Таблицы данных Фотографии Производитель. Часть # Акции Цены А Packaging Series ProductStatus FETType Technology DraintoSourceVoltage(Vdss) Current-ContinuousDrain(Id)@25°C DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) RdsOn(Max)@IdVgs Vgs(th)(Max)@Id GateCharge(Qg)(Max)@Vgs Vgs(Max) InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds FETFeature PowerDissipation(Max) OperatingTemperature MountingType
IRL530NL

Таблицы данных

IRL530NL

IRL530NL

MOSFET N-CH 100V 17A TO262

Infineon Technologies

3941 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tube HEXFET® Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 17A (Tc) 4V, 10V 100mOhm @ 9A, 10V 2V @ 250µA 34 nC @ 5 V ±20V 800 pF @ 25 V - 3.8W (Ta), 79W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole
IRL530NSTRL

Таблицы данных

IRL530NSTRL

IRL530NSTRL

MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK

Infineon Technologies

2294 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tape & Reel (TR) HEXFET® Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 17A (Tc) 4V, 10V 100mOhm @ 9A, 10V 2V @ 250µA 34 nC @ 5 V ±20V 800 pF @ 25 V - 3.8W (Ta), 79W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount
IRL530NSTRR

Таблицы данных

IRL530NSTRR

IRL530NSTRR

MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK

Infineon Technologies

3646 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tape & Reel (TR) HEXFET® Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 17A (Tc) 4V, 10V 100mOhm @ 9A, 10V 2V @ 250µA 34 nC @ 5 V ±20V 800 pF @ 25 V - 3.8W (Ta), 79W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount
IRL530STRR

Таблицы данных

IRL530STRR

IRL530STRR

MOSFET N-CH 100V 15A D2PAK

Vishay Siliconix

3348 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tape & Reel (TR) - Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 15A (Tc) 4V, 5V 160mOhm @ 9A, 5V 2V @ 250µA 28 nC @ 5 V ±10V 930 pF @ 25 V - 3.7W (Ta), 88W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount
IRL540S IRL540S

IRL540S

MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK

Vishay Siliconix

3804 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tube - Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 28A (Tc) 4V, 5V 77mOhm @ 17A, 5V 2V @ 250µA 64 nC @ 5 V ±10V 2200 pF @ 25 V - 3.7W (Ta), 150W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount
IRL620

Таблицы данных

IRL620

IRL620

MOSFET N-CH 200V 5.2A TO220AB

Vishay Siliconix

2974 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tube - Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 5.2A (Tc) 4V, 5V 800mOhm @ 3.1A, 5V 2V @ 250µA 16 nC @ 5 V ±10V 360 pF @ 25 V - 50W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole
IRL620S

Таблицы данных

IRL620S

IRL620S

MOSFET N-CH 200V 5.2A D2PAK

Vishay Siliconix

3460 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tube - Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 5.2A (Tc) 4V, 10V 800mOhm @ 3.1A, 10V 2V @ 250µA 16 nC @ 5 V ±10V 360 pF @ 25 V - 3.1W (Ta), 50W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount
IRL630

Таблицы данных

IRL630

IRL630

MOSFET N-CH 200V 9A TO220AB

Vishay Siliconix

2378 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tube - Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 9A (Tc) 4V, 5V 400mOhm @ 5.4A, 5V 2V @ 250µA 40 nC @ 10 V ±10V 1100 pF @ 25 V - 74W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole
IRL630S IRL630S

IRL630S

MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK

Vishay Siliconix

3510 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tube - Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 9A (Tc) 4V, 5V 400mOhm @ 5.4A, 5V 2V @ 250µA 40 nC @ 10 V ±10V 1100 pF @ 25 V - 3.1W (Ta), 74W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount
IRL630STRL

Таблицы данных

IRL630STRL

IRL630STRL

MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK

Vishay Siliconix

2414 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tape & Reel (TR) - Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 9A (Tc) 4V, 5V 400mOhm @ 5.4A, 5V 2V @ 250µA 40 nC @ 10 V ±10V 1100 pF @ 25 V - 3.1W (Ta), 74W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount
IRL640

Таблицы данных

IRL640

IRL640

MOSFET N-CH 200V 17A TO220AB

Vishay Siliconix

3541 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tube - Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 17A (Tc) 4V, 5V 180mOhm @ 10A, 5V 2V @ 250µA 66 nC @ 5 V ±10V 1800 pF @ 25 V - 125W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole
IRL640S

Таблицы данных

IRL640S

IRL640S

MOSFET N-CH 200V 17A D2PAK

Vishay Siliconix

2464 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tube - Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 17A (Tc) 4V, 5V 180mOhm @ 10A, 5V 2V @ 250µA 66 nC @ 5 V ±10V 1800 pF @ 25 V - 3.1W (Ta), 125W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount
IRLI520G

Таблицы данных

IRLI520G

IRLI520G

MOSFET N-CH 100V 7.2A TO220-3

Vishay Siliconix

3696 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tube - Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 7.2A (Tc) 4V, 5V 270mOhm @ 4.3A, 5V 2V @ 250µA 12 nC @ 5 V ±10V 490 pF @ 25 V - 37W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole
IRLI530G

Таблицы данных

IRLI530G

IRLI530G

MOSFET N-CH 100V 9.7A TO220-3

Vishay Siliconix

3089 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tube - Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 9.7A (Tc) 4V, 5V 160mOhm @ 5.8A, 5V 2V @ 250µA 28 nC @ 5 V ±10V 930 pF @ 25 V - 42W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole
IRLI620G IRLI620G

IRLI620G

MOSFET N-CH 200V 4A TO220-3

Vishay Siliconix

2354 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tube - Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 4A (Tc) 4V, 5V 800mOhm @ 2.4A, 5V 2V @ 250µA 16 nC @ 10 V ±10V 360 pF @ 25 V - 30W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole
IRLI630G

Таблицы данных

IRLI630G

IRLI630G

MOSFET N-CH 200V 6.2A TO220-3

Vishay Siliconix

2507 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tube - Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 6.2A (Tc) 4V, 5V 400mOhm @ 3.7A, 5V 2V @ 250µA 40 nC @ 10 V ±10V 1100 pF @ 25 V - 35W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole
IRLI640G

Таблицы данных

IRLI640G

IRLI640G

MOSFET N-CH 200V 9.9A TO220-3

Vishay Siliconix

3470 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tube - Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 9.9A (Tc) 4V, 5V 180mOhm @ 5.9A, 5V 2V @ 250µA 66 nC @ 10 V ±10V 1800 pF @ 25 V - 40W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole
IRLIZ44G

Таблицы данных

IRLIZ44G

IRLIZ44G

MOSFET N-CH 60V 30A TO220-3

Vishay Siliconix

3831 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tube - Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 30A (Tc) 4V, 5V 28mOhm @ 18A, 5V 2V @ 250µA 66 nC @ 5 V ±10V 3300 pF @ 25 V - 48W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole
IRLL014

Таблицы данных

IRLL014

IRLL014

MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT223

Vishay Siliconix

2744 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tube - Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 2.7A (Tc) 4V, 5V 200mOhm @ 1.6A, 5V 2V @ 250µA 8.4 nC @ 5 V ±10V 400 pF @ 25 V - 2W (Ta), 3.1W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount
94-3316

Таблицы данных

94-3316

94-3316

MOSFET N-CH 55V 2A SOT223

Infineon Technologies

2227 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tube HEXFET® Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 2A (Ta) - 140mOhm @ 2A, 10V 2V @ 250µA 14 nC @ 10 V - 230 pF @ 25 V - - - Surface Mount
Total 42442 Records«Prev1... 13451346134713481349135013511352...2123Next»
Запрос котировок
Номер запчасти
А
Связь
Электронная почта
Компания
Замечания
  • Домой

    Домой

    Продукты

    Продукты

    Телефон

    Телефон

    Связь

    Связь