Таблицы данных Фотографии Производитель. Часть # Акции Цены А Packaging Series ProductStatus FETType Technology DraintoSourceVoltage(Vdss) Current-ContinuousDrain(Id)@25°C DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) RdsOn(Max)@IdVgs Vgs(th)(Max)@Id GateCharge(Qg)(Max)@Vgs Vgs(Max) InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds FETFeature PowerDissipation(Max) OperatingTemperature MountingType
FQP3N25

Таблицы данных

FQP3N25

FQP3N25

MOSFET N-CH 250V 2.8A TO220-3

Fairchild Semiconductor

5900 0.27
- +

Добавить

Расследования

Tube QFET® Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 250 V 2.8A (Tc) 10V 2.2Ohm @ 1.4A, 10V 5V @ 250µA 5.2 nC @ 10 V ±30V 170 pF @ 25 V - 45W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole
FQPF7N10L

Таблицы данных

FQPF7N10L

FQPF7N10L

MOSFET N-CH 100V 5.5A TO220F

Fairchild Semiconductor

5887 0.27
- +

Добавить

Расследования

Tube QFET® Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 5.5A (Tc) 5V, 10V 350mOhm @ 2.75A, 10V 2V @ 250µA 6 nC @ 5 V ±20V 290 pF @ 25 V - 23W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole
HUF76013P3

Таблицы данных

HUF76013P3

HUF76013P3

MOSFET N-CH 20V 20A TO220-3

Fairchild Semiconductor

5326 0.27
- +

Добавить

Расследования

Tube UltraFET™ Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 20A (Tc) 5V, 10V 22mOhm @ 20A, 10V 3V @ 250µA 17 nC @ 10 V ±20V 624 pF @ 20 V - 50W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole
FQP9N08L

Таблицы данных

FQP9N08L

FQP9N08L

MOSFET N-CH 80V 9.3A TO220-3

Fairchild Semiconductor

5169 0.27
- +

Добавить

Расследования

Tube QFET® Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 9.3A (Tc) 5V, 10V 210mOhm @ 4.65A, 10V 5V @ 250µA 6.1 nC @ 5 V ±20V 280 pF @ 25 V - 40W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole
BUZ101L

Таблицы данных

BUZ101L

BUZ101L

N-CHANNEL POWER MOSFET

Infineon Technologies

5075 0.27
- +

Добавить

Расследования

Bulk * Active - - - - - - - - - - - - - -
STD1063T4 STD1063T4

STD1063T4

NFET DPAK SPCL 500V TR

onsemi

5000 0.27
- +

Добавить

Расследования

Bulk * Active - - - - - - - - - - - - - -
BSC8899N03MS

Таблицы данных

BSC8899N03MS

BSC8899N03MS

N-CHANNEL POWER MOSFET

Infineon Technologies

4952 0.27
- +

Добавить

Расследования

Bulk * Active - - - - - - - - - - - - - -
IRFU330BTU

Таблицы данных

IRFU330BTU

IRFU330BTU

N-CHANNEL POWER MOSFET

Fairchild Semiconductor

4090 0.27
- +

Добавить

Расследования

Bulk - Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 400 V 4.5A (Tc) 10V 1Ohm @ 2.25A, 10V 4V @ 250µA 33 nC @ 10 V ±30V 1000 pF @ 25 V - 2.5W (Ta), 48W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole
MMDF7N02ZR2

Таблицы данных

MMDF7N02ZR2

MMDF7N02ZR2

SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET

onsemi

3464 0.27
- +

Добавить

Расследования

Bulk * Active - - - - - - - - - - - - - -
FQP9N08

Таблицы данных

FQP9N08

FQP9N08

MOSFET N-CH 80V 9.3A TO220-3

Fairchild Semiconductor

3153 0.27
- +

Добавить

Расследования

Tube QFET® Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 9.3A (Tc) 10V 210mOhm @ 4.65A, 10V 4V @ 250µA 7.7 nC @ 10 V ±25V 250 pF @ 25 V - 40W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole
RQK0202RGDQAWS#H6 RQK0202RGDQAWS#H6

RQK0202RGDQAWS#H6

P CH MOS FET POWER SWITCHING

Renesas Electronics America Inc

2980 0.27
- +

Добавить

Расследования

Bulk * Active - - - - - - - - - - - - - -
FQP4N25

Таблицы данных

FQP4N25

FQP4N25

MOSFET N-CH 250V 3.6A TO220-3

Fairchild Semiconductor

2950 0.27
- +

Добавить

Расследования

Tube QFET® Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 250 V 3.6A (Tc) 10V 1.75Ohm @ 1.8A, 10V 5V @ 250µA 5.6 nC @ 10 V ±30V 200 pF @ 25 V - 52W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole
FDU6676AS

Таблицы данных

FDU6676AS

FDU6676AS

MOSFET N-CH 30V 90A IPAK

Fairchild Semiconductor

1708 0.27
- +

Добавить

Расследования

Tube PowerTrench® Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 90A (Ta) 4.5V, 10V 5.8mOhm @ 16A, 10V 3V @ 250µA 64 nC @ 10 V ±20V 2470 pF @ 15 V - 70W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole
HUF75309D3S

Таблицы данных

HUF75309D3S

HUF75309D3S

MOSFET N-CH 55V 19A DPAK

Fairchild Semiconductor

1687 0.27
- +

Добавить

Расследования

Tube UltraFET™ Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 19A (Tc) - 70mOhm @ 19A, 10V 4V @ 250µA 24 nC @ 20 V ±20V 350 pF @ 25 V - 55W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount
IRFW720BTM

Таблицы данных

IRFW720BTM

IRFW720BTM

N-CHANNEL POWER MOSFET

Fairchild Semiconductor

1672 0.27
- +

Добавить

Расследования

Bulk - Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 400 V 3.3A (Tc) 10V 1.75Ohm @ 1.65A, 10V 4V @ 250µA 18 nC @ 10 V ±30V 600 pF @ 25 V - 3.13W (Ta), 49W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount
RFP2N10

Таблицы данных

RFP2N10

RFP2N10

N-CHANNEL, MOSFET

Harris Corporation

1323 0.27
- +

Добавить

Расследования

Bulk - Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 2A (Tc) 10V 1.05Ohm @ 2A, 5V 4V @ 250µA - ±20V 200 pF @ 25 V - 25W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole
SPD30N03S2L-20G

Таблицы данных

SPD30N03S2L-20G

SPD30N03S2L-20G

N-CHANNEL POWER MOSFET

Infineon Technologies

8367 0.28
- +

Добавить

Расследования

Bulk * Active - - - - - - - - - - - - - -
BUK7528-55A,127

Таблицы данных

BUK7528-55A,127

BUK7528-55A,127

PFET, 42A I(D), 55V, 0.028OHM, 1

NXP USA Inc.

4285 0.28
- +

Добавить

Расследования

Tube TrenchMOS™ Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 42A (Tc) 10V 28mOhm @ 25A, 10V 4V @ 1mA - ±20V 1165 pF @ 25 V - 99W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole
PSMN050-80BS,118

Таблицы данных

PSMN050-80BS,118

PSMN050-80BS,118

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2

NXP USA Inc.

3200 0.28
- +

Добавить

Расследования

Bulk - Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 22A (Tc) 10V 46mOhm @ 10A, 10V 4V @ 1mA 11 nC @ 10 V ±20V 633 pF @ 12 V - 56W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount
IPU60R1K4C6

Таблицы данных

IPU60R1K4C6

IPU60R1K4C6

N-CHANNEL POWER MOSFET

Infineon Technologies

2370 0.28
- +

Добавить

Расследования

Bulk * Active - - - - - - - - - - - - - -
Total 42442 Records«Prev1... 325326327328329330331332...2123Next»
Запрос котировок
Номер запчасти
А
Связь
Электронная почта
Компания
Замечания
  • Домой

    Домой

    Продукты

    Продукты

    Телефон

    Телефон

    Связь

    Связь