Таблицы данных Фотографии Производитель. Часть # Акции Цены А Packaging Series ProductStatus FETType Technology DraintoSourceVoltage(Vdss) Current-ContinuousDrain(Id)@25°C DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) RdsOn(Max)@IdVgs Vgs(th)(Max)@Id GateCharge(Qg)(Max)@Vgs Vgs(Max) InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds FETFeature PowerDissipation(Max) OperatingTemperature MountingType
IRF9622

Таблицы данных

IRF9622

IRF9622

P-CHANNEL POWER MOSFET

Harris Corporation

1128 0.41
- +

Добавить

Расследования

Bulk - Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 3A (Tc) 10V 2.4Ohm @ 1.5A, 10V 4V @ 250µA 22 nC @ 10 V ±20V 350 pF @ 25 V - 40W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole
IRFR221

Таблицы данных

IRFR221

IRFR221

N-CHANNEL POWER MOSFET

Harris Corporation

1075 0.41
- +

Добавить

Расследования

Bulk - Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 4.6A (Tc) 10V 800mOhm @ 2.4A, 10V 4V @ 250µA 18 nC @ 10 V ±20V 330 pF @ 25 V - 50W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount
IPI80N04S3-06

Таблицы данных

IPI80N04S3-06

IPI80N04S3-06

N-CHANNEL POWER MOSFET

Infineon Technologies

1050 0.41
- +

Добавить

Расследования

Bulk * Obsolete - - - - - - - - - - - - - -
IRFR421

Таблицы данных

IRFR421

IRFR421

N-CHANNEL POWER MOSFET

Harris Corporation

1000 0.41
- +

Добавить

Расследования

Bulk - Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 450 V 2.5A (Tc) 10V 3Ohm @ 1.3A, 10V 4V @ 250µA 19 nC @ 10 V ±20V 350 pF @ 25 V - 50W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount
DIT090N06

Таблицы данных

DIT090N06

DIT090N06

MOSFET N-CH 65V 90A TO220AB

Diotec Semiconductor

1000 0.93
- +

Добавить

Расследования

Tube - Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 65 V 90A (Tc) 10V 7mOhm @ 30A, 10V 4V @ 250µA 94 nC @ 10 V ±20V 3400 pF @ 25 V - 160W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole
IRFU422

Таблицы данных

IRFU422

IRFU422

N-CHANNEL POWER MOSFET

Harris Corporation

1000 0.41
- +

Добавить

Расследования

Bulk - Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 2.2A (Tc) 10V 4Ohm @ 1.3A, 10V 4V @ 250µA 19 nC @ 10 V ±20V 350 pF @ 25 V - 50W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole
SPB03N60S5

Таблицы данных

SPB03N60S5

SPB03N60S5

N-CHANNEL POWER MOSFET

Infineon Technologies

1000 0.41
- +

Добавить

Расследования

Bulk * Active - - - - - - - - - - - - - -
2SK4100LS

Таблицы данных

2SK4100LS

2SK4100LS

N-CHANNEL SILICON MOSFET

Sanyo

958 0.41
- +

Добавить

Расследования

Bulk * Active - - - - - - - - - - - - - -
FW705-TL-E

Таблицы данных

FW705-TL-E

FW705-TL-E

P-CHANNEL SILICON MOSFET

Sanyo

927 0.41
- +

Добавить

Расследования

Bulk * Active - - - - - - - - - - - - - -
FDD8880_NL

Таблицы данных

FDD8880_NL

FDD8880_NL

N-CHANNEL POWER MOSFET

Fairchild Semiconductor

777 0.41
- +

Добавить

Расследования

Bulk PowerTrench® Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 13A (Ta), 58A (Tc) 4.5V, 10V 9mOhm @ 35A, 10V 2.5V @ 250µA 31 nC @ 10 V ±20V 1260 pF @ 15 V - 55W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount
NTE490

Таблицы данных

NTE490

NTE490

MOSFET N-CHANNEL 60V 500MA AXIAL

NTE Electronics, Inc

712 0.93
- +

Добавить

Расследования

Bag - Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 500mA (Tj) 10V 5Ohm @ 200mA, 10V 3V @ 1mA - ±20V 60 pF @ 10 V - 350mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole
2SK2628LS

Таблицы данных

2SK2628LS

2SK2628LS

N-CHANNEL SILICON MOSFET

onsemi

5978 0.42
- +

Добавить

Расследования

Bulk * Active - - - - - - - - - - - - - -
IRFS530A

Таблицы данных

IRFS530A

IRFS530A

N-CHANNEL POWER MOSFET

Fairchild Semiconductor

4315 0.42
- +

Добавить

Расследования

Bulk - Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 10.7A (Tc) 10V 110mOhm @ 5.35A, 10V 4V @ 250µA 36 nC @ 10 V ±20V 790 pF @ 25 V - 32W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole
BUK9535-100A,127

Таблицы данных

BUK9535-100A,127

BUK9535-100A,127

MOSFET N-CH 100V 41A TO220AB

NXP USA Inc.

4000 0.42
- +

Добавить

Расследования

Tube TrenchMOS™ Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 41A (Tc) 4.5V, 10V 34mOhm @ 25A, 10V 2V @ 1mA - ±10V 3573 pF @ 25 V - 149W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole
RLP03N06CLE RLP03N06CLE

RLP03N06CLE

N-CHANNEL POWER MOSFET

Harris Corporation

3673 0.42
- +

Добавить

Расследования

Bulk * Active - - - - - - - - - - - - - -
2SK2111-D-T1-AZ

Таблицы данных

2SK2111-D-T1-AZ

2SK2111-D-T1-AZ

SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET

Renesas Electronics America Inc

9000 0.43
- +

Добавить

Расследования

Bulk * Active - - - - - - - - - - - - - -
IPP80CN10NGXKSA1

Таблицы данных

IPP80CN10NGXKSA1

IPP80CN10NGXKSA1

PFET, 13A I(D), 100V, 0.08OHM, 1

Infineon Technologies

5891 0.43
- +

Добавить

Расследования

Bulk * Active - - - - - - - - - - - - - -
IRF3709ZPBF

Таблицы данных

IRF3709ZPBF

IRF3709ZPBF

MOSFET N-CH 30V 87A TO220AB

International Rectifier

5547 0.43
- +

Добавить

Расследования

Bulk HEXFET® Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 87A (Tc) - 6.3mOhm @ 21A, 10V 2.25V @ 250µA 26 nC @ 4.5 V ±20V 2130 pF @ 15 V - 79W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole
SI6463DQ

Таблицы данных

SI6463DQ

SI6463DQ

P-CHANNEL MOSFET

Fairchild Semiconductor

4850 0.43
- +

Добавить

Расследования

Bulk PowerTrench® Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 8.8A (Ta) 2.5V, 4.5V 12.5mOhm @ 8.8A, 4.5V 1.5V @ 250µA 66 nC @ 4.5 V ±12V 5045 pF @ 10 V - 600mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount
SSW2N60BTM

Таблицы данных

SSW2N60BTM

SSW2N60BTM

N-CHANNEL POWER MOSFET

Fairchild Semiconductor

4632 0.43
- +

Добавить

Расследования

Bulk - Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 2A (Tc) 10V 5Ohm @ 1A, 10V 4V @ 250µA 17 nC @ 10 V ±30V 490 pF @ 25 V - 3.13W (Ta), 54W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount
Total 42442 Records«Prev1... 336337338339340341342343...2123Next»
Запрос котировок
Номер запчасти
А
Связь
Электронная почта
Компания
Замечания
  • Домой

    Домой

    Продукты

    Продукты

    Телефон

    Телефон

    Связь

    Связь

    Tipsχ