Таблицы данных Фотографии Производитель. Часть # Акции Цены А Packaging Series ProductStatus FETType Technology DraintoSourceVoltage(Vdss) Current-ContinuousDrain(Id)@25°C DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) RdsOn(Max)@IdVgs Vgs(th)(Max)@Id GateCharge(Qg)(Max)@Vgs Vgs(Max) InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds FETFeature PowerDissipation(Max) OperatingTemperature MountingType
R6018VNXC7G

Таблицы данных

R6018VNXC7G

R6018VNXC7G

600V 10A TO-220FM, PRESTOMOS WIT

Rohm Semiconductor

3617 3.73
- +

Добавить

Расследования

Tube - Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 10A (Tc) 10V, 15V 204mOhm @ 4A, 15V 6.5V @ 600µA 27 nC @ 10 V ±30V 1250 pF @ 100 V - 61W (Tc) 150°C (TJ) Through Hole
FS14KM-10A#B00 FS14KM-10A#B00

FS14KM-10A#B00

N-CHANNEL POWER MOSFET

Renesas Electronics America Inc

1886 1.62
- +

Добавить

Расследования

Bulk * Active - - - - - - - - - - - - - -
2SK2724-AZ

Таблицы данных

2SK2724-AZ

2SK2724-AZ

N-CHANNEL POWER MOSFET

Renesas Electronics America Inc

1587 1.62
- +

Добавить

Расследования

Bulk * Active - - - - - - - - - - - - - -
NP90N055VDG-E1-AY

Таблицы данных

NP90N055VDG-E1-AY

NP90N055VDG-E1-AY

MOSFET N-CH 55V 90A TO252

Renesas Electronics America Inc

750 1.62
- +

Добавить

Расследования

Bulk - Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 90A (Tc) - 6mOhm @ 45A, 10V 2.5V @ 250µA 135 nC @ 10 V - 6900 pF @ 25 V - 1.2W (Ta), 105W (Tc) 175°C (TJ) Surface Mount
R6020YNXC7G

Таблицы данных

R6020YNXC7G

R6020YNXC7G

600V 12A TO-220FM, FAST SWITCHIN

Rohm Semiconductor

2683 3.77
- +

Добавить

Расследования

Tube - Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 12A (Tc) 10V, 12V 200mOhm @ 6A, 10V 6V @ 1.65mA 28 nC @ 10 V ±30V 1200 pF @ 100 V - 62W (Tc) 150°C (TJ) Through Hole
2SJ181-90STL 2SJ181-90STL

2SJ181-90STL

P-CHANNEL POWER MOSFET

Renesas Electronics America Inc

2157 1.64
- +

Добавить

Расследования

Bulk * Active - - - - - - - - - - - - - -
IRF9542

Таблицы данных

IRF9542

IRF9542

P-CHANNEL POWER MOSFET

Harris Corporation

497 1.64
- +

Добавить

Расследования

Bulk - Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 15A (Tc) 10V 300mOhm @ 10A, 10V 4V @ 250µA 90 nC @ 10 V ±20V 1100 pF @ 25 V - 150W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole
FDP5680

Таблицы данных

FDP5680

FDP5680

MOSFET N-CH 60V 40A TO220-3

Fairchild Semiconductor

7661 1.65
- +

Добавить

Расследования

Tube PowerTrench® Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 40A (Tc) 6V, 10V 20mOhm @ 20A, 10V 4V @ 250µA 46 nC @ 10 V ±20V 1850 pF @ 25 V - 65W (Tc) -65°C ~ 175°C (TJ) Through Hole
2SK3404-Z-E2-AZ

Таблицы данных

2SK3404-Z-E2-AZ

2SK3404-Z-E2-AZ

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR

Renesas Electronics America Inc

1000 1.65
- +

Добавить

Расследования

Bulk * Active - - - - - - - - - - - - - -
IXTY18P10T

Таблицы данных

IXTY18P10T

IXTY18P10T

MOSFET P-CH 100V 18A TO252

IXYS

3922 3.93
- +

Добавить

Расследования

Tube TrenchP™ Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 18A (Tc) 10V 120mOhm @ 9A, 10V 4.5V @ 250µA 39 nC @ 10 V ±15V 2100 pF @ 25 V - 83W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount
SPW11N60C3

Таблицы данных

SPW11N60C3

SPW11N60C3

N-CHANNEL POWER MOSFET

Infineon Technologies

7369 1.66
- +

Добавить

Расследования

Bulk CoolMOS™ Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 11A (Tc) 10V 380mOhm @ 7A, 10V 3.9V @ 500µA 60 nC @ 10 V ±20V 1200 pF @ 25 V - 125W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole
SPP15N65C3XKSA1

Таблицы данных

SPP15N65C3XKSA1

SPP15N65C3XKSA1

N-CHANNEL POWER MOSFET

Infineon Technologies

6300 1.66
- +

Добавить

Расследования

Bulk * Active - - - - - - - - - - - - - -
BTS244Z

Таблицы данных

BTS244Z

BTS244Z

N-CHANNEL POWER MOSFET

Infineon Technologies

3447 1.66
- +

Добавить

Расследования

Bulk * Obsolete - - - - - - - - - - - - - -
AUIRFSL8408

Таблицы данных

AUIRFSL8408

AUIRFSL8408

AUTOMOTIVE HEXFET N CHANNEL

International Rectifier

1435 1.66
- +

Добавить

Расследования

Bulk HEXFET® Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 195A (Tc) - 1.6mOhm @ 100A, 10V 3.9V @ 250µA 324 nC @ 10 V - 10820 pF @ 25 V - 294W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole
2SK1403A-E

Таблицы данных

2SK1403A-E

2SK1403A-E

N-CHANNEL POWER MOSFET

Renesas Electronics America Inc

696 3.11
- +

Добавить

Расследования

Bulk * Active - - - - - - - - - - - - - -
IXTH30N50P

Таблицы данных

IXTH30N50P

IXTH30N50P

MOSFET N-CH 500V 30A TO247

IXYS

3448 9.11
- +

Добавить

Расследования

Tube Polar Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 30A (Tc) 10V 200mOhm @ 15A, 10V 5V @ 250µA 70 nC @ 10 V ±30V 4150 pF @ 25 V - 460W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole
2SK2484(1)-AZ 2SK2484(1)-AZ

2SK2484(1)-AZ

N-CHANNEL SWITCHING POWER MOSFET

Renesas Electronics America Inc

276 3.12
- +

Добавить

Расследования

Bulk * Active - - - - - - - - - - - - - -
IPA65R380E6XKSA1

Таблицы данных

IPA65R380E6XKSA1

IPA65R380E6XKSA1

MOSFET N-CH 650V 10.6A TO220-FP

Infineon Technologies

950 3.13
- +

Добавить

Расследования

Tube CoolMOS™ Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 10.6A (Tc) 10V 380mOhm @ 3.2A, 10V 3.5V @ 320µA 39 nC @ 10 V ±20V 710 pF @ 100 V - 31W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole
RF1S4N100SM9A

Таблицы данных

RF1S4N100SM9A

RF1S4N100SM9A

MOSFET N-CH 1000V 4.3A TO263AB

Harris Corporation

187 3.13
- +

Добавить

Расследования

Bulk - Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1000 V 4.3A (Tc) - 3.5Ohm @ 2.5A, 10V 4V @ 250µA - ±20V - - 150W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount
IXTA12N50P

Таблицы данных

IXTA12N50P

IXTA12N50P

MOSFET N-CH 500V 12A TO263

IXYS

3444 3.98
- +

Добавить

Расследования

Tube Polar Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 12A (Tc) 10V 500mOhm @ 6A, 10V 5.5V @ 250µA 29 nC @ 10 V ±30V 1830 pF @ 25 V - 200W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount
Total 42442 Records«Prev1... 385386387388389390391392...2123Next»
Запрос котировок
Номер запчасти
А
Связь
Электронная почта
Компания
Замечания
  • Домой

    Домой

    Продукты

    Продукты

    Телефон

    Телефон

    Связь

    Связь