Таблицы данных Фотографии Производитель. Часть # Акции Цены А Packaging Series ProductStatus FETType Technology DraintoSourceVoltage(Vdss) Current-ContinuousDrain(Id)@25°C DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) RdsOn(Max)@IdVgs Vgs(th)(Max)@Id GateCharge(Qg)(Max)@Vgs Vgs(Max) InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds FETFeature PowerDissipation(Max) OperatingTemperature MountingType
IRFBC40STRL

Таблицы данных

IRFBC40STRL

IRFBC40STRL

MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK

Vishay Siliconix

2660 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tape & Reel (TR) - Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 6.2A (Tc) 10V 1.2Ohm @ 3.7A, 10V 4V @ 250µA 60 nC @ 10 V ±20V 1300 pF @ 25 V - 3.1W (Ta), 130W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount
IRFBC40STRR

Таблицы данных

IRFBC40STRR

IRFBC40STRR

MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK

Vishay Siliconix

3026 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tape & Reel (TR) - Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 6.2A (Tc) 10V 1.2Ohm @ 3.7A, 10V 4V @ 250µA 60 nC @ 10 V ±20V 1300 pF @ 25 V - 3.1W (Ta), 130W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount
IRFBE20L

Таблицы данных

IRFBE20L

IRFBE20L

MOSFET N-CH 800V 1.8A I2PAK

Vishay Siliconix

3149 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tube - Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 1.8A (Tc) 10V 6.5Ohm @ 1.1A, 10V 4V @ 250µA 38 nC @ 10 V ±20V 530 pF @ 25 V - - -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole
IRFBE20S IRFBE20S

IRFBE20S

MOSFET N-CH 800V 1.8A D2PAK

Vishay Siliconix

2668 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tube - Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 1.8A (Tc) 10V 6.5Ohm @ 1.1A, 10V 4V @ 250µA 38 nC @ 10 V ±20V 530 pF @ 25 V - - -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount
IRFBE20STRL

Таблицы данных

IRFBE20STRL

IRFBE20STRL

MOSFET N-CH 800V 1.8A D2PAK

Vishay Siliconix

3892 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tape & Reel (TR) - Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 1.8A (Tc) 10V 6.5Ohm @ 1.1A, 10V 4V @ 250µA 38 nC @ 10 V ±20V 530 pF @ 25 V - - -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount
IRFBE20STRR

Таблицы данных

IRFBE20STRR

IRFBE20STRR

MOSFET N-CH 800V 1.8A D2PAK

Vishay Siliconix

3458 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tape & Reel (TR) - Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 1.8A (Tc) 10V 6.5Ohm @ 1.1A, 10V 4V @ 250µA 38 nC @ 10 V ±20V 530 pF @ 25 V - - -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount
IRFBE30L

Таблицы данных

IRFBE30L

IRFBE30L

MOSFET N-CH 800V 4.1A I2PAK

Vishay Siliconix

3613 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tube - Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 4.1A (Tc) 10V 3Ohm @ 2.5A, 10V 4V @ 250µA 78 nC @ 10 V ±20V 1300 pF @ 25 V - 125W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole
IRFBE30S

Таблицы данных

IRFBE30S

IRFBE30S

MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK

Vishay Siliconix

3693 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tube - Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 4.1A (Tc) 10V 3Ohm @ 2.5A, 10V 4V @ 250µA 78 nC @ 10 V ±20V 1300 pF @ 25 V - 125W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount
IRFBE30STRL

Таблицы данных

IRFBE30STRL

IRFBE30STRL

MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK

Vishay Siliconix

3625 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tape & Reel (TR) - Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 4.1A (Tc) 10V 3Ohm @ 2.5A, 10V 4V @ 250µA 78 nC @ 10 V ±20V 1300 pF @ 25 V - 125W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount
IRFBE30STRR

Таблицы данных

IRFBE30STRR

IRFBE30STRR

MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK

Vishay Siliconix

3045 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tape & Reel (TR) - Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 4.1A (Tc) 10V 3Ohm @ 2.5A, 10V 4V @ 250µA 78 nC @ 10 V ±20V 1300 pF @ 25 V - 125W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount
IRFBF20STRL

Таблицы данных

IRFBF20STRL

IRFBF20STRL

MOSFET N-CH 900V 1.7A D2PAK

Vishay Siliconix

2348 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tape & Reel (TR) - Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 900 V 1.7A (Tc) 10V 8Ohm @ 1A, 10V 4V @ 250µA 38 nC @ 10 V ±20V 490 pF @ 25 V - 3.1W (Ta), 54W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount
IRFBF20STRR

Таблицы данных

IRFBF20STRR

IRFBF20STRR

MOSFET N-CH 900V 1.7A D2PAK

Vishay Siliconix

2609 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tape & Reel (TR) - Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 900 V 1.7A (Tc) 10V 8Ohm @ 1A, 10V 4V @ 250µA 38 nC @ 10 V ±20V 490 pF @ 25 V - 3.1W (Ta), 54W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount
IRFBF30L

Таблицы данных

IRFBF30L

IRFBF30L

MOSFET N-CH 900V 3.6A I2PAK

Vishay Siliconix

3998 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tube - Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 900 V 3.6A (Tc) 10V 3.7Ohm @ 2.2A, 10V 4V @ 250µA 78 nC @ 10 V ±20V 1200 pF @ 25 V - - -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole
IRFBF30S

Таблицы данных

IRFBF30S

IRFBF30S

MOSFET N-CH 900V 3.6A D2PAK

Vishay Siliconix

2165 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tube - Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 900 V 3.6A (Tc) 10V 3.7Ohm @ 2.2A, 10V 4V @ 250µA 78 nC @ 10 V ±20V 1200 pF @ 25 V - 125W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount
IRFBF30STRL

Таблицы данных

IRFBF30STRL

IRFBF30STRL

MOSFET N-CH 900V 3.6A D2PAK

Vishay Siliconix

2832 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tape & Reel (TR) - Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 900 V 3.6A (Tc) 10V 3.7Ohm @ 2.2A, 10V 4V @ 250µA 78 nC @ 10 V ±20V 1200 pF @ 25 V - 125W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount
IRFBF30STRR

Таблицы данных

IRFBF30STRR

IRFBF30STRR

MOSFET N-CH 900V 3.6A D2PAK

Vishay Siliconix

3662 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tape & Reel (TR) - Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 900 V 3.6A (Tc) 10V 3.7Ohm @ 2.2A, 10V 4V @ 250µA 78 nC @ 10 V ±20V 1200 pF @ 25 V - 125W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount
IRFBG20L IRFBG20L

IRFBG20L

MOSFET N-CH 1000V 1.4A I2PAK

Vishay Siliconix

3816 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tube - Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1000 V 1.4A (Ta) 10V 11Ohm @ 840mA, 10V 4V @ 250µA 38 nC @ 10 V ±20V 500 pF @ 25 V - - - Through Hole
IRFBL3315

Таблицы данных

IRFBL3315

IRFBL3315

MOSFET N-CH 150V 21A SUPER D2PAK

Infineon Technologies

2092 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tube - Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 21A (Ta) - - - - - - - - - Surface Mount
IRFI2807

Таблицы данных

IRFI2807

IRFI2807

MOSFET N-CH 75V 40A TO220AB FP

Infineon Technologies

3015 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tube HEXFET® Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75 V 40A (Tc) 10V 13mOhm @ 43A, 10V 4V @ 250µA 150 nC @ 10 V ±20V 3400 pF @ 25 V - 48W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole
IRFI4905

Таблицы данных

IRFI4905

IRFI4905

MOSFET P-CH 55V 41A TO220AB FP

Infineon Technologies

2797 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tube HEXFET® Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 41A (Tc) 10V 20mOhm @ 22A, 10V 4V @ 250µA 180 nC @ 10 V ±20V 3400 pF @ 25 V - 63W (Tc) - Through Hole
Total 42442 Records«Prev1... 13651366136713681369137013711372...2123Next»
Запрос котировок
Номер запчасти
А
Связь
Электронная почта
Компания
Замечания
  • Домой

    Домой

    Продукты

    Продукты

    Телефон

    Телефон

    Связь

    Связь