Таблицы данных Фотографии Производитель. Часть # Акции Цены А Packaging Series ProductStatus FETType Technology DraintoSourceVoltage(Vdss) Current-ContinuousDrain(Id)@25°C DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) RdsOn(Max)@IdVgs Vgs(th)(Max)@Id GateCharge(Qg)(Max)@Vgs Vgs(Max) InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds FETFeature PowerDissipation(Max) OperatingTemperature MountingType
FDI8441 FDI8441

FDI8441

MOSFET N-CH 40V 26A/80A I2PAK

onsemi

2526 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tube PowerTrench® Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 26A (Ta), 80A (Tc) 10V 2.7mOhm @ 80A, 10V 4V @ 250µA 280 nC @ 10 V ±20V 15000 pF @ 25 V - 300W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole
FDFS2P753AZ

Таблицы данных

FDFS2P753AZ

FDFS2P753AZ

MOSFET P-CH 30V 3A 8SOIC

onsemi

3335 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT),Digi-Reel® PowerTrench® Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 3A (Ta) 4.5V, 10V 115mOhm @ 3A, 10V 3V @ 250µA 11 nC @ 10 V ±25V 455 pF @ 15 V Schottky Diode (Isolated) 3.1W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount
FDG332PZ

Таблицы данных

FDG332PZ

FDG332PZ

MOSFET P-CH 20V 2.6A SC88

onsemi

3097 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT),Digi-Reel®,Bulk PowerTrench® Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 2.6A (Ta) 1.8V, 4.5V 95mOhm @ 2.6A, 4.5V 1.5V @ 250µA 10.8 nC @ 4.5 V ±8V 560 pF @ 10 V - 750mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount
2SK2719(F)

Таблицы данных

2SK2719(F)

2SK2719(F)

MOSFET N-CH 900V 3A TO3P

Toshiba Semiconductor and Storage

3480 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tube - Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 900 V 3A (Ta) 10V 4.3Ohm @ 1.5A, 10V 4V @ 1mA 25 nC @ 10 V ±30V 750 pF @ 25 V - 125W (Tc) 150°C (TJ) Through Hole
2SK2847(F)

Таблицы данных

2SK2847(F)

2SK2847(F)

MOSFET N-CH 900V 8A TO3PIS

Toshiba Semiconductor and Storage

2109 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tube - Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 900 V 8A (Ta) 10V 1.4Ohm @ 4A, 10V 4V @ 1mA 58 nC @ 10 V ±30V 2040 pF @ 25 V - 85W (Tc) 150°C (TJ) Through Hole
2SK2916(F)

Таблицы данных

2SK2916(F)

2SK2916(F)

MOSFET N-CH 500V 14A TO3PIS

Toshiba Semiconductor and Storage

2107 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tube - Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 14A (Ta) 10V 400mOhm @ 7A, 10V 4V @ 1mA 58 nC @ 10 V ±30V 2600 pF @ 10 V - 80W (Tc) 150°C (TJ) Through Hole
2SK2917(F)

Таблицы данных

2SK2917(F)

2SK2917(F)

MOSFET N-CH 500V 18A TO3PIS

Toshiba Semiconductor and Storage

2208 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tube - Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 18A (Ta) 10V 270mOhm @ 10A, 10V 4V @ 1mA 80 nC @ 10 V ±30V 3720 pF @ 10 V - 90W (Tc) 150°C (TJ) Through Hole
2SK2967(F)

Таблицы данных

2SK2967(F)

2SK2967(F)

MOSFET N-CH 250V 30A TO3P

Toshiba Semiconductor and Storage

2717 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tray - Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 250 V 30A (Ta) 10V 68mOhm @ 15A, 10V 3.5V @ 1mA 132 nC @ 10 V ±20V 5400 pF @ 10 V - 150W (Tc) 150°C (TJ) Through Hole
2SK2993(TE24L,Q)

Таблицы данных

2SK2993(TE24L,Q)

2SK2993(TE24L,Q)

MOSFET N-CH 250V 20A TO220SM

Toshiba Semiconductor and Storage

2963 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tape & Reel (TR) - Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 250 V 20A (Ta) 10V 105mOhm @ 10A, 10V 3.5V @ 1mA 100 nC @ 10 V ±20V 4000 pF @ 10 V - 100W (Tc) 150°C (TJ) Surface Mount
2SK2995(F)

Таблицы данных

2SK2995(F)

2SK2995(F)

MOSFET N-CH 250V 30A TO3PIS

Toshiba Semiconductor and Storage

2664 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tube - Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 250 V 30A (Ta) 10V 68mOhm @ 15A, 10V 3.5V @ 1mA 132 nC @ 10 V ±20V 5400 pF @ 10 V - 90W (Tc) 150°C (TJ) Through Hole
2SK3068(TE24L,Q)

Таблицы данных

2SK3068(TE24L,Q)

2SK3068(TE24L,Q)

MOSFET N-CH 500V 12A TO220SM

Toshiba Semiconductor and Storage

2430 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tape & Reel (TR) - Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 12A (Ta) 10V 520mOhm @ 6A, 10V 4V @ 1mA 45 nC @ 10 V ±30V 2040 pF @ 10 V - 100W (Tc) 150°C (TJ) Surface Mount
2SK3127(TE24L,Q)

Таблицы данных

2SK3127(TE24L,Q)

2SK3127(TE24L,Q)

MOSFET N-CH 30V 45A TO220SM

Toshiba Semiconductor and Storage

2160 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tape & Reel (TR) - Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 45A (Ta) 10V 12mOhm @ 25A, 10V 3V @ 1mA 66 nC @ 10 V ±20V 2300 pF @ 10 V - 65W (Tc) 150°C (TJ) Surface Mount
2SK3132(Q)

Таблицы данных

2SK3132(Q)

2SK3132(Q)

MOSFET N-CH 500V 50A TO3P

Toshiba Semiconductor and Storage

3510 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tube - Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 50A (Ta) 10V 95mOhm @ 25A, 10V 3.4V @ 1mA 280 nC @ 10 V ±30V 11000 pF @ 10 V - 250W (Tc) 150°C (TJ) Through Hole
STB100NF03L-03-1

Таблицы данных

STB100NF03L-03-1

STB100NF03L-03-1

MOSFET N-CH 30V 100A I2PAK

STMicroelectronics

3069 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tube STripFET™ III Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 100A (Tc) 4.5V, 10V 3.2mOhm @ 50A, 10V 2.5V @ 250µA 88 nC @ 5 V ±16V 6200 pF @ 25 V - 300W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole
STD38NH02L-1

Таблицы данных

STD38NH02L-1

STD38NH02L-1

MOSFET N-CH 24V 38A IPAK

STMicroelectronics

2813 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tube STripFET™ III Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 24 V 38A (Tc) 5V, 10V 13.5mOhm @ 19A, 10V 2.5V @ 250µA 24 nC @ 10 V ±20V 1070 pF @ 25 V - 40W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole
STD70N03L-1

Таблицы данных

STD70N03L-1

STD70N03L-1

MOSFET N-CH 30V 70A IPAK

STMicroelectronics

2861 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tube STripFET™ III Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 70A (Tc) 5V, 10V 7.3mOhm @ 35A, 10V 1V @ 250µA 21 nC @ 5 V ±20V 2200 pF @ 25 V - 70W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole
STD90N02L-1

Таблицы данных

STD90N02L-1

STD90N02L-1

MOSFET N-CH 25V 60A IPAK

STMicroelectronics

3864 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tube STripFET™ III Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 25 V 60A (Tc) 5V, 10V 6mOhm @ 30A, 10V 1.8V @ 250µA 22 nC @ 5 V ±20V 2050 pF @ 16 V - 70W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole
STP40NS15

Таблицы данных

STP40NS15

STP40NS15

MOSFET N-CH 150V 40A TO220AB

STMicroelectronics

2738 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tube MESH OVERLAY™ Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 40A (Tc) 10V 52mOhm @ 40A, 10V 4V @ 250µA 110 nC @ 10 V ±20V 2400 pF @ 25 V - 140W (Tc) 175°C (TJ) Through Hole
STP6NC60

Таблицы данных

STP6NC60

STP6NC60

MOSFET N-CH 600V 6A TO220AB

STMicroelectronics

2097 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tube PowerMESH™ II Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 6A (Tc) 10V 1.2Ohm @ 3A, 10V 4V @ 250µA 45.5 nC @ 10 V ±30V 1020 pF @ 25 V - 125W (Tc) 150°C (TJ) Through Hole
STP85NF55L

Таблицы данных

STP85NF55L

STP85NF55L

MOSFET N-CH 55V 80A TO220AB

STMicroelectronics

2272 0.00
- +

Добавить

Расследования

Tube STripFET™ II Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 80A (Tc) 5V, 10V 8mOhm @ 40A, 10V 2.5V @ 250µA 110 nC @ 5 V ±15V 4050 pF @ 25 V - 300W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole
Total 42442 Records«Prev1... 16191620162116221623162416251626...2123Next»
Запрос котировок
Номер запчасти
А
Связь
Электронная почта
Компания
Замечания
  • Домой

    Домой

    Продукты

    Продукты

    Телефон

    Телефон

    Связь

    Связь