Таблицы данных Фотографии Производитель. Часть # Акции Цены А Packaging Series ProductStatus FETType Technology DraintoSourceVoltage(Vdss) Current-ContinuousDrain(Id)@25°C DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) RdsOn(Max)@IdVgs Vgs(th)(Max)@Id GateCharge(Qg)(Max)@Vgs Vgs(Max) InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds FETFeature PowerDissipation(Max) OperatingTemperature MountingType
AUIRF3205

Таблицы данных

AUIRF3205

AUIRF3205

AUIRF3205 - 55V-60V N-CHANNEL AU

International Rectifier

9950 1.83
- +

Добавить

Расследования

Bulk HEXFET® Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 75A (Tc) 10V 8mOhm @ 62A, 10V 4V @ 250µA 146 nC @ 10 V ±20V 3247 pF @ 25 V - 200W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole
IRFSL7430PBF

Таблицы данных

IRFSL7430PBF

IRFSL7430PBF

MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK

International Rectifier

4360 1.83
- +

Добавить

Расследования

Bulk HEXFET®, StrongIRFET™ Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 195A (Tc) 6V, 10V 1.2mOhm @ 100A, 10V 3.9V @ 250µA 460 nC @ 10 V ±20V 14240 pF @ 25 V - 375W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount
FQA13N50CF

Таблицы данных

FQA13N50CF

FQA13N50CF

MOSFET N-CH 500V 15A TO3PN

Fairchild Semiconductor

2481 1.83
- +

Добавить

Расследования

Bulk - Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 15A (Tc) 10V 480mOhm @ 7.5A, 10V 4V @ 250µA 56 nC @ 10 V ±30V 2055 pF @ 25 V - 218W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole
NP80N06MLG-S18-AY NP80N06MLG-S18-AY

NP80N06MLG-S18-AY

NP80N06MLG-S18-AY - SWITCHINGN-C

Renesas

22200 1.84
- +

Добавить

Расследования

Bulk - Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 80A (Tc) 4.5V, 10V 8.6mOhm @ 40A, 10V 2.5V @ 250µA 128 nC @ 10 V ±20V 6900 pF @ 25 V - 1.8W (Ta), 115W (Tc) 175°C Through Hole
AUIRFBA1405

Таблицы данных

AUIRFBA1405

AUIRFBA1405

MOSFET N-CH 55V 95A SUPER-220

International Rectifier

2024 1.84
- +

Добавить

Расследования

Bulk HEXFET® Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 95A (Tc) 10V 5mOhm @ 101A, 10V 4V @ 250µA 260 nC @ 10 V ±20V 5480 pF @ 25 V - 330W (Tc) -40°C ~ 175°C (TJ) Through Hole
AUIRF1404ZSTRL

Таблицы данных

AUIRF1404ZSTRL

AUIRF1404ZSTRL

MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK

International Rectifier

1149 1.84
- +

Добавить

Расследования

Bulk HEXFET® Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 160A (Tc) 10V 3.7mOhm @ 75A, 10V 4V @ 250µA 150 nC @ 10 V ±20V 4340 pF @ 25 V - 200W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount
2SK3714-S12-AZ 2SK3714-S12-AZ

2SK3714-S12-AZ

2SK3714-S12-AZ - SWITCHING N-CHA

Renesas

142342 1.85
- +

Добавить

Расследования

Bulk - Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 50A (Tc) 4V, 10V 13mOhm @ 25A, 10V 2.5V @ 1mA 60 nC @ 10 V ±20V 3200 pF @ 10 V - 2W (Ta), 35W (Tc) 150°C Through Hole
IRF6641TRPBF

Таблицы данных

IRF6641TRPBF

IRF6641TRPBF

IRF6641 - 12V-300V N-CHANNEL POW

International Rectifier

14962 1.85
- +

Добавить

Расследования

Bulk HEXFET® Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 4.6A (Ta), 26A (Tc) 10V 59.9mOhm @ 5.5A, 10V 4.9V @ 150µA 48 nC @ 10 V ±20V 2290 pF @ 25 V - 2.8W (Ta), 89W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount
BSZ0804LSATMA1

Таблицы данных

BSZ0804LSATMA1

BSZ0804LSATMA1

MOSFET N-CH 100V 11A/40A TSDSON

Infineon Technologies

2688 1.86
- +

Добавить

Расследования

Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT),Digi-Reel® OptiMOS™ 5 Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 11A (Ta), 40A (Tc) 4.5V, 10V 9.6mOhm @ 20A, 10V 2.3V @ 36µA 15 nC @ 4.5 V ±20V 2100 pF @ 50 V - 2.1W (Ta), 69W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount
AUIRFS3607

Таблицы данных

AUIRFS3607

AUIRFS3607

MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK

International Rectifier

688 1.88
- +

Добавить

Расследования

Bulk HEXFET® Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75 V 80A (Tc) 10V 9mOhm @ 46A, 10V 4V @ 100µA 84 nC @ 10 V ±20V 3070 pF @ 50 V - 140W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount
NTE2984

Таблицы данных

NTE2984

NTE2984

MOSFET-PWR N-CHAN 60V 17A TO-220

NTE Electronics, Inc

380 2.75
- +

Добавить

Расследования

Bag - Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 17A (Tc) 5V 140mOhm @ 8.5A, 5V 2V @ 250µA 18 nC @ 5 V ±10V 870 pF @ 25 V - 60W -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole
AUIRL1404ZSTRL

Таблицы данных

AUIRL1404ZSTRL

AUIRL1404ZSTRL

MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK

International Rectifier

1270 1.90
- +

Добавить

Расследования

Bulk HEXFET® Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 160A (Tc) 4.5V, 10V 3.1mOhm @ 75A, 10V 2.7V @ 250µA 110 nC @ 5 V ±16V 5080 pF @ 25 V - 200W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount
BSC010N04LS6ATMA1

Таблицы данных

BSC010N04LS6ATMA1

BSC010N04LS6ATMA1

MOSFET N-CH 40V 40A/100A TDSON

Infineon Technologies

5350 2.81
- +

Добавить

Расследования

Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT),Digi-Reel® OptiMOS™ Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 40A (Ta), 100A (Tc) 4.5V, 10V 1mOhm @ 50A, 10V 2.3V @ 250µA 67 nC @ 4.5 V ±20V 4600 pF @ 20 V - 3W (Ta), 150W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount
AUIRF1324S

Таблицы данных

AUIRF1324S

AUIRF1324S

MOSFET N-CH 24V 195A D2PAK

International Rectifier

10232 1.92
- +

Добавить

Расследования

Bulk HEXFET® Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 24 V 195A (Tc) 10V 1.65mOhm @ 195A, 10V 4V @ 250µA 240 nC @ 10 V ±20V 7590 pF @ 24 V - 300W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount
IRFS4115TRL7PP

Таблицы данных

IRFS4115TRL7PP

IRFS4115TRL7PP

IRFS4115 - 12V-300V N-CHANNEL PO

International Rectifier

24994 1.93
- +

Добавить

Расследования

Bulk HEXFET® Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 105A (Tc) 10V 11.8mOhm @ 63A, 10V 5V @ 250µA 110 nC @ 10 V ±20V 5320 pF @ 50 V - 380W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount
AUIRF2903Z

Таблицы данных

AUIRF2903Z

AUIRF2903Z

MOSFET N-CH 30V 160A TO220AB

International Rectifier

2150 1.93
- +

Добавить

Расследования

Bulk HEXFET® Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 160A (Tc) 10V 2.4mOhm @ 75A, 10V 4V @ 250µA 240 nC @ 10 V ±20V 6320 pF @ 25 V - 290W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole
AUIRF3805L

Таблицы данных

AUIRF3805L

AUIRF3805L

MOSFET N-CH 55V 160A TO262

International Rectifier

2929 1.97
- +

Добавить

Расследования

Bulk HEXFET® Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 160A (Tc) 10V 3.3mOhm @ 75A, 10V 4V @ 250µA 290 nC @ 10 V ±20V 7960 pF @ 25 V - 300W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole
2SJ532-E 2SJ532-E

2SJ532-E

2SJ532 - P-CHANNEL POWER MOSFET

Renesas

2148 2148.00
- +

Добавить

Расследования

Bulk - Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 20A (Ta) 4V, 10V 55mOhm @ 10A, 10V 2V @ 1mA - ±20V 1750 pF @ 10 V - 30W (Tc) 150°C
IRL7486MTRPBF

Таблицы данных

IRL7486MTRPBF

IRL7486MTRPBF

MOSFET N-CH 40V 209A DIRECTFET

Infineon Technologies

4789 2.96
- +

Добавить

Расследования

Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT),Digi-Reel® HEXFET®, StrongIRFET™ Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 209A (Tc) 4.5V, 10V 1.25mOhm @ 123A, 10V 2.5V @ 150µA 111 nC @ 4.5 V ±20V 6904 pF @ 25 V - 104W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount
BSC009NE2LS5IATMA1

Таблицы данных

BSC009NE2LS5IATMA1

BSC009NE2LS5IATMA1

MOSFET N-CH 25V 40A/100A TDSON

Infineon Technologies

4339 2.96
- +

Добавить

Расследования

Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT),Digi-Reel® OptiMOS™ Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 25 V 40A (Ta), 100A (Tc) 4.5V, 10V 0.95mOhm @ 30A, 10V 2V @ 250µA 49 nC @ 10 V ±16V 3200 pF @ 12 V - 2.5W (Ta), 74W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount
Total 42442 Records«Prev1... 282283284285286287288289...2123Next»
Запрос котировок
Номер запчасти
А
Связь
Электронная почта
Компания
Замечания
  • Домой

    Домой

    Продукты

    Продукты

    Телефон

    Телефон

    Связь

    Связь