Таблицы данных Фотографии Производитель. Часть # Акции Цены А Packaging Series ProductStatus TransistorType Frequency Gain Voltage-Test CurrentRating(Amps) NoiseFigure Current-Test Power-Output Voltage-Rated
VRF157FL

Таблицы данных

VRF157FL

VRF157FL

MOSFET RF PWR N-CH 50V 600W T2

Microchip Technology

3312 466.84
- +

Добавить

Расследования

Tube - Active N-Channel 80MHz 21dB 50 V 4mA - 800 mA 600W 170 V
CLF1G0035-200PU

Таблицы данных

CLF1G0035-200PU

CLF1G0035-200PU

RF FET 50V 11DB SOT1228A

Ampleon USA Inc.

3815 481.26
- +

Добавить

Расследования

Tray - Not For New Designs GaN HEMT - - - - - - - -
CLF1G0035S-200PU

Таблицы данных

CLF1G0035S-200PU

CLF1G0035S-200PU

RF FET 50V 11DB SOT1228B

Ampleon USA Inc.

3137 481.26
- +

Добавить

Расследования

Tray - Not For New Designs GaN HEMT - - - - - - - -
BLS6G2731S-130,112

Таблицы данных

BLS6G2731S-130,112

BLS6G2731S-130,112

RF FET LDMOS 60V 12DB SOT9221

Ampleon USA Inc.

2240 519.27
- +

Добавить

Расследования

Tray - Active LDMOS 2.7GHz ~ 3.1GHz 12dB 32 V 33A - 100 mA 130W 60 V
BLS6G2933S-130,112

Таблицы данных

BLS6G2933S-130,112

BLS6G2933S-130,112

RF FET LDMOS 60V 12.5DB SOT9221

Ampleon USA Inc.

3788 519.27
- +

Добавить

Расследования

Tray - Active LDMOS 2.9GHz ~ 3.3GHz 12.5dB 32 V 33A - 100 mA 130W 60 V
BLL6H1214P2S-250Z

Таблицы данных

BLL6H1214P2S-250Z

BLL6H1214P2S-250Z

RF FET LDMOS 50V 27DB MODULE

Ampleon USA Inc.

2221 525.00
- +

Добавить

Расследования

Tray - Not For New Designs LDMOS (Dual) 1.2GHz ~ 1.4GHz 27dB 45 V - - 200 mA 53dBm 50 V
BLS7G3135LS-200U

Таблицы данных

BLS7G3135LS-200U

BLS7G3135LS-200U

RF FET LDMOS 65V 12DB SOT502B

Ampleon USA Inc.

3743 570.23
- +

Добавить

Расследования

Tray - Active LDMOS 3.5GHz 12dB 32 V - - 100 mA 200W 65 V
PTVA127002EV-V1-R0

Таблицы данных

PTVA127002EV-V1-R0

PTVA127002EV-V1-R0

IC AMP RF LDMOS H-36275-4

Wolfspeed, Inc.

3787 533.14
- +

Добавить

Расследования

Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT),Digi-Reel® - Active LDMOS 1.2GHz ~ 1.4GHz 16dB 50 V 10µA - 150 mA 700W 105 V
BLA6H0912-500,112

Таблицы данных

BLA6H0912-500,112

BLA6H0912-500,112

RF FET LDMOS 100V 17DB SOT634A

Ampleon USA Inc.

2050 592.50
- +

Добавить

Расследования

Tray - Active LDMOS 960MHz ~ 1.22GHz 17dB 50 V 54A - 100 mA 450W 100 V
BLA6H1011-600,112

Таблицы данных

BLA6H1011-600,112

BLA6H1011-600,112

RF FET LDMOS 100V 17DB SOT539A

Ampleon USA Inc.

3449 624.04
- +

Добавить

Расследования

Bulk,Tray - Active LDMOS (Dual), Common Source 1.03GHz ~ 1.09GHz 17dB 48 V 72A - 100 mA 600W 100 V
BLL6H1214LS-500,11

Таблицы данных

BLL6H1214LS-500,11

BLL6H1214LS-500,11

RF FET LDMOS 100V 17DB SOT502B

Ampleon USA Inc.

3021 610.50
- +

Добавить

Расследования

Tray - Active LDMOS (Dual), Common Source 1.2GHz ~ 1.4GHz 17dB 50 V - - 150 mA 500W 100 V
IGT2731M130

Таблицы данных

IGT2731M130

IGT2731M130

GAN, RF POWER TRANSISTOR, S-BAND

Integra Technologies Inc.

2954 650.62
- +

Добавить

Расследования

Tray * Active - - - - - - - - -
A3G26D055N-2110

Таблицы данных

A3G26D055N-2110

A3G26D055N-2110

RF REFERENCE CIRCUIT 25W 2110-22

NXP USA Inc.

3709 675.00
- +

Добавить

Расследования

Bulk - Active GaN 100MHz ~ 2.69GHz 13.9dB 48 V - - 40 mA 8W 125 V
A3G26D055N-1805

Таблицы данных

A3G26D055N-1805

A3G26D055N-1805

RF REFERENCE CIRCUIT 25W 1805-18

NXP USA Inc.

3684 675.00
- +

Добавить

Расследования

Bulk - Active GaN 100MHz ~ 2.69GHz 13.9dB 48 V - - 40 mA 8W 125 V
BLU6H0410L-600P,11

Таблицы данных

BLU6H0410L-600P,11

BLU6H0410L-600P,11

RF FET LDMOS 110V 21DB SOT539A

Ampleon USA Inc.

3293 751.68
- +

Добавить

Расследования

Tray - Active LDMOS (Dual), Common Source 860MHz 21dB 50 V - - 1.3 A 250W 110 V
BLU6H0410LS-600P,1

Таблицы данных

BLU6H0410LS-600P,1

BLU6H0410LS-600P,1

RF FET LDMOS 110V 21DB SOT539B

Ampleon USA Inc.

3411 751.68
- +

Добавить

Расследования

Tray - Active LDMOS (Dual), Common Source 860MHz 21dB 50 V - - 1.3 A 250W 110 V
CGHV35060MP-AMP1

Таблицы данных

CGHV35060MP-AMP1

CGHV35060MP-AMP1

2.7-3.8GHZ, AMP W/ CGHV35060MP

Wolfspeed, Inc.

2414 793.67
- +

Добавить

Расследования

Bulk GaN Active HEMT 2.7GHz ~ 3.8GHz 14.5dB 50 V - - 125 mA 60W 150 V
VRF157FLMP

Таблицы данных

VRF157FLMP

VRF157FLMP

RF MOSFET N-CHANNEL 50V 4SMD

Microchip Technology

3176 933.68
- +

Добавить

Расследования

Tube - Active N-Channel 80MHz 21dB 50 V 4mA - 800 mA 600W 170 V
BLA6H0912LS-1000U

Таблицы данных

BLA6H0912LS-1000U

BLA6H0912LS-1000U

RF FET LDMOS 100V 15.5DB SOT539B

Ampleon USA Inc.

3649 1053.00
- +

Добавить

Расследования

Tray - Not For New Designs LDMOS (Dual), Common Source 1.03GHz 15.5dB 50 V - - 200 mA 1000W 100 V
GTVA107001FC-V1-R0

Таблицы данных

GTVA107001FC-V1-R0

GTVA107001FC-V1-R0

700W GAN HEMT, 50V, 0.9-1.2GHZ

Wolfspeed, Inc.

2716 1055.14
- +

Добавить

Расследования

Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT),Digi-Reel® GaN Active HEMT 1.4GHz 20dB 50 V - - 100 mA 700W 125 V
Total 2760 Records«Prev1... 8182838485868788...138Next»
Запрос котировок
Номер запчасти
А
Связь
Электронная почта
Компания
Замечания
  • Домой

    Домой

    Продукты

    Продукты

    Телефон

    Телефон

    Связь

    Связь

    Tipsχ