Таблицы данных Фотографии Производитель. Часть # Акции Цены А Packaging Series RoHS Speed Diode Type Part Status Mounting Type Package / Case Capacitance @ Vr, F Supplier Device Package Reverse Recovery Time (trr) Current - Reverse Leakage @ Vr Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) Current - Average Rectified (Io) Operating Temperature - Junction Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If
1N6643

Таблицы данных

1N6643

1N6643

DIODE GEN PURPOSE

Microchip Technology

3803 5.04
- +

Добавить

Расследования

Bulk RoHS - - Active - - - - - - - -
SFS1006GHMNG

Таблицы данных

SFS1006GHMNG

SFS1006GHMNG

DIODE GEN PURP 400V 10A TO263AB

Taiwan Semiconductor Corporation

2640 0.61
- +

Добавить

Расследования

Tape & Reel (TR) Automotive, AEC-Q101 RoHS Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Standard Active Surface Mount 50pF @ 4V, 1MHz 35 ns 1 µA @ 400 V 400 V 10A -55°C ~ 150°C 1.3 V @ 5 A
JANTX1N5554

Таблицы данных

JANTX1N5554

JANTX1N5554

DIODE GEN PURP 1KV 5A AXIAL

Microchip Technology

3793 7.82
- +

Добавить

Расследования

Bulk Military, MIL-PRF-19500/420 RoHS Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Standard Active Through Hole - 2 µs 2 µA @ 1000 V 1000 V 5A -65°C ~ 175°C 1.3 V @ 9 A
BYW172F-TR

Таблицы данных

BYW172F-TR

BYW172F-TR

DIODE AVALANCHE 300V 3A SOD64

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

3043 0.56
- +

Добавить

Расследования

Tape & Reel (TR) RoHS Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Avalanche Active Through Hole - 100 ns 1 µA @ 300 V 300 V 3A -55°C ~ 175°C 1.5 V @ 9 A
JAN1N5623/TR JAN1N5623/TR

JAN1N5623/TR

RECTIFIER UFR,FRR

Microchip Technology

3836 7.56
- +

Добавить

Расследования

Tape & Reel (TR) Military, MIL-PRF-19500/429 RoHS Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Standard Active Through Hole - 500 ns 500 nA @ 1 V 1000 V 1A -65°C ~ 175°C 1.6 V @ 3 A
1N5615US/TR

Таблицы данных

1N5615US/TR

1N5615US/TR

UFR,FRR

Microchip Technology

2051 6.64
- +

Добавить

Расследования

Tape & Reel (TR) RoHS Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Standard Active Surface Mount 45pF @ 12V, 1MHz 150 ns 500 nA @ 200 V 200 V 1A -65°C ~ 175°C 1.6 V @ 3 A
FFSH10120A

Таблицы данных

FFSH10120A

FFSH10120A

1200V 10A SIC SBD

onsemi

2749 5.04
- +

Добавить

Расследования

Tube RoHS No Recovery Time > 500mA (Io) Silicon Carbide Schottky Active Through Hole 612pF @ 1V, 100kHz 0 ns 200 µA @ 1200 V 1200 V 17A (DC) -55°C ~ 175°C 1.75 V @ 10 A
SDT10A60VCT SDT10A60VCT

SDT10A60VCT

SCHOTTKY RECTIFIER TO220AB

Diodes Incorporated

3591 0.61
- +

Добавить

Расследования

Tube RoHS - - Active - - - - - - - -
JANTX1N3595UR-1/TR JANTX1N3595UR-1/TR

JANTX1N3595UR-1/TR

SIGNAL/COMPUTER DIODE

Microchip Technology

3710 7.82
- +

Добавить

Расследования

Tape & Reel (TR) Military, MIL-PRF-19500/241 RoHS Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Standard Active Surface Mount - 3 µs 1 nA @ 125 V 125 V 150mA -65°C ~ 175°C 920 mV @ 100 mA
SF5403-TAP

Таблицы данных

SF5403-TAP

SF5403-TAP

DIODE GEN PURP 300V 3A SOD64

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

3776 0.56
- +

Добавить

Расследования

Tape & Box (TB) RoHS Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Standard Active Through Hole - 50 ns 5 µA @ 300 V 300 V 3A -55°C ~ 175°C 1.1 V @ 3 A
MNS1N5811US/TR MNS1N5811US/TR

MNS1N5811US/TR

UFR,FRR

Microchip Technology

3749 7.58
- +

Добавить

Расследования

Bulk RoHS - - Active - - - - - - - -
1N3614/TR

Таблицы данных

1N3614/TR

1N3614/TR

STD RECTIFIER

Microchip Technology

3416 6.64
- +

Добавить

Расследования

Tape & Reel (TR) RoHS Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Standard Active Through Hole - - 1 µA @ 800 V 800 V 1A -65°C ~ 175°C 1.1 V @ 1 A
FFSH10120A-F155

Таблицы данных

FFSH10120A-F155

FFSH10120A-F155

SIC DIODE GEN1.0 TO247-2L LL

onsemi

3833 5.04
- +

Добавить

Расследования

Tray RoHS No Recovery Time > 500mA (Io) Silicon Carbide Schottky Active Through Hole 612pF @ 1V, 100kHz 0 ns 200 µA @ 1200 V 1200 V 17A (DC) -55°C ~ 175°C 1.75 V @ 10 A
SDT10A60VCTFP SDT10A60VCTFP

SDT10A60VCTFP

SCHOTTKY RECTIFIER ITO-220AB

Diodes Incorporated

2917 0.61
- +

Добавить

Расследования

Tube RoHS - - Active - - - - - - - -
1N6639US

Таблицы данных

1N6639US

1N6639US

DIODE GEN PURPOSE

Microchip Technology

3085 7.85
- +

Добавить

Расследования

Bulk RoHS - - Active - - - - - - - -
SF5403-TR

Таблицы данных

SF5403-TR

SF5403-TR

DIODE GEN PURP 300V 3A SOD64

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

2676 0.56
- +

Добавить

Расследования

Tape & Reel (TR) RoHS Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Standard Active Through Hole - 50 ns 5 µA @ 300 V 300 V 3A -55°C ~ 175°C 1.1 V @ 3 A
1N6622US

Таблицы данных

1N6622US

1N6622US

DIODE GEN PURP 660V 1.2A A-MELF

Microchip Technology

2124 7.58
- +

Добавить

Расследования

Bulk RoHS Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Standard Active Surface Mount 10pF @ 10V, 1MHz 30 ns 500 nA @ 660 V 660 V 1.2A -65°C ~ 150°C 1.4 V @ 1.2 A
1N5551USE3

Таблицы данных

1N5551USE3

1N5551USE3

STD RECTIFIER

Microchip Technology

2594 6.66
- +

Добавить

Расследования

Bulk Military, MIL-PRF-19500/420 RoHS Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Standard Active Surface Mount - 2 µs 1 µA @ 400 V 400 V 3A -65°C ~ 175°C 1.2 V @ 9 A
VS-80PF80W

Таблицы данных

VS-80PF80W

VS-80PF80W

DIODE GEN PURP 800V 80A DO203AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

2597 5.05
- +

Добавить

Расследования

Bulk RoHS Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Standard Active Stud Mount - - - 800 V 80A -55°C ~ 180°C 1.4 V @ 220 A
VI20100S-M3/4W

Таблицы данных

VI20100S-M3/4W

VI20100S-M3/4W

DIODE SCHOTTKY 20A 100V TO-262AA

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

3201 0.61
- +

Добавить

Расследования

Tube RoHS Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Schottky Active Through Hole - - 500 µA @ 100 V 100 V 20A -40°C ~ 150°C 900 mV @ 20 A
Total 48193 Records«Prev1... 817818819820821822823824...2410Next»
Запрос котировок
Номер запчасти
А
Связь
Электронная почта
Компания
Замечания
  • Домой

    Домой

    Продукты

    Продукты

    Телефон

    Телефон

    Связь

    Связь