 V - 200mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount
IXFH15N80Q

Таблицы данных

IXFH15N80Q

IXFH15N80Q

MOSFET N-CH 800V 15A TO247AD

IXYS

3321 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tube HiPerFET™, Q Class Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 15A (Tc) 10V 600mOhm @ 7.5A, 10V 4.5V @ 4mA 90 nC @ 10 V ±20V 4300 pF @ 25 V - 300W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole
IXFH20N80Q

Таблицы данных

IXFH20N80Q

IXFH20N80Q

MOSFET N-CH 800V 20A TO247AD

IXYS

2325 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tube HiPerFET™ Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 20A (Tc) 10V 420mOhm @ 10A, 10V 4.5V @ 4mA 200 nC @ 10 V ±20V 5100 pF @ 25 V - 360W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole
IXFH26N60Q

Таблицы данных

IXFH26N60Q

IXFH26N60Q

MOSFET N-CH 600V 26A TO247AD

IXYS

3660 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tube HiPerFET™ Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 26A (Tc) 10V 250mOhm @ 13A, 10V 4.5V @ 4mA 200 nC @ 10 V ±20V 5100 pF @ 25 V - 360W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole
IXFH52N30Q

Таблицы данных

IXFH52N30Q

IXFH52N30Q

MOSFET N-CH 300V 52A TO247AD

IXYS

3324 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tube HiPerFET™, Q Class Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 300 V 52A (Tc) 10V 60mOhm @ 500mA, 10V 4V @ 4mA 150 nC @ 10 V ±20V 5300 pF @ 25 V - 360W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole
IXFH80N20Q

Таблицы данных

IXFH80N20Q

IXFH80N20Q

MOSFET N-CH 200V 80A TO247AD

IXYS

3642 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tube HiPerFET™ Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 80A (Tc) 10V 28mOhm @ 500mA, 10V 4V @ 4mA 180 nC @ 10 V ±20V 4600 pF @ 25 V - 360W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole
IXFK120N20

Таблицы данных

IXFK120N20

IXFK120N20

MOSFET N-CH 200V 120A TO-264AA

IXYS

2236 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tube HiPerFET™ Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 120A (Tc) 10V 17mOhm @ 60A, 10V 4V @ 8mA 300 nC @ 10 V ±20V 9100 pF @ 25 V - 560W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole
IXFK180N10

Таблицы данных

IXFK180N10

IXFK180N10

MOSFET N-CH 100V 180A TO264AA

IXYS

2254 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tube HiPerFET™ Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 180A (Tc) 10V 8mOhm @ 90A, 10V 4V @ 8mA 390 nC @ 10 V ±20V 10900 pF @ 25 V - 560W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole
IXFK27N80

Таблицы данных

IXFK27N80

IXFK27N80

MOSFET N-CH 800V 27A TO264AA

IXYS

2562 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tube HiPerFET™ Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 27A (Tc) 10V 300mOhm @ 13.5A, 10V 4.5V @ 8mA 400 nC @ 10 V ±20V 9740 pF @ 25 V - 500W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole
IXFK90N20Q

Таблицы данных

IXFK90N20Q

IXFK90N20Q

MOSFET N-CH 200V 90A TO264AA

IXYS

2047 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tube HiPerFET™, Q Class Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 90A (Tc) 10V 22mOhm @ 45A, 10V 4V @ 4mA 190 nC @ 10 V ±20V 6800 pF @ 25 V - 500W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole
IRF7469

Таблицы данных

IRF7469

IRF7469

MOSFET N-CH 40V 9A 8SO

Infineon Technologies

2551 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tube HEXFET® Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 9A (Ta) 4.5V, 10V 17mOhm @ 9A, 10V 3V @ 250µA 23 nC @ 4.5 V ±20V 2000 pF @ 20 V - 2.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount
IRF3708L

Таблицы данных

IRF3708L

IRF3708L

MOSFET N-CH 30V 62A TO262

Infineon Technologies

2612 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tube HEXFET® Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 62A (Tc) 2.8V, 10V 12mOhm @ 15A, 10V 2V @ 250µA 24 nC @ 4.5 V ±12V 2417 pF @ 15 V - 87W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole
Total 42442 Records«Prev1... 13801381138213831384138513861387...2123Next»
Запрос котировок
Номер запчасти
А
Связь
Электронная почта
Компания
Замечания
  • Домой

    Домой

    Продукты

    Продукты

    Телефон

    Телефон

    Связь

    Связь