Transistors - FETs, MOSFETs - RF,Discrete Semiconductor Products

Таблицы данных	Производитель. Часть #	Акции	Цены	А	Packaging	Series	ProductStatus	TransistorType	Frequency	Gain	Voltage-Test	CurrentRating(Amps)	NoiseFigure	Current-Test	Power-Output	Voltage-Rated
Таблицы данных	CLF1G0035-50 CLF1G0035-50 - 50W BROADBAND RF Ampleon USA Inc.	318	153.13	- + Добавить Расследования	Tray	-	Active	GaN HEMT	3GHz	11.5dB	50 V	-	-	150 mA	50W	150 V
Таблицы данных	A2T26H160-24SR3 RF POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR Freescale Semiconductor	191	153.33	- + Добавить Расследования	Bulk	-	Active	LDMOS (Dual)	2.58GHz	15.5dB	28 V	-	-	350 mA	28W	65 V
Таблицы данных	MRFX1K80NR5 RF MOSFET LDMOS 65V OM1230-4L NXP USA Inc.	3029	171.95	- + Добавить Расследования	Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT),Digi-Reel®	-	Active	LDMOS	1.8MHz ~ 470MHz	24dB	65 V	-	-	-	1800W	-
Таблицы данных	MRFE6VP61K25NR6 WIDEBAND RF POWER LDMOS TRANSIST Freescale Semiconductor	3185	190.65	- + Добавить Расследования	Bulk	*	Active	-	-	-	-	-	-	-	-	-
	MRF6VP3450HR5 LATERAL N-CHANNEL BROADBAND RF P NXP Semiconductors	595	191.98	- + Добавить Расследования	Bulk	-	Obsolete	LDMOS (Dual), Common Source	470MHz ~ 860MHz	22.5dB	50 V	10µA	-	1.4 A	450W	110 V
Таблицы данных	MMRF1306HR5 RF POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR Freescale Semiconductor	2265	194.67	- + Добавить Расследования	Bulk	-	Active	LDMOS (Dual)	230MHz	24dB	50 V	-	-	100 mA	1250W	133 V
Таблицы данных	A2T21H360-24SR6 AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO NXP USA Inc.	2234	197.03	- + Добавить Расследования	Bulk	*	Active	-	-	-	-	-	-	-	-	-
	SA2T18H450W19SR6 A2T18H450 - AIRFAST RF POWER LDM NXP Semiconductors	2211	197.60	- + Добавить Расследования	Bulk	-	Obsolete	LDMOS (Dual)	1.805GHz ~ 1.88GHz	16.6dB	30 V	10µA	-	800 mA	89W	65 V
Таблицы данных	MMRF5017HSR5 RF MOSFET HEMT 50V NI400S-2S NXP USA Inc.	3637	253.66	- + Добавить Расследования	Tray	-	Active	HEMT	30MHz ~ 2.2GHz	18.4dB	50 V	-	-	200 mA	125W	150 V
Таблицы данных	CLF1G0035S-100 CLF1G0035S-100 - 100W BROADBAND NXP Semiconductors	3020	202.89	- + Добавить Расследования	Bulk	*	Active	-	-	-	-	-	-	-	-	-
	A2T21H450W19SR6 A2T21H450W19 - AIRFAST RF POWER NXP Semiconductors	277	217.43	- + Добавить Расследования	Bulk	-	Obsolete	LDMOS	2.11GHz ~ 2.2GHz	15.7dB	30 V	10µA	-	800 mA	89W	65 V
Таблицы данных	TM-100 TM-100 - 100W BROADBAND RF POWER Ampleon USA Inc.	108	219.99	- + Добавить Расследования	Tray	-	Obsolete	GaN HEMT	-	-	-	-	-	-	100W	-
Таблицы данных	AFV09P350-04GNR3 RF POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR Freescale Semiconductor	253	233.10	- + Добавить Расследования	Bulk	-	Active	LDMOS (Dual)	920MHz	19.5dB	48 V	-	-	860 mA	100W	105 V
Таблицы данных	MRF6VP11KHR5 RF POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR NXP USA Inc.	971	274.65	- + Добавить Расследования	Bulk	*	Active	-	-	-	-	-	-	-	-	-
Таблицы данных	CLF1G0035S-100P CLF1G0035S-100 - 100W BROADBAND Ampleon USA Inc.	2884	277.05	- + Добавить Расследования	Bulk	*	Active	-	-	-	-	-	-	-	-	-
	MRFE6VP8600HR5 LDMOS BROADBAND RF POWER TRANSIS NXP Semiconductors	640	286.64	- + Добавить Расследования	Bulk	-	Obsolete	LDMOS (Dual), Common Source	470MHz ~ 860MHz	19.3dB	50 V	20µA	-	1.4 A	600W	130 V
Таблицы данных	MRF6V14300HSR5 RF POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR Freescale Semiconductor	387	424.96	- + Добавить Расследования	Bulk	-	Active	LDMOS	1.4GHz	18dB	50 V	-	-	150 mA	330W	100 V
Таблицы данных	AFV10700HR5 RF MOSFET LDMOS DL 50V NI-780-4 NXP USA Inc.	2911	556.04	- + Добавить Расследования	Bulk	-	Active	LDMOS (Dual)	1.03GHz ~ 1.09GHz	19.2dB	50 V	1µA	-	100 mA	770W	105 V
Таблицы данных	AFV10700HR5178 AFV10700HR5 - AIRFAST RF POWER L NXP Semiconductors	3862	496.23	- + Добавить Расследования	Bulk	*	Active	-	-	-	-	-	-	-	-	-
Таблицы данных	AFV10700HSR5178 AFV10700HSR5 - AIRFAST RF POWER NXP Semiconductors	2046	497.38	- + Добавить Расследования	Bulk	*	Active	-	-	-	-	-	-	-	-	-

Total 2760 Records«Prev 1... 37 38 39 404142 43 44...138 Next»