Таблицы данных Фотографии Производитель. Часть # Акции Цены А Packaging Series RoHS Speed Diode Type Part Status Mounting Type Package / Case Capacitance @ Vr, F Supplier Device Package Reverse Recovery Time (trr) Current - Reverse Leakage @ Vr Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) Current - Average Rectified (Io) Operating Temperature - Junction Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If
S12GR

Таблицы данных

S12GR

S12GR

DIODE GEN PURP REV 400V 12A DO4

GeneSiC Semiconductor

3640 4.81
- +

Добавить

Расследования

Bulk RoHS Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Standard, Reverse Polarity Active Chassis, Stud Mount - - 10 µA @ 50 V 400 V 12A -65°C ~ 175°C 1.1 V @ 12 A
V10P15-M3/H

Таблицы данных

V10P15-M3/H

V10P15-M3/H

DIODE SCHOTTKY 150V 10A TO277A

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

2935 0.28
- +

Добавить

Расследования

Tape & Box (TB) eSMP®, TMBS® RoHS Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Schottky Active Surface Mount - - 200 µA @ 150 V 150 V 10A -40°C ~ 150°C 1.08 V @ 10 A
S12J

Таблицы данных

S12J

S12J

DIODE GEN PURP 600V 12A DO4

GeneSiC Semiconductor

3758 4.81
- +

Добавить

Расследования

Bulk RoHS Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Standard Active Chassis, Stud Mount - - 10 µA @ 50 V 600 V 12A -65°C ~ 175°C 1.1 V @ 12 A
V10P15-M3/I

Таблицы данных

V10P15-M3/I

V10P15-M3/I

DIODE SCHOTTKY 150V 10A TO277A

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

3983 0.28
- +

Добавить

Расследования

Tape & Reel (TR) eSMP®, TMBS® RoHS Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Schottky Active Surface Mount - - 200 µA @ 150 V 150 V 10A -40°C ~ 150°C 1.08 V @ 10 A
S12JR

Таблицы данных

S12JR

S12JR

DIODE GEN PURP REV 600V 12A DO4

GeneSiC Semiconductor

2643 4.81
- +

Добавить

Расследования

Bulk RoHS Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Standard, Reverse Polarity Active Chassis, Stud Mount - - 10 µA @ 50 V 600 V 12A -65°C ~ 175°C 1.1 V @ 12 A
CMS15(TE12L,Q,M)

Таблицы данных

CMS15(TE12L,Q,M)

CMS15(TE12L,Q,M)

DIODE SCHOTTKY 60V 3A M-FLAT

Toshiba Semiconductor and Storage

3264 0.28
- +

Добавить

Расследования

Tape & Reel (TR) RoHS Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Schottky Active Surface Mount 102pF @ 10V, 1MHz - 300 µA @ 60 V 60 V 3A -40°C ~ 150°C 580 mV @ 3 A
S12K

Таблицы данных

S12K

S12K

DIODE GEN PURP 800V 12A DO4

GeneSiC Semiconductor

2390 4.81
- +

Добавить

Расследования

Bulk RoHS Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Standard Active Chassis, Stud Mount - - 10 µA @ 50 V 800 V 12A -65°C ~ 175°C 1.1 V @ 12 A
VS-4ESH01HM3/87A

Таблицы данных

VS-4ESH01HM3/87A

VS-4ESH01HM3/87A

DIODE GEN PURP 100V 4A TO277A

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

2158 0.28
- +

Добавить

Расследования

Tape & Reel (TR) Automotive, AEC-Q101, FRED Pt® RoHS Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Standard Active Surface Mount - 25 ns 2 µA @ 4 V 100 V 4A -65°C ~ 175°C 930 mV @ 4 A
S12KR

Таблицы данных

S12KR

S12KR

DIODE GEN PURP REV 800V 12A DO4

GeneSiC Semiconductor

3622 4.81
- +

Добавить

Расследования

Bulk RoHS Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Standard, Reverse Polarity Active Chassis, Stud Mount - - 10 µA @ 50 V 800 V 12A -65°C ~ 175°C 1.1 V @ 12 A
VS-4ESH02HM3/87A

Таблицы данных

VS-4ESH02HM3/87A

VS-4ESH02HM3/87A

DIODE GEN PURP 200V 4A TO277A

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

3637 0.28
- +

Добавить

Расследования

Tape & Reel (TR) Automotive, AEC-Q101, FRED Pt® RoHS Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Standard Active Surface Mount - 25 ns 2 µA @ 200 V 200 V 4A -65°C ~ 175°C 930 mV @ 4 A
S12M

Таблицы данных

S12M

S12M

DIODE GEN PURP 1000V 12A DO4

GeneSiC Semiconductor

3318 4.81
- +

Добавить

Расследования

Bulk RoHS Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Standard Active Chassis, Stud Mount - - 10 µA @ 50 V 1000 V 12A -65°C ~ 175°C 1.1 V @ 12 A
NRVBM120ET1G

Таблицы данных

NRVBM120ET1G

NRVBM120ET1G

DIODE SCHOTTKY 20V 1A POWERMITE

onsemi

65872 0.22
- +

Добавить

Расследования

Tape & Reel (TR),Bulk POWERMITE® RoHS Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Schottky Active Surface Mount - - 500 nA @ 5 V 20 V 1A -65°C ~ 150°C 595 mV @ 2 A
S12MR

Таблицы данных

S12MR

S12MR

DIODE GEN PURP REV 1KV 12A DO4

GeneSiC Semiconductor

3677 4.81
- +

Добавить

Расследования

Bulk RoHS Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Standard, Reverse Polarity Active Chassis, Stud Mount - - 10 µA @ 50 V 1000 V 12A -65°C ~ 175°C 1.1 V @ 12 A
EGP20C

Таблицы данных

EGP20C

EGP20C

DIODE GEN PURP 150V 2A DO15

onsemi

2433 0.28
- +

Добавить

Расследования

Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) RoHS Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Standard Active Through Hole 70pF @ 4V, 1MHz 50 ns 5 µA @ 150 V 150 V 2A -65°C ~ 150°C 950 mV @ 2 A
S12Q

Таблицы данных

S12Q

S12Q

DIODE GEN PURP 1200V 12A DO4

GeneSiC Semiconductor

3134 4.81
- +

Добавить

Расследования

Bulk RoHS Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Standard Active Chassis, Stud Mount - - 10 µA @ 50 V 1200 V 12A -65°C ~ 175°C 1.1 V @ 12 A
EG1

Таблицы данных

EG1

EG1

DIODE GEN PURP 400V 800MA AXIAL

Sanken

2371 0.28
- +

Добавить

Расследования

Bulk RoHS Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Standard Active Through Hole - 100 ns 50 µA @ 400 V 400 V 800mA -40°C ~ 150°C 1.8 V @ 800 mA
S12QR

Таблицы данных

S12QR

S12QR

DIODE GEN PURP REV 1.2KV 12A DO4

GeneSiC Semiconductor

2452 4.81
- +

Добавить

Расследования

Bulk RoHS Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Standard, Reverse Polarity Active Chassis, Stud Mount - - 10 µA @ 50 V 1200 V 12A -65°C ~ 175°C 1.1 V @ 12 A
EM1A

Таблицы данных

EM1A

EM1A

DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL

Sanken

3149 0.28
- +

Добавить

Расследования

Bulk RoHS Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Standard Active Through Hole - - 10 µA @ 600 V 600 V 1A -40°C ~ 150°C 970 mV @ 1 A
CDLL645

Таблицы данных

CDLL645

CDLL645

DIODE GEN PURP 225V 400MA DO213

Microchip Technology

2387 4.82
- +

Добавить

Расследования

Bulk RoHS Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Standard Active Surface Mount - - 50 nA @ 225 V 225 V 400mA -65°C ~ 175°C 1 V @ 400 mA
EM1Y

Таблицы данных

EM1Y

EM1Y

DIODE GEN PURP 100V 1A AXIAL

Sanken

2488 0.28
- +

Добавить

Расследования

Bulk RoHS Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Standard Active Through Hole - - 10 µA @ 100 V 100 V 1A -40°C ~ 150°C 970 mV @ 1 A
Total 48193 Records«Prev1... 20632064206520662067206820692070...2410Next»
Запрос котировок
Номер запчасти
А
Связь
Электронная почта
Компания
Замечания
  • Домой

    Домой

    Продукты

    Продукты

    Телефон

    Телефон

    Связь

    Связь