Diodes-Rectifiers-Single,Discrete Semiconductor Products

Таблицы данных	Производитель. Часть #	Акции	Цены	А	Packaging	Series	RoHS	Speed	Diode Type	Part Status	Mounting Type	Package / Case	Capacitance @ Vr, F	Supplier Device Package	Reverse Recovery Time (trr)	Current - Reverse Leakage @ Vr	Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)	Current - Average Rectified (Io)
Таблицы данных	NTE5827 R-400 PRV 50 A ANODE CASE NTE Electronics, Inc	1864	8.50	- + Добавить Расследования	Bag		RoHS	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)	Standard	Active	Chassis Mount	400pF @ 4V, 1MHz	-	5 µA @ 400 V	400 V	50A	-65°C ~ 175°C	1 V @ 50 A
Таблицы данных	38DN06B02ELEMXPSA1 POWER DIODE BG-D_ELEM-1 Infineon Technologies	2225	191.40	- + Добавить Расследования	Tray		RoHS	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)	Standard	Active	Chassis Mount	-	-	50 mA @ 600 V	600 V	5140A	180°C (Max)	960 mV @ 4500 A
Таблицы данных	SCS220AMC DIODE SCHOTTKY 650V 20A TO220FM Rohm Semiconductor	976	8.59	- + Добавить Расследования	Tube		RoHS	No Recovery Time > 500mA (Io)	Silicon Carbide Schottky	Active	Through Hole	730pF @ 1V, 1MHz	0 ns	400 µA @ 600 V	650 V	20A	175°C (Max)	1.55 V @ 20 A
Таблицы данных	SI-E8000-4 HV DIODE D49X281 24000V 4A Diotec Semiconductor	2736	197.53	- + Добавить Расследования	Box		RoHS	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)	Standard	Active	Chassis Mount	-	1.5 µs	5 µA @ 24000 V	24000 V	4A	-50°C ~ 150°C	12 V @ 4 A
Таблицы данных	JANTX1N6638 DIODE GEN PURP 125V 300MA D5B Microchip Technology	619	8.62	- + Добавить Расследования	Bulk	Military, MIL-PRF-19500/578	RoHS	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)	Standard	Active	Through Hole	-	20 ns	500 nA @ 125 V	125 V	300mA	-65°C ~ 175°C	1.1 V @ 200 mA
	M1494NC250 FAST DIODE IXYS	2477	204.15	- + Добавить Расследования	Bulk		RoHS	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)	Standard	Active	Chassis Mount	-	3.9 µs	85 mA @ 2500 V	2500 V	1494A	-40°C ~ 125°C	2.34 V @ 4500 A
Таблицы данных	WNSC2D201200WQ SILICON CARBIDE SCHOTTKY DIODE WeEn Semiconductors	3000	8.93	- + Добавить Расследования	Tube		RoHS	No Recovery Time > 500mA (Io)	Silicon Carbide Schottky	Active	Through Hole	845pF @ 1V, 1MHz	0 ns	200 µA @ 1200 V	1200 V	20A	175°C	1.8 V @ 20 A
Таблицы данных	NTE6115 R-1200PRV 1200A NTE Electronics, Inc	2177	210.21	- + Добавить Расследования	Bag		RoHS	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)	Standard	Active	Chassis Mount	-	-	30 mA @ 1200 V	1200 V	1625A	-30°C ~ 175°C	1.93 V @ 3770 A
Таблицы данных	NTE5870 R-50PRV 12A CATH CASE NTE Electronics, Inc	1547	8.95	- + Добавить Расследования	Bag		RoHS	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)	Standard	Active	Stud Mount	-	-	12 mA @ 50 V	50 V	12A	-65°C ~ 175°C	1.26 V @ 38 A
Таблицы данных	NTE6111 R-600PRV 1100A NTE Electronics, Inc	3454	214.80	- + Добавить Расследования	Bag		RoHS	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)	Standard	Active	Chassis Mount	-	-	15 mA @ 600 V	600 V	1400A	-40°C ~ 180°C	1.31 V @ 1500 A
Таблицы данных	NTE5871 R-50PRV 12A ANODE CASE NTE Electronics, Inc	130	8.95	- + Добавить Расследования	Bag		RoHS	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)	Standard	Active	Stud Mount	-	-	12 mA @ 50 V	50 V	12A	-65°C ~ 175°C	1.26 V @ 38 A
Таблицы данных	NTE6102 R-600PRV 550A CATH CASE NTE Electronics, Inc	2350	220.22	- + Добавить Расследования	Bag		RoHS	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)	Standard	Active	Stud Mount	-	9 µs	50 mA @ 600 V	600 V	300A	-65°C ~ 200°C	2.15 V @ 1500 A
Таблицы данных	UJ3D1220K2 1200V 20A SIC SCHOTTKY DIODE G3, UnitedSiC	536	10.29	- + Добавить Расследования	Tube		RoHS	No Recovery Time > 500mA (Io)	Silicon Carbide Schottky	Active	Through Hole	810pF @ 1V, 1MHz	0 ns	190 µA @ 1200 V	1200 V	20A (DC)	-55°C ~ 175°C	1.7 V @ 20 A
	M0659LC450 FAST DIODE IXYS	3570	221.80	- + Добавить Расследования	Bulk		RoHS	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)	Standard	Active	Chassis Mount	-	4.2 µs	100 mA @ 4500 V	4500 V	659A	-40°C ~ 125°C	3 V @ 1400 A
Таблицы данных	PCDP20120G1_T0_00001 TO-220AC, SIC Panjit International Inc.	2000	9.16	- + Добавить Расследования	Tube		RoHS	No Recovery Time > 500mA (Io)	Silicon Carbide Schottky	Active	Through Hole	1.04nF @ 1V, 1MHz	0 ns	180 µA @ 1200 V	1200 V	20A (DC)	-55°C ~ 175°C	1.7 V @ 20 A
Таблицы данных	DZ600N12KHPSA1 DIODE GEN PURP 1.2KV 735A MODULE Infineon Technologies	3317	231.84	- + Добавить Расследования	Bulk		RoHS	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)	Standard	Active	Chassis Mount	-	-	40 mA @ 1200 V	1200 V	735A	-40°C ~ 150°C	1.4 V @ 2200 A
Таблицы данных	SIC10120PTA-BP 1200V,10A,SIC SBD,TO-247AD PACKA Micro Commercial Co	1800	9.22	- + Добавить Расследования	Tube		RoHS	No Recovery Time > 500mA (Io)	Silicon Carbide Schottky	Active	Through Hole	750pF @ 0V, 1MHz	-	2 µA @ 1200 V	1200 V	10A	-55°C ~ 175°C	1.8 V @ 10 A
Таблицы данных	46DN06B02ELEMXPSA1 POWER DIODE BG-D_ELEM-1 Infineon Technologies	3142	236.40	- + Добавить Расследования	Tray		RoHS	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)	Standard	Active	Chassis Mount	-	-	40 mA @ 600 V	600 V	10450A	180°C (Max)	980 mV @ 6000 A
Таблицы данных	NTE5894 R-100PRV 16A CATH CASE NTE Electronics, Inc	119	9.93	- + Добавить Расследования	Bag		RoHS	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)	Standard	Active	Stud Mount	-	-	12 mA @ 100 V	100 V	16A	-65°C ~ 175°C	1.23 V @ 50 A
Таблицы данных	DZ600N14KHPSA1 DIODE GEN PURP 1.4KV 735A MODULE Infineon Technologies	3197	236.81	- + Добавить Расследования	Bulk		RoHS	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)	Standard	Active	Chassis Mount	-	-	40 mA @ 1400 V	1400 V	735A	-40°C ~ 150°C	1.4 V @ 2200 A

Total 48193 Records«Prev 1... 1866 1867 1868 186918701871 1872 1873...2410 Next»