Таблицы данных Фотографии Производитель. Часть # Акции Цены А Packaging Series RoHS Speed Diode Type Part Status Mounting Type Package / Case Capacitance @ Vr, F Supplier Device Package Reverse Recovery Time (trr) Current - Reverse Leakage @ Vr Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) Current - Average Rectified (Io) Operating Temperature - Junction Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If
GE04MPS06A

Таблицы данных

GE04MPS06A

GE04MPS06A

650V 4A TO-220-2 SIC SCHOTTKY MP

GeneSiC Semiconductor

7985 2.62
- +

Добавить

Расследования

Tube SiC Schottky MPS™ RoHS No Recovery Time > 500mA (Io) Silicon Carbide Schottky Active Through Hole 186pF @ 1V, 1MHz 0 ns 5 µA @ 650 V 650 V 9A (DC) -55°C ~ 175°C 1.35 V @ 4 A
NTE5837

Таблицы данных

NTE5837

NTE5837

R-300 PRV 3A ANODE CASE

NTE Electronics, Inc

143 5.46
- +

Добавить

Расследования

Bag RoHS Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Standard Active Stud Mount - - 10 µA @ 300 V 300 V 3A -65°C ~ 175°C 1.2 V @ 3 A
CMSH2-60M TR13 PBFREE

Таблицы данных

CMSH2-60M TR13 PBFREE

CMSH2-60M TR13 PBFREE

DIODE SCHOTTKY 60V 2A SMA

Central Semiconductor Corp

4115 1.12
- +

Добавить

Расследования

Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT),Digi-Reel® RoHS Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Schottky Active Surface Mount 120pF @ 4V, 1MHz - 500 µA @ 60 V 60 V 2A -65°C ~ 150°C 700 mV @ 2 A
GE06MPS06A

Таблицы данных

GE06MPS06A

GE06MPS06A

650V 6A TO-220-2 SIC SCHOTTKY MP

GeneSiC Semiconductor

3420 2.63
- +

Добавить

Расследования

Tube SiC Schottky MPS™ RoHS No Recovery Time > 500mA (Io) Silicon Carbide Schottky Active Through Hole 279pF @ 1V, 1MHz - - 650 V 12A (DC) -55°C ~ 175°C -
UJ3D1210TS

Таблицы данных

UJ3D1210TS

UJ3D1210TS

1200V 10A SIC SCHOTTKY DIODE G3,

UnitedSiC

3252 6.50
- +

Добавить

Расследования

Tube RoHS No Recovery Time > 500mA (Io) Silicon Carbide Schottky Active Through Hole 510pF @ 1V, 1MHz 0 ns 110 µA @ 1200 V 1200 V 10A (DC) -55°C ~ 175°C 1.6 V @ 10 A
S3Y

Таблицы данных

S3Y

S3Y

ST Rect, 2000V, 3A

DComponents

504000 0.93
- +

Добавить

Расследования

Tape & Reel (TR) RoHS Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Standard Active Surface Mount - 1.5 µs 5 µA @ 2000 V 2000 V 3A -50°C ~ 150°C 1.15 V @ 3 A
1N4004BULK

Таблицы данных

1N4004BULK

1N4004BULK

STD 1A, CASE TYPE: DO-41

EIC SEMICONDUCTOR INC.

38000 0.09
- +

Добавить

Расследования

Bag RoHS Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Standard Active Through Hole 15pF @ 4V, 1MHz 2 µs 5 µA @ 400 V 400 V 1A -65°C ~ 175°C 1.1 V @ 1 A
FS8M

Таблицы данных

FS8M

FS8M

DIODE GEN PURP 1KV 8A TO277-3

onsemi

3785 1.12
- +

Добавить

Расследования

Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT),Digi-Reel® Automotive, AEC-Q101 RoHS Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Standard Active Surface Mount 118pF @ 0V, 1MHz 3.37 µs 5 µA @ 1000 V 1000 V 8A -55°C ~ 150°C 1.1 V @ 8 A
NTE626

Таблицы данных

NTE626

NTE626

R-SI 600V 8A 250NS

NTE Electronics, Inc

469 2.63
- +

Добавить

Расследования

Bag RoHS Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Standard Active Through Hole 50pF @ 4V, 1MHz 250 ns 10 µA @ 600 V 600 V 8A -65°C ~ 175°C 1.3 V @ 8 A
PCDP10120G1_T0_00001

Таблицы данных

PCDP10120G1_T0_00001

PCDP10120G1_T0_00001

TO-220AC, SIC

Panjit International Inc.

2000 5.54
- +

Добавить

Расследования

Tube RoHS No Recovery Time > 500mA (Io) Silicon Carbide Schottky Active Through Hole 529pF @ 1V, 1MHz 0 ns 100 µA @ 1200 V 1200 V 10A (DC) -55°C ~ 175°C 1.7 V @ 10 A
DD1000

Таблицы данных

DD1000

DD1000

HV Rect, 10000V, 0.02A, 150ns

DComponents

89970 0.94
- +

Добавить

Расследования

Tape & Reel (TR) RoHS Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Standard Active Through Hole - 150 ns 5 µA @ 10000 V 10000 V 20mA -50°C ~ 150°C 40 V @ 10 mA
V35PWM45HM3/I

Таблицы данных

V35PWM45HM3/I

V35PWM45HM3/I

DIODE SCHOTTKY 45V 35A SLIMDPAK

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

3700 1.12
- +

Добавить

Расследования

Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT),Digi-Reel® Automotive, AEC-Q101, eSMP®, TMBS® RoHS Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Schottky Active Surface Mount 4020pF @ 4V, 1MHz - 1.1 mA @ 45 V 45 V 35A -40°C ~ 175°C 670 mV @ 35 A
C3D08065I

Таблицы данных

C3D08065I

C3D08065I

DIODE SCHOTTKY 650V 8A TO220-2

Wolfspeed, Inc.

3245 5.70
- +

Добавить

Расследования

Tube Z-Rec® RoHS No Recovery Time > 500mA (Io) Silicon Carbide Schottky Active Through Hole 441pF @ 0V, 1MHz 0 ns 60 µA @ 650 V 650 V 16.5A (DC) -55°C ~ 175°C 1.8 V @ 8 A
V35PWM60HM3/I

Таблицы данных

V35PWM60HM3/I

V35PWM60HM3/I

DIODE SCHOTTKY 60V 35A SLIMDPAK

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

1202 1.12
- +

Добавить

Расследования

Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT),Digi-Reel® Automotive, AEC-Q101, eSMP®, TMBS® RoHS Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Schottky Active Surface Mount 3340pF @ 4V, 1MHz - 2.1 mA @ 60 V 60 V 35A -40°C ~ 175°C 770 mV @ 35 A
WNSC6D06650Q WNSC6D06650Q

WNSC6D06650Q

SILICON CARBIDE SCHOTTKY DIODE I

WeEn Semiconductors

3000 2.68
- +

Добавить

Расследования

Tube RoHS No Recovery Time > 500mA (Io) Silicon Carbide Schottky Active Through Hole 327pF @ 1V, 1MHz 0 ns 50 µA @ 650 V 650 V 6A 175°C 1.4 V @ 6 A
NTE6091

Таблицы данных

NTE6091

NTE6091

R-SCHOTTKY 40A 45V DUAL

NTE Electronics, Inc

206 5.72
- +

Добавить

Расследования

Bag RoHS Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Schottky Active Through Hole - - 100 mA @ 45 V 45 V 20A -65°C ~ 250°C 550 mV @ 20 A
BY550-50-CT

Таблицы данных

BY550-50-CT

BY550-50-CT

CUT-TAPE VERSION. STANDARD RECO

DComponents

3750 0.97
- +

Добавить

Расследования

Strip RoHS Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Standard Active Through Hole - 1.5 µs 5 µA @ 50 V 50 V 5A -50°C ~ 175°C 1 V @ 5 A
FES6G

Таблицы данных

FES6G

FES6G

DIODE 200V 6A TO277-3

onsemi

4250 1.13
- +

Добавить

Расследования

Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT),Digi-Reel® Automotive, AEC-Q101 RoHS Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Standard Active Surface Mount 60pF @ 4V, 1MHz 25 ns 2 µA @ 400 V 400 V 6A -55°C ~ 175°C 1.2 V @ 6 A
BYC30WT-600PQ

Таблицы данных

BYC30WT-600PQ

BYC30WT-600PQ

DIODE GEN PURP 600V 30A TO247-3

WeEn Semiconductors

2928 2.68
- +

Добавить

Расследования

Tube RoHS Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Standard Active Through Hole - 22 ns 10 µA @ 600 V 600 V 30A 175°C (Max) 2.75 V @ 30 A
SCS212AMC

Таблицы данных

SCS212AMC

SCS212AMC

DIODE SCHOTTKY 650V 12A TO220FM

Rohm Semiconductor

182 5.74
- +

Добавить

Расследования

Tube RoHS No Recovery Time > 500mA (Io) Silicon Carbide Schottky Active Through Hole 438pF @ 1V, 1MHz 0 ns 240 µA @ 600 V 650 V 12A 175°C (Max) 1.55 V @ 12 A
Total 48193 Records«Prev1... 164165166167168169170171...2410Next»
Запрос котировок
Номер запчасти
А
Связь
Электронная почта
Компания
Замечания
  • Домой

    Домой

    Продукты

    Продукты

    Телефон

    Телефон

    Связь

    Связь