Таблицы данных Фотографии Производитель. Часть # Акции Цены А Packaging Series RoHS Speed Diode Type Part Status Mounting Type Package / Case Capacitance @ Vr, F Supplier Device Package Reverse Recovery Time (trr) Current - Reverse Leakage @ Vr Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) Current - Average Rectified (Io) Operating Temperature - Junction Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If
S3D30065D1 S3D30065D1

S3D30065D1

DIODE SCHOTTKY SILICON CARBIDE S

SMC Diode Solutions

275 10.14
- +

Добавить

Расследования

Tube RoHS - - Active - - - - - - - -
NTE6121

Таблицы данных

NTE6121

NTE6121

R-1600V 1200A

NTE Electronics, Inc

3016 239.33
- +

Добавить

Расследования

Bag RoHS Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Standard Active Chassis Mount - - 30 mA @ 1600 V 1600 V 1625A -30°C ~ 175°C 1.93 V @ 3770 A
S3D30065H

Таблицы данных

S3D30065H

S3D30065H

DIODE SCHOTTKY SILICON CARBIDE S

SMC Diode Solutions

300 10.38
- +

Добавить

Расследования

Tube RoHS No Recovery Time > 500mA (Io) Silicon Carbide Schottky Active Through Hole 1705pF @ 1V, 100kHz 0 ns 200 µA @ 650 V 650 V 30A -55°C ~ 175°C 1.75 V @ 30 A
DZ600N16KHPSA1

Таблицы данных

DZ600N16KHPSA1

DZ600N16KHPSA1

DIODE GEN PURP 1.6KV 735A MODULE

Infineon Technologies

2497 241.78
- +

Добавить

Расследования

Bulk RoHS Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Standard Active Chassis Mount - - 40 mA @ 1600 V 1600 V 735A -40°C ~ 150°C 1.4 V @ 2200 A
NTE5889

Таблицы данных

NTE5889

NTE5889

R-1200V 25A DO4 AK

NTE Electronics, Inc

108 10.43
- +

Добавить

Расследования

Bag RoHS Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Standard Active Stud Mount - - 1 mA @ 1200 V 1200 V 30A -40°C ~ 175°C 1.2 V @ 30 A
NTE6114

Таблицы данных

NTE6114

NTE6114

R-1600PRV 1100A

NTE Electronics, Inc

2737 250.00
- +

Добавить

Расследования

Bag RoHS Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Standard Active Chassis Mount - - 15 mA @ 1600 V 1600 V 1400A -40°C ~ 180°C 1.31 V @ 1500 A
UJ3D1220KSD

Таблицы данных

UJ3D1220KSD

UJ3D1220KSD

1200V 20A SIC SCHOTTKY DIODE G3,

UnitedSiC

445 11.55
- +

Добавить

Расследования

Tube RoHS No Recovery Time > 500mA (Io) Silicon Carbide Schottky Active Through Hole 1020pF @ 1V, 1MHz 0 ns 220 µA @ 1200 V 1200 V 10A (DC) -55°C ~ 175°C 1.6 V @ 10 A
NTE6106

Таблицы данных

NTE6106

NTE6106

R-1600 PRV 450A CATH CASE

NTE Electronics, Inc

2290 260.64
- +

Добавить

Расследования

Bag RoHS Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Standard Active Stud Mount - 11 µs 50 mA @ 1600 V 1600 V 450A -65°C ~ 175°C 1.6 V @ 1500 A
S4D20120A S4D20120A

S4D20120A

DIODE SCHOTTKY SILICON CARBIDE S

SMC Diode Solutions

150 10.70
- +

Добавить

Расследования

Tube RoHS No Recovery Time > 500mA (Io) Silicon Carbide Schottky Active Through Hole 721pF @ 0V, 1MHz 0 ns 40 µA @ 1200 V 1200 V 20A -55°C ~ 175°C 1.8 V @ 20 A
NTE6107

Таблицы данных

NTE6107

NTE6107

R-1600PRV 450A ANODE CASE

NTE Electronics, Inc

2030 260.64
- +

Добавить

Расследования

Bag RoHS Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Standard Active Stud Mount - 11 µs 50 mA @ 1600 V 1600 V 450A -65°C ~ 175°C 1.6 V @ 1500 A
NTE5994

Таблицы данных

NTE5994

NTE5994

R-600 PRV 40A CATH CASE

NTE Electronics, Inc

186 10.80
- +

Добавить

Расследования

Bag RoHS Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Standard Active Stud Mount - - 9 mA @ 600 V 600 V 40A -65°C ~ 190°C 1.3 V @ 40 A
NTE6105

Таблицы данных

NTE6105

NTE6105

R-1200PRV 550A ANODE CASE

NTE Electronics, Inc

3294 265.72
- +

Добавить

Расследования

Bag RoHS Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Standard Active Stud Mount - 9 µs 50 mA @ 1200 V 1200 V 300A -65°C ~ 200°C 2.15 V @ 1500 A
S4D20120H

Таблицы данных

S4D20120H

S4D20120H

DIODE SCHOTTKY SILICON CARBIDE S

SMC Diode Solutions

600 11.17
- +

Добавить

Расследования

Tube RoHS No Recovery Time > 500mA (Io) Silicon Carbide Schottky Active Through Hole 721pF @ 0V, 1MHz 0 ns 40 µA @ 1200 V 1200 V 20A -55°C ~ 175°C 1.8 V @ 20 A
NTE6104

Таблицы данных

NTE6104

NTE6104

R-1200 PRV 550A CATH CASE

NTE Electronics, Inc

2034 265.72
- +

Добавить

Расследования

Bag RoHS Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Standard Active Stud Mount - 9 µs 50 mA @ 1200 V 1200 V 300A -65°C ~ 200°C 2.15 V @ 1500 A
NTE5916

Таблицы данных

NTE5916

NTE5916

R-200PRV 20A CATH CASE

NTE Electronics, Inc

188 11.50
- +

Добавить

Расследования

Bag RoHS Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Standard Active Stud Mount - - 12 mA @ 200 V 200 V 20A -65°C ~ 175°C 1.23 V @ 63 A
NTE6128

Таблицы данных

NTE6128

NTE6128

R-1400V 430A FAST REC

NTE Electronics, Inc

3273 288.00
- +

Добавить

Расследования

Bag RoHS Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Standard Active Chassis Mount - 1 µs 50 mA @ 1400 V 1400 V 430A -40°C ~ 150°C 2 V @ 800 A
S3D35065D1 S3D35065D1

S3D35065D1

DIODE SCHOTTKY SILICON CARBIDE S

SMC Diode Solutions

600 11.56
- +

Добавить

Расследования

Tube RoHS No Recovery Time > 500mA (Io) Silicon Carbide Schottky Active Through Hole 2000pF @ 0V, 1MHz 0 ns 45 µA @ 650 V 650 V 35A -55°C ~ 175°C 1.7 V @ 35 A
NTE6129

Таблицы данных

NTE6129

NTE6129

R-1600V 700A FAST REC

NTE Electronics, Inc

3324 314.00
- +

Добавить

Расследования

Bag RoHS Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Standard Active Chassis Mount - 2 µs 50 mA @ 1600 V 1600 V 700A -40°C ~ 150°C 2.2 V @ 1500 A
NTE6109

Таблицы данных

NTE6109

NTE6109

R-1600PRV 550A ANODE

NTE Electronics, Inc

3613 338.52
- +

Добавить

Расследования

Bag RoHS Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Standard Active Stud Mount - 9 µs 50 mA @ 1600 V 1600 V 300A -65°C ~ 200°C 2.15 V @ 1500 A
UJ3D06530TS

Таблицы данных

UJ3D06530TS

UJ3D06530TS

650V 30A SIC SCHOTTKY DIODE G3,

UnitedSiC

829 11.78
- +

Добавить

Расследования

Tube Gen-III RoHS No Recovery Time > 500mA (Io) Silicon Carbide Schottky Active Through Hole 990pF @ 1V, 1MHz 0 ns 370 µA @ 650 V 650 V 30A (DC) -55°C ~ 175°C 1.7 V @ 30 A
Total 48193 Records«Prev1... 18671868186918701871187218731874...2410Next»
Запрос котировок
Номер запчасти
А
Связь
Электронная почта
Компания
Замечания
  • Домой

    Домой

    Продукты

    Продукты

    Телефон

    Телефон

    Связь

    Связь