Таблицы данных Фотографии Производитель. Часть # Акции Цены А Packaging Series ProductStatus FETType Technology DraintoSourceVoltage(Vdss) Current-ContinuousDrain(Id)@25°C DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) RdsOn(Max)@IdVgs Vgs(th)(Max)@Id GateCharge(Qg)(Max)@Vgs Vgs(Max) InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds FETFeature PowerDissipation(Max) OperatingTemperature MountingType
IRF9540NSTRR

Таблицы данных

IRF9540NSTRR

IRF9540NSTRR

MOSFET P-CH 100V 23A D2PAK

Infineon Technologies

3116 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tape & Reel (TR) HEXFET® Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 23A (Tc) 10V 117mOhm @ 11A, 10V 4V @ 250µA 97 nC @ 10 V ±20V 1300 pF @ 25 V - 3.8W (Ta), 140W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount
IRF9540STRR

Таблицы данных

IRF9540STRR

IRF9540STRR

MOSFET P-CH 100V 19A D2PAK

Vishay Siliconix

3353 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tape & Reel (TR) - Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 19A (Tc) 10V 200mOhm @ 11A, 10V 4V @ 250µA 61 nC @ 10 V ±20V 1400 pF @ 25 V - 3.7W (Ta), 150W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount
IRF9610L

Таблицы данных

IRF9610L

IRF9610L

MOSFET P-CH 200V 1.8A I2PAK

Vishay Siliconix

3419 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tube - Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 1.8A (Tc) 10V 3Ohm @ 900mA, 10V 4V @ 250µA 11 nC @ 10 V ±20V 170 pF @ 25 V - - -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole
IRF9610STRL

Таблицы данных

IRF9610STRL

IRF9610STRL

MOSFET P-CH 200V 1.8A D2PAK

Vishay Siliconix

3033 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tape & Reel (TR) - Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 1.8A (Tc) 10V 3Ohm @ 900mA, 10V 4V @ 250µA 11 nC @ 10 V ±20V 170 pF @ 25 V - 3W (Ta), 20W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount
IRF9610STRR

Таблицы данных

IRF9610STRR

IRF9610STRR

MOSFET P-CH 200V 1.8A D2PAK

Vishay Siliconix

2907 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tape & Reel (TR) - Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 1.8A (Tc) 10V 3Ohm @ 900mA, 10V 4V @ 250µA 11 nC @ 10 V ±20V 170 pF @ 25 V - 3W (Ta), 20W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount
IRF9620L

Таблицы данных

IRF9620L

IRF9620L

MOSFET P-CH 200V 3.5A I2PAK

Vishay Siliconix

3439 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tube - Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 3.5A (Tc) 10V 1.5Ohm @ 1.5A, 10V 4V @ 250µA 22 nC @ 10 V ±20V 350 pF @ 25 V - - -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole
IRF9620STRL

Таблицы данных

IRF9620STRL

IRF9620STRL

MOSFET P-CH 200V 3.5A D2PAK

Vishay Siliconix

2472 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tape & Reel (TR) - Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 3.5A (Tc) 10V 1.5Ohm @ 1.5A, 10V 4V @ 250µA 22 nC @ 10 V ±20V 350 pF @ 25 V - 3W (Ta), 40W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount
IRF9620STRR

Таблицы данных

IRF9620STRR

IRF9620STRR

MOSFET P-CH 200V 3.5A D2PAK

Vishay Siliconix

2046 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tape & Reel (TR) - Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 3.5A (Tc) 10V 1.5Ohm @ 1.5A, 10V 4V @ 250µA 22 nC @ 10 V ±20V 350 pF @ 25 V - 3W (Ta), 40W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount
IRF9630L

Таблицы данных

IRF9630L

IRF9630L

MOSFET P-CH 200V 6.5A I2PAK

Vishay Siliconix

2811 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tube - Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 6.5A (Tc) 10V 800mOhm @ 3.9A, 10V 4V @ 250µA 29 nC @ 10 V ±20V 700 pF @ 25 V - - -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole
IRF9630STRL IRF9630STRL

IRF9630STRL

MOSFET P-CH 200V 6.5A D2PAK

Vishay Siliconix

3917 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tape & Reel (TR) - Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 6.5A (Tc) 10V 800mOhm @ 3.9A, 10V 4V @ 250µA 29 nC @ 10 V ±20V 700 pF @ 25 V - 3W (Ta), 74W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount
IRF9630STRR IRF9630STRR

IRF9630STRR

MOSFET P-CH 200V 6.5A D2PAK

Vishay Siliconix

3152 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tape & Reel (TR) - Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 6.5A (Tc) 10V 800mOhm @ 3.9A, 10V 4V @ 250µA 29 nC @ 10 V ±20V 700 pF @ 25 V - 3W (Ta), 74W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount
IRF9640L IRF9640L

IRF9640L

MOSFET P-CH 200V 11A I2PAK

Vishay Siliconix

2009 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tube - Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 11A (Tc) 10V 500mOhm @ 6.6A, 10V 4V @ 250µA 44 nC @ 10 V ±20V 1200 pF @ 25 V - 3W (Ta), 125W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole
IRF9640STRR IRF9640STRR

IRF9640STRR

MOSFET P-CH 200V 11A D2PAK

Vishay Siliconix

2590 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tape & Reel (TR) - Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 11A (Tc) 10V 500mOhm @ 6.6A, 10V 4V @ 250µA 44 nC @ 10 V ±20V 1200 pF @ 25 V - 3W (Ta), 125W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount
IRF9Z14L

Таблицы данных

IRF9Z14L

IRF9Z14L

MOSFET P-CH 60V 6.7A I2PAK

Vishay Siliconix

2923 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tube - Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 6.7A (Tc) 10V 500mOhm @ 4A, 10V 4V @ 250µA 12 nC @ 10 V ±20V 270 pF @ 25 V - 3.7W (Ta), 43W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole
IRF9Z14STRL

Таблицы данных

IRF9Z14STRL

IRF9Z14STRL

MOSFET P-CH 60V 6.7A D2PAK

Vishay Siliconix

2846 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tape & Reel (TR) - Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 6.7A (Tc) 10V 500mOhm @ 4A, 10V 4V @ 250µA 12 nC @ 10 V ±20V 270 pF @ 25 V - 3.7W (Ta), 43W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount
IRF9Z14STRR

Таблицы данных

IRF9Z14STRR

IRF9Z14STRR

MOSFET P-CH 60V 6.7A D2PAK

Vishay Siliconix

3462 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tape & Reel (TR) - Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 6.7A (Tc) 10V 500mOhm @ 4A, 10V 4V @ 250µA 12 nC @ 10 V ±20V 270 pF @ 25 V - 3.7W (Ta), 43W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount
IRFL1006TR

Таблицы данных

IRFL1006TR

IRFL1006TR

MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT223

Infineon Technologies

2772 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tape & Reel (TR) HEXFET® Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 1.6A (Ta) 10V 220mOhm @ 1.6A, 10V 4V @ 250µA 8 nC @ 10 V ±20V 160 pF @ 25 V - 1W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount
IRFL214TR

Таблицы данных

IRFL214TR

IRFL214TR

MOSFET N-CH 250V 790MA SOT223

Vishay Siliconix

3471 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tape & Reel (TR) - Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 250 V 790mA (Tc) 10V 2Ohm @ 470mA, 10V 4V @ 250µA 8.2 nC @ 10 V ±20V 140 pF @ 25 V - 2W (Ta), 3.1W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount
IRFL31N20D IRFL31N20D

IRFL31N20D

MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK

Vishay Siliconix

3042 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tube - Discontinued at Mosen N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 31A (Ta) - - - - - - - - - Surface Mount
IRFPC50LC

Таблицы данных

IRFPC50LC

IRFPC50LC

MOSFET N-CH 600V 11A TO247-3

Vishay Siliconix

2794 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tube - Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 11A (Tc) 10V 600mOhm @ 6.6A, 10V 4V @ 250µA 84 nC @ 10 V ±30V 2300 pF @ 25 V - 190W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole
Total 42442 Records«Prev1... 13631364136513661367136813691370...2123Next»
Запрос котировок
Номер запчасти
А
Связь
Электронная почта
Компания
Замечания
  • Домой

    Домой

    Продукты

    Продукты

    Телефон

    Телефон

    Связь

    Связь