Таблицы данных Фотографии Производитель. Часть # Акции Цены А Packaging Series ProductStatus FETType Technology DraintoSourceVoltage(Vdss) Current-ContinuousDrain(Id)@25°C DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) RdsOn(Max)@IdVgs Vgs(th)(Max)@Id GateCharge(Qg)(Max)@Vgs Vgs(Max) InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds FETFeature PowerDissipation(Max) OperatingTemperature MountingType
IRFU9110

Таблицы данных

IRFU9110

IRFU9110

MOSFET P-CH 100V 3.1A TO251AA

Vishay Siliconix

3924 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tube - Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 3.1A (Tc) 10V 1.2Ohm @ 1.9A, 10V 4V @ 250µA 8.7 nC @ 10 V ±20V 200 pF @ 25 V - 2.5W (Ta), 25W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole
IRFU9120 IRFU9120

IRFU9120

MOSFET P-CH 100V 5.6A TO251AA

Vishay Siliconix

2367 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tube - Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 5.6A (Tc) 10V 600mOhm @ 3.4A, 10V 4V @ 250µA 18 nC @ 10 V ±20V 390 pF @ 25 V - 2.5W (Ta), 42W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole
IRFU9120N

Таблицы данных

IRFU9120N

IRFU9120N

MOSFET P-CH 100V 6.6A IPAK

Infineon Technologies

2065 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tube HEXFET® Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 6.6A (Tc) 10V 480mOhm @ 3.9A, 10V 4V @ 250µA 27 nC @ 10 V ±20V 350 pF @ 25 V - 40W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole
IRFU9210

Таблицы данных

IRFU9210

IRFU9210

MOSFET P-CH 200V 1.9A TO251AA

Vishay Siliconix

3222 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tube - Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 1.9A (Tc) 10V 3Ohm @ 1.1A, 10V 4V @ 250µA 8.9 nC @ 10 V ±20V 170 pF @ 25 V - 2.5W (Ta), 25W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole
IRFU9220

Таблицы данных

IRFU9220

IRFU9220

MOSFET P-CH 200V 3.6A TO251AA

Vishay Siliconix

3916 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tube - Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 3.6A (Tc) 10V 1.5Ohm @ 2.2A, 10V 4V @ 250µA 20 nC @ 10 V ±20V 340 pF @ 25 V - 2.5W (Ta), 42W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole
IRFZ14S

Таблицы данных

IRFZ14S

IRFZ14S

MOSFET N-CH 60V 10A D2PAK

Vishay Siliconix

3913 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tube - Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 10A (Tc) 10V 200mOhm @ 6A, 10V 4V @ 250µA 11 nC @ 10 V ±20V 300 pF @ 25 V - 3.7W (Ta), 43W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount
IRFZ24S

Таблицы данных

IRFZ24S

IRFZ24S

MOSFET N-CH 60V 17A D2PAK

Vishay Siliconix

3819 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tube - Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 17A (Tc) 10V 100mOhm @ 10A, 10V 4V @ 250µA 25 nC @ 10 V ±20V 640 pF @ 25 V - 3.7W (Ta), 60W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount
IRFZ30

Таблицы данных

IRFZ30

IRFZ30

MOSFET N-CH 50V 30A TO220AB

Vishay Siliconix

3353 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tube - Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 50 V 30A (Tc) 10V 50mOhm @ 16A, 10V 4V @ 250µA 30 nC @ 10 V ±20V 1600 pF @ 25 V - 74W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole
IRFZ34

Таблицы данных

IRFZ34

IRFZ34

MOSFET N-CH 60V 30A TO220AB

Vishay Siliconix

3310 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tube - Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 30A (Tc) 10V 50mOhm @ 18A, 10V 4V @ 250µA 46 nC @ 10 V ±20V 1200 pF @ 25 V - 88W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole
IRFZ34NS

Таблицы данных

IRFZ34NS

IRFZ34NS

MOSFET N-CH 55V 29A D2PAK

Infineon Technologies

2489 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tube HEXFET® Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 29A (Tc) 10V 40mOhm @ 16A, 10V 4V @ 250µA 34 nC @ 10 V ±20V 700 pF @ 25 V - 3.8W (Ta), 68W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount
IRFZ34NSTRR

Таблицы данных

IRFZ34NSTRR

IRFZ34NSTRR

MOSFET N-CH 55V 29A D2PAK

Infineon Technologies

2518 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tape & Reel (TR) HEXFET® Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 29A (Tc) 10V 40mOhm @ 16A, 10V 4V @ 250µA 34 nC @ 10 V ±20V 700 pF @ 25 V - 3.8W (Ta), 68W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount
IRFZ40

Таблицы данных

IRFZ40

IRFZ40

MOSFET N-CH 60V 50A TO220AB

Vishay Siliconix

3122 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tube - Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 50A (Tc) 10V 28mOhm @ 31A, 10V 4V @ 250µA 67 nC @ 10 V ±20V 1900 pF @ 25 V - 150W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole
IRFZ44ESTRR

Таблицы данных

IRFZ44ESTRR

IRFZ44ESTRR

MOSFET N-CH 60V 48A D2PAK

Infineon Technologies

2057 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tape & Reel (TR) HEXFET® Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 48A (Tc) 10V 23mOhm @ 29A, 10V 4V @ 250µA 60 nC @ 10 V ±20V 1360 pF @ 25 V - 110W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount
IRFZ44NL

Таблицы данных

IRFZ44NL

IRFZ44NL

MOSFET N-CH 55V 49A TO262

Infineon Technologies

2918 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tube HEXFET® Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 49A (Tc) 10V 17.5mOhm @ 25A, 10V 4V @ 250µA 63 nC @ 10 V ±20V 1470 pF @ 25 V - 3.8W (Ta), 94W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole
IRFZ44S

Таблицы данных

IRFZ44S

IRFZ44S

MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK

Vishay Siliconix

2418 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tube - Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 50A (Tc) 10V 28mOhm @ 31A, 10V 4V @ 250µA 67 nC @ 10 V ±20V 1900 pF @ 25 V - 3.7W (Ta), 150W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount
IRFZ44STRR

Таблицы данных

IRFZ44STRR

IRFZ44STRR

MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK

Vishay Siliconix

3336 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tape & Reel (TR) - Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 50A (Tc) 10V 28mOhm @ 31A, 10V 4V @ 250µA 67 nC @ 10 V ±20V 1900 pF @ 25 V - 3.7W (Ta), 150W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount
IRFZ46NS

Таблицы данных

IRFZ46NS

IRFZ46NS

MOSFET N-CH 55V 53A D2PAK

Infineon Technologies

3426 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tube HEXFET® Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 53A (Tc) 10V 16.5mOhm @ 28A, 10V 4V @ 250µA 72 nC @ 10 V ±20V 1696 pF @ 25 V - 3.8W (Ta), 107W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount
94-2989

Таблицы данных

94-2989

94-2989

MOSFET N-CH 55V 64A D2PAK

Infineon Technologies

3124 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tube HEXFET® Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 64A (Tc) 10V 14mOhm @ 32A, 10V 4V @ 250µA 81 nC @ 10 V ±20V 1970 pF @ 25 V - 3.8W (Ta), 130W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount
IRFZ48NSTRR

Таблицы данных

IRFZ48NSTRR

IRFZ48NSTRR

MOSFET N-CH 55V 64A D2PAK

Infineon Technologies

3341 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tape & Reel (TR) HEXFET® Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 64A (Tc) 10V 14mOhm @ 32A, 10V 4V @ 250µA 81 nC @ 10 V ±20V 1970 pF @ 25 V - 3.8W (Ta), 130W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount
IRL1004

Таблицы данных

IRL1004

IRL1004

MOSFET N-CH 40V 130A TO220AB

Infineon Technologies

3334 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tube HEXFET® Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 130A (Tc) 4.5V, 10V 6.5mOhm @ 78A, 10V 1V @ 250µA 100 nC @ 4.5 V ±16V 5330 pF @ 25 V - 200W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole
Total 42442 Records«Prev1... 13431344134513461347134813491350...2123Next»
Запрос котировок
Номер запчасти
А
Связь
Электронная почта
Компания
Замечания
  • Домой

    Домой

    Продукты

    Продукты

    Телефон

    Телефон

    Связь

    Связь