Transistors - FETs, MOSFETs - RF,Discrete Semiconductor Products

Таблицы данных	Производитель. Часть #	Акции	Цены	А	Packaging	Series	ProductStatus	TransistorType	Frequency	Gain	Voltage-Test	CurrentRating(Amps)	NoiseFigure	Current-Test	Power-Output	Voltage-Rated
Таблицы данных	CGHV40180F-AMP3 960-1250MHZ, AMP W/ CGHV40180F Wolfspeed, Inc.	2632	1090.82	- + Добавить Расследования	Bulk	GaN	Active	HEMT	2GHz	25.6dB	50 V	-	-	1 A	180W	150 V
Таблицы данных	CGHV40200PP-AMP1 1.7-1.9GHZ, AMP W/ CGHV40200PP Wolfspeed, Inc.	3011	1125.59	- + Добавить Расследования	Bulk	GaN	Active	HEMT	1.5GHz ~ 2GHz	21.7dB	50 V	-	-	1.2 A	200W	150 V
Таблицы данных	IGT1112M90 GAN, RF POWER TRANSISTOR, X-BAND Integra Technologies Inc.	3158	1295.56	- + Добавить Расследования	Tray	*	Active	-	-	-	-	-	-	-	-	-
Таблицы данных	CGHV96130F-AMP 8.4-9.6GHZ, AMP W/ CGHV96100F2 Wolfspeed, Inc.	3231	1498.98	- + Добавить Расследования	Bulk	GaN	Active	HEMT	8.4GHz ~ 9.6GHz	13.8dB	40 V	-	-	1 A	130W	120 V
Таблицы данных	CLF1G0035-100,112 RF SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRA NXP USA Inc.	2760	1.00	- + Добавить Расследования	Bulk	-	Active	GaN HEMT	3GHz	12dB	50 V	-	-	330 mA	100W	150 V
Таблицы данных	MRF6S27050HSR3 RF S BAND, N-CHANNEL POWER MOSFE Freescale Semiconductor	2327	1.00	- + Добавить Расследования	Bulk	-	Obsolete	LDMOS	2.62GHz	16dB	28 V	-	-	500 mA	7W	68 V
	ON5452,518 ON5452 - RF POWER MOSFET Nexperia USA Inc.	3352	1.00	- + Добавить Расследования	Bulk	-	Active	-	-	-	-	-	-	-	-	-
	BLF2425M8LS140112 NOW AMPLEON, BLF2425M8LS140, POW NXP USA Inc.	3778	1.00	- + Добавить Расследования	Bulk	-	Active	LDMOS	2.45GHz	19dB	28 V	-	-	1.3 A	140W	65 V
Таблицы данных	MRF6V3090NBR1 RF ULTRA HIGH FREQUENCY BAND, N- Freescale Semiconductor	2836	1.00	- + Добавить Расследования	Bulk	-	Active	LDMOS	860MHz	22dB	50 V	-	-	350 mA	18W	110 V
	MRF6P21190HR5 RF POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR Freescale Semiconductor	2846	1.00	- + Добавить Расследования	Bulk	-	Obsolete	LDMOS	2.12GHz	15.5dB	28 V	-	-	1.9 A	44W	68 V
Таблицы данных	MRF6S9045NR1 RF ULTRA HIGH FREQUENCY BAND, N- Freescale Semiconductor	3723	1.00	- + Добавить Расследования	Bulk	-	Obsolete	LDMOS	880MHz	22.7dB	28 V	-	-	350 mA	10W	68 V
Таблицы данных	MRF6VP11KHR5 RF POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR Freescale Semiconductor	2078	1.00	- + Добавить Расследования	Bulk	-	Active	LDMOS (Dual)	130MHz	26dB	50 V	-	-	150 mA	1000W	110 V
	ON5233,118 ON5233 - RF MOSFET Nexperia USA Inc.	3218	1.00	- + Добавить Расследования	Bulk	-	Active	-	-	-	-	-	-	-	-	-
Таблицы данных	MRF24300NR3 RF POWER LDMOS TRANSISTOR Freescale Semiconductor	3859	1.00	- + Добавить Расследования	Bulk	-	Active	LDMOS	2.45GHz	13.1dB	32 V	-	-	100 mA	330W	65 V
	ON5451,518 ON5451 - RF POWER MOSFET Nexperia USA Inc.	3641	1.00	- + Добавить Расследования	Bulk	-	Active	-	-	-	-	-	-	-	-	-
Таблицы данных	MMBF5484 RF SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRA Fairchild Semiconductor	2626	1.00	- + Добавить Расследования	Bulk	-	Active	N-Channel JFET	400MHz	-	15 V	5mA	4dB	-	-	25 V
Таблицы данных	MRF9002NR2 RF ULTRA HIGH FREQUENCY BAND, N- Freescale Semiconductor	2208	1.00	- + Добавить Расследования	Bulk	-	Obsolete	LDMOS	960MHz	18dB	26 V	-	-	25 mA	37dBm	65 V
Таблицы данных	PTMA210152MV1 NARROW BAND HIGH POWER AMPLIFIER Infineon Technologies	3162	1.00	- + Добавить Расследования	Bulk	-	Active	LDMOS	1.8GHz ~ 2.2GHz	28.5dB	28 V	10µA	-	160 mA	15W	65 V
Таблицы данных	CLF1G0035-100H CLF1G0035-100 - 100W BROADBAND R Ampleon USA Inc.	3185	1.00	- + Добавить Расследования	Tray	-	Active	GaN HEMT	3GHz	12dB	50 V	-	-	330 mA	100W	150 V
Таблицы данных	BF904,235 BF904 - N-CHANNEL DUAL-GATE MOSF NXP USA Inc.	2442	1.00	- + Добавить Расследования	Bulk	*	Active	-	-	-	-	-	-	-	-	-

Total 2760 Records«Prev 1... 82 83 84 858687 88 89...138 Next»