Transistors - FETs, MOSFETs - RF,Discrete Semiconductor Products

Таблицы данных	Производитель. Часть #	Акции	Цены	А	Packaging	Series	ProductStatus	TransistorType	Frequency	Gain	Voltage-Test	CurrentRating(Amps)	NoiseFigure	Current-Test	Power-Output	Voltage-Rated
Таблицы данных	CGHV14250F RF MOSFET HEMT 50V 440162 Wolfspeed, Inc.	2277	406.04	- + Добавить Расследования	Tube	GaN	Active	HEMT	1.2GHz ~ 1.4GHz	18dB	50 V	42mA	-	500 mA	330W	125 V
Таблицы данных	CGH40180PP RF MOSFET HEMT 28V 440199 Wolfspeed, Inc.	2600	477.88	- + Добавить Расследования	Tray	GaN	Active	HEMT	0Hz ~ 2.5GHz	19dB	28 V	56A	-	2 A	220W	84 V
Таблицы данных	CGHV1J006D-GP4 RF MOSFET HEMT 40V DIE Wolfspeed, Inc.	2885	44.76	- + Добавить Расследования	Tray	GaN	Active	HEMT	18GHz	17dB	40 V	-	-	30 mA	6W	100 V
Таблицы данных	CGHV59350F RF MOSFET HEMT 50V 440217 Wolfspeed, Inc.	2934	1268.61	- + Добавить Расследования	Tray	GaN	Active	HEMT	5.2GHz ~ 5.9GHz	11.2dB	50 V	24A	-	1 A	450W	125 V
Таблицы данных	BLP10H603AZ RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN Ampleon USA Inc.	2065	17.74	- + Добавить Расследования	Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT),Digi-Reel®	-	Active	LDMOS	860MHz	22.8dB	50 V	-	-	15 mA	2.5W	104 V
Таблицы данных	ARF463AG RF PWR MOSFET 500V 9A TO-247 Microchip Technology	3575	39.08	- + Добавить Расследования	Tube	-	Active	N-Channel	81.36MHz	15dB	125 V	9A	-	50 mA	100W	500 V
Таблицы данных	MRF300BN RF MOSFET LDMOS 50V TO247 NXP USA Inc.	2093	52.00	- + Добавить Расследования	Tube	-	Active	LDMOS	27MHz ~ 250MHz	18.7dB	50 V	-	-	-	300W	-
Таблицы данных	ARF461AG RF MOSFET N-CH 1000V TO247 Microchip Technology	3833	55.87	- + Добавить Расследования	Bulk	-	Active	N-Channel	65MHz	15dB	50 V	25µA	-	-	150W	1000 V
Таблицы данных	ARF460BG FET RF N-CH 500V 14A TO247 Microchip Technology	2573	58.80	- + Добавить Расследования	Tube	-	Active	N-Channel	40.68MHz	15dB	125 V	14A	-	50 mA	-	500 V
Таблицы данных	BLC10G22LS-240PVTZ RF MOSFET LDMOS 28V SOT1275-3 Ampleon USA Inc.	3604	71.10	- + Добавить Расследования	Tray	-	Active	LDMOS	2.11GHz ~ 2.2GHz	19.7dB	28 V	1.4µA	-	1.6 A	60W	65 V
Таблицы данных	BLC10G18XS-551AVTZ BLC10G18XS-551AVT/SOT1258/TRAYDP Ampleon USA Inc.	3778	86.10	- + Добавить Расследования	Tray	-	Active	LDMOS (Dual), Common Source	1.805GHz ~ 1.88GHz	16.1dB	32 V	2.8µA	-	750 mA	550W	65 V
Таблицы данных	VRF152 MOSFET RF PWR N-CH 50V 150W M174 Microchip Technology	2488	105.18	- + Добавить Расследования	Tube	-	Active	N-Channel	175MHz	14dB	50 V	50µA	-	250 mA	150W	130 V
Таблицы данных	BLF0910H9LS600U BLF0910H9LS600/SOT502/TRAY Ampleon USA Inc.	3936	135.00	- + Добавить Расследования	Tube	-	Active	LDMOS	900MHz ~ 930MHz	18.6dB	50 V	2.8µA	-	90 mA	600W	108 V
Таблицы данных	ARF476FL RF FET N CH 500V 10A PSH PUL PR Microchip Technology	3342	164.36	- + Добавить Расследования	Tray	-	Active	2 N-Channel (Dual) Common Source	128MHz	16dB	150 V	10A	-	15 mA	900W	500 V
Таблицы данных	BLS6G2735L-30,112 RF FET LDMOS 60V 13DB SOT1135A Ampleon USA Inc.	3088	173.92	- + Добавить Расследования	Tray	-	Not For New Designs	LDMOS	3.1GHz ~ 3.5GHz	13dB	32 V	-	-	50 mA	30W	60 V
Таблицы данных	VRF152G RF MOSFET (VDMOS) 140V 150W 175M Microchip Technology	2327	174.58	- + Добавить Расследования	Bulk	-	Active	2 N-Channel (Dual)	175MHz	16dB	50 V	-	-	500 mA	300W	130 V
Таблицы данных	MRF141G FET RF 2CH 65V 175MHZ 375-04 MACOM Technology Solutions	3041	266.84	- + Добавить Расследования	Tray	-	Active	2 N-Channel (Dual) Common Source	175MHz	14dB	28 V	32A	-	500 mA	300W	65 V
Таблицы данных	BLL8H1214L-500U RF FET LDMOS 100V 17DB SOT539A Ampleon USA Inc.	3477	336.96	- + Добавить Расследования	Tray	-	Active	LDMOS (Dual), Common Source	1.2GHz ~ 1.4GHz	17dB	50 V	-	-	150 mA	500W	100 V
Таблицы данных	CGH21240F GAN HEMT 28V 1.8-2.1GHZ Wolfspeed, Inc.	3532	608.71	- + Добавить Расследования	Tray	GaN	Active	HEMT	1.8GHz ~ 2.3GHz	15dB	28 V	-	-	1 A	240W	84 V
Таблицы данных	IGN1011L1200 GAN, RF POWER TRANSISTOR, L-BAND Integra Technologies Inc.	3431	914.14	- + Добавить Расследования	Tray	-	Active	HEMT	1.03GHz ~ 1.09GHz	16.8dB	50 V	-	-	160 mA	1250W	180 V

Total 2760 Records«Prev 1... 39 40 41 424344 45 46...138 Next»